GB T 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片.pdf

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1、二UDC 661. 864. 147 H 81 1989-03-31发布.:1:1二，、GB 110 72-89 单Indium antimonide polycrystal, single crystals and as二cutslices 1990-02-01实施国家技术监督局发布, 中华人民共和国国家标准锦化锢多晶、单晶及切割片GB 110 7 2-89 Indium antimonide polycrystal, single crystals and as cut slic回1 主题内容与适用范围本标准规定了锐化锢多品、单品及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等本标准适用于区熔

2、法制备的锈化锢多品及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的镑化销单品及其切割片。2 3 引用标准GB 4326 GB 8759 产品分类非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法3. 1 导电类型、规格3. 1. 1 多品多品的导电类型为N型，按载流子迁移率分为三级3. 1. 2单品镑化锢单晶按导电类型分为N型和P型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度分为三级3. 1. 3切割片按3.1. 2分类与分级，其厚度不小子500严m.3.2牌号3. 2. 1 镑化锢多品与单品的牌号表示为zlnSb -3 2 1 1一一用PinSb表示锦化

3、锢多品，MlnSb表示锦化锢单品，中国有色金属工业总公司1989-01-28批准1990-02-01实施I , 2一化学元素符号表示掺杂剂，3一一阿拉伯数字表示产品等级GB 1107 2- 8 9 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。3.2.2锦化锢单晶切割片牌号表示为s4 4. 1 . I一MlnSb表示锐化销单品p2一化学元素符号表示掺杂剂$3-CS表示切割Jr; 4一阿拉伯数字表示产品等级MlnSb -若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。示9j: I级掺峙镑化销单晶切割片表示为2cs MlnSb Te-CS-I 技术要求多品4. 1. 1 4. 1. 2 多品不应有裂纹和机械损伤

4、，不允许有夹杂物。多品的电学性能应符合表1的规定表1多品的电学性能（77Kl载流于浓度导电类型级别cm- I 5X 101IX I 01 N z 5XI03 I X IO 3 SX IO1x101 4. 2 tf.晶及切割片4 3 2 I 迁移率cm/Vs 6 IO S 1 O 6 IO 4 IO 5 I 0 4. 2. 1 单品及切割片不得有裂纹、空洞和李品线等缺陷切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而引起的缺口或崩边应在2mm以内d. 2. 2 非掺杂和掺杂饼化锢单品的电学性能与位错密度应符合表2的规定用于磁敏元件的锦化销单品及切割片的电学性能应符合表3的规定, 2 厂GB 11072-

5、89 表2非掺杂和掺杂锦化钢单晶电学位能（77K）和位错密度ltt苦密度我流于浓度迁移卒电ITT率直径牌号导电类型掺杂剂cm cm-3 cm/V Qcm mm 不大于岛IIn Sb N 非掺杂(I 5 I 014 二4.5 I 0 500 二三0027 IO 50 I 000 1 I 01 z. 4X 105 0.026 500 MlnSb-To 字Ne IO 50 7 I 01 l I 04 。.000 I I 000 1 I 01 2. 1 JO 0 026 500 M!nSb-Sn N Sn IO 50 7Xl01 1 1 O 0. 000 I l 000 IX I 015 1 I 0

6、0.62 500 MlnSb-Go p Ge JO 50 9 XI 017 6X 102 o. 012 I 000 IX I 015 1 I 01 500 MlnSb-Zn p Zn 0.62 0. 012 IO 50 9 I 017 6 I 01 J 000 IXJ01 IX JO 500 M!nSb-Cd p Cd 0.62 0. 012 JO 50 9Xl017 6 I 02 I 000 表3用于磁敏元件的镑化锢单晶电学性能（300K导电类型掺杂剂载流于浓度迁移率位错密度直径品向cm-3，不大于m2/Vs，不小于cm ，不大于m3 N 非掺2.3 I 016 6. 5 I 03 500

7、10 50 ( 111) N 非掺z. 3 1016 6. 5 104 1 000 10 50 (111) 4. 2. 3 饼化锢单晶棒两端面的法线方向与所要求的品向偏离应不大于3.切割片的品向偏离应不大于o. s. 4.2.4 切割片厚度及偏差见表4,表4切割片的厚度及偏差直径D;?IO 20 ZO 30 30 40 40 50 mm 厚度，不小于500 600 BOO I 000 m 厚度偏差士zo25 士30士35m 4.2.s 非榜杂和掺杂单品及切割片按位错密度和直径分为主级，见表5。3 GB 1107 2- 8 9 位错密度等级表5位错密度No直径D级IJ 个cm-2IJllJl 1

8、 30503 5001 000 :;,.1050 (111）品面切割片的参考面如下图所示，其直径、参考西长度及其偏差见表6.B, (110）士l4. 2. 6 B. 也110主5(111) 晶面的切割片参考商表6切割片直径、参考面长度及其偏差mm 直径直径偏差主参考面长度81主参考面氏度副参考面长度B2偏差不大于40 士512 士38 50 士512 t士38 试验方法5 . n I l lR 1 销化锢多品、单品及切部l片的表面质量用自视或用510（放大镜检查锡化钢多品、单品及切割片的电学位能测量按GB4326进行镑化锢单晶晶向测定按GB8759进行。s. 4饼化锢单晶棒及切割片的直径用精度

9、为0.1 min游标卡尺测量，切割片的厚度用精度为0.01 mm 的千分尺测量s. s锦化锢单品的位错密度观测按附录A（补充件进行。6. 1 产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书s. 2 需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起两个月内向供方提出，由供需双jj协商解决s. 3单晶应逐根进行电学性能、位错密度和表面质量等检验s. 4 单品位错密度检测试样从单晶头、尾取样，在（111）锢面进行检测切割片按总片数的5%抽样，但4 (lll）主0.5. s. 1 s. 2 s. 3 检验规则6 GB 1107 2-89 不应

10、少于3片6. 5 如检验结果有项不合格，则加倍取样进行该不合格项目复验，若仍有一项不合格时，则重新组批验收7 标志、包装、运输和贮存7. 1 每根单品或多品装入聚乙烯袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防碰伤切割片用软物包裹，置于特殊的厚泡沫塑料中，再装入硬质塑料盒或有机玻璃盒内。最后将装有产品的包装盒置于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖固紧7. 2 包装盒上应注明供方名称、产品名称、产品编号、产品牌号、产品重量或面积、各项检验结果及生产日期外包装箱上应注明2产品名称、产品牌号、批号、产品净童、供方名称、出厂日期、需方名称与地址，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志7. 3 每批产品应

11、附有质量证明书，注明z7. 4 7. 5 a. b. c. d. e. f. 供方名称，产品名称$产品牌号，批号g净童和件数$各项分析检验结果及检验部门印记，g. 本标准编号sh. 出厂日期产品在运输过程中要防止碰撞、防潮和化学物质腐蚀产品应存放于干燥和无腐蚀性气氛中. 5 二GB 11072-8 9 . 附录A. 镑化锢单品位错蚀坑腐蚀显示测量方法（补充件Al 原理采用硝酸氢氟酸腐蚀剂腐蚀，位错线在（Ill）锢面的露头处形成乳头状的腐蚀坑。如果观测面积为S(cm2），腐蚀坑数为个，则位错密度N,= n/S（个cmA2 试剂和测量仪器A2. l A2. 2 A2. 3 A2. 4 氢氟酸，浓度

12、40%，分析纯硝酸，浓度65%68%，分析纯去离子水。金相显微镜，放大倍数不低于150倍A3 iWJfl步骤A3. l 样品制备A3. 1. l 按（111）锢面切好样品，清洗去泊，用粒度不大于20m的金刚砂砂纸或粒度不大于lOm的金刚砂研磨，去除切割损伤飞A3. 1. 2 配制腐蚀剂，其配比为HFHN03=l 1 l（体积比）A3. 1. 3 将样品用腐蚀剂腐蚀510s，腐蚀时间长短根据腐蚀剂的温度而定腐蚀后用去离子水清洗，用滤纸吸于水分A3. 2位错的观测A3. 2. l 首先用肉眼观察样品表面是否有宏观缺陷以及位错腐蚀坑的分布情况。A3. 2. 2 在金相显微镜下，对位错密度进行观测视场

13、面积可根据位错腐蚀坑密度大小进行选择位错密度小于21Ocm-2时，视场面积选2mm左右位错密度为2X1021103cm时，视场面积选1m.m左右位错密度大于103cm时，视场面积选O.5 mm2左右A3. 2. 3测量点取法位错密度小于2lOcm时，视场在整个样品（除去距边缘2mm的区域上扫描，数出所有视场面内蚀坑总数，再测出样品被测量的总面积，计算出位错密度位错密度为21O1 1 Ocm-2时在距离边缘2mm的圆周上选一位错密度最大点，在通过此点的直径上，均匀取5个点，再在垂直于此直径的另条直径上，均匀取5个点，中心点只计入一次数值用此9点位错密度的平均值报数。位错密度大于1IOcm2时，取

14、两点即中心点和距边缘2m叭的圆周内取一位错密度最大值，以此两点位错密度的平均值报数、6 L二）一一二4GB 1107 2-8 9 附加说明本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出本标准由峨帽半导体材料研究所和机械电子工业部第十一研究所负责起草本标准主要起草人汪鼎国、李文华。. 7 。e、i 、10, r-r- ! IXl c.;i i 中国标准出版社出版f北京复外三里河中国标准出版社北京印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售跟权专有不得翻印华人民英国家标准锦化钮多晶、单品及切割片GB 11072-89 国和睡中印张3/4字数1i000 1990年4月第次印刷” 开本88012301/16 定价0.75元1990年4月第一版印数1-1800 ,. 书号g1550661-6918 - -l . 133-22 标目、】一一