GB T 11070-2006 还原锗锭.pdf
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1、ICS 29.045 H 82 言中华人民共和国国家标准GB/T 11070-2006 代替GB/T11070-1989 还原错徒Reduced germanium ingot 061214000155 2006-07-18发布2006-11国01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局也士中国国家标准化管理委员会保叩前言本标准是对GB/T11070-1989(还原错键的修订。本标准与GB/T11070-1989相比,主要有如下变动zGB/T 11070-2006 一一根据生产技术的发展和满足国内外用户的需求,参照国外先进标准以及国际通行的品种和规格,将原来的3个牌号的还原错键调整为2个牌号
2、,即RGe一O:p注30n . cm; RGe-1 , p;?:10 n . cm。一一增加了还原错链的型号为单-n型。一在检验规则中,增加了组批、仲裁取样和制样以及检验结果的判定等内容。本标准自实施之日起,代替GB/T11070-1989。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准由南京错厂有限责任公司负责起草。本标准主要起草人:张莉萍、黄和明。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本分布情况为:一一-GB/T11070-1989。I GB/T 11070-2006 还原错徒1 范围本标准规定了还原错链的要求、试验方法、
3、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)。本标准适用于以高纯二氧化错为原料,经氢还原法制备的错链。产品主要用于制备区熔错链。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GBjT 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GBjT 1551 硅、错单晶电阻率测定直流两探针法GBjT 11069 高纯二氧化错3 要求3. 1 产品分类还原错链按电阻率分为2个牌号:
4、RGe-O、RGe-1。工1一-RGe表示还原错键;2 阿拉伯数字,表示产品等级。3.2 电阻率2 1 还原错链电阻率应符合表1的规定。表1牌号电阻率1(0.cm)(23C士o.5C),不小于RGe一O30 RGe-1 10 3.3 型号还原错链型号为单一n型。3.4 原料RGe一O牌号的原料应符合GBjT11069GeOz一06牌号的规定。3.5 电学性能RGe-O牌号的产品经定向结晶和6次区熔提纯后,电阻率大于47n. cm的部分应占键长的80%以上。3.6 表面质量呈银灰色金属光泽,无明显氧化膜,无浮渣,裂纹和夹杂物。GB/T 11070-2006 3. 7 外形尺寸横截面积为梯形,其外
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