GB T 12632-1990 单晶硅太阳电池总规范.pdf
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1、中华人民共和回国凉标准单晶硅太阳电池总规范General s醉cificationof s恤glesilicon solar饵us1 :题内睿均遭用指回本规范规定了未甜糠的硅太阳电池的一般要求。本规范适用于地面、航天应用的单晶礁太阳电拙。2 引用标准GB 1550 磁单晶导电类那测定方法GB 1551 硅单晶电阻幕直流工探针测量方法GB 1552 硅单晶电阻率直流四探针测量方法GB 1553 硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB 1554 硅单晶(111)晶面位错饱坑腐蚀显示测量方法。总1555礁单晶晶向光团测量方怯GB 1556 础单晶晶向X光衍射测量方法GB 2828 逐批检资计数抽样程序
2、及抽样表(适用于连续批的检查)GB 2829 周期检查计数抽样程序及抽样我(适用于生产过程稳定性的检蘸)GB 6494 航天用太阳电池电性能测试方法GB 6495 地面用太阳电地电性能测试方法3技术要求3.1 设计和结掏3. 1. 1 基体设计按产品详细规黯要求,选用单晶破片为幕体材料和制备有光电效应的P-N错。3.1.2 电极GB 12.632 90 根据电池使用条件的要求,设制有一定形状尺寸的单愿或多犀金属结构系统的上、下电极,其热膨胀系数应与础基体材料相配,接触电阻小,有良好的导电性和可焊性,有效光照回积不小于90%。3.1.3 减反射膜为减少光反射,提高输出功率,电池光照面应设制减反射
3、膜。减反射膜材料的光学性质应与电池相匹配,要求恩数应在产品详细规抱中规定。3. ,. 4 电极焊接区电池的上电极应被制有电极焊接区,电极焊接区的朦朦、光情厦、导电性、热物理性能、形状尺寸、选材、力学疲劳强度应在产品详细规榄中规定。3.1.5 尺寸刺意量电池的尺寸和宽最应在产品详细规报中规定。朋.技术监督局1990-12-28批准1991-10-013t施GB 12632 90 3.1.6 外观电池的颜色应均匀一致,无明显的花钱,电池的崩边、裂口、缺角等机械缺陷的尺寸和数量应不鹉过产品详细规范要求。3.2 力学性质3.2.1 电池最大变形按产品详细规施要求。3.2.2 电极附着力按产品详细规施要
4、求。3.2.3 电极/焊点的抗拉强度地面用电地姆点的抗拉强度不小于0.4N/mm2。航天用电池焊点的抗拉强度不小于1.5 N/mm2.; 3.3 电性能投产品详细规部要求。3.4 光照性能3.4.1 电油的太阳吸收率电池的太阳吸收率在详细规范中规定。3.4.2 电池的半球辐射事咆油的半球辅射寻思应满足使用要求。3.5 电池的电性能掘度系数电池应按使用要求的站在度范围,测量真电性能参数的温度系数。3.6 环境试验条件3.6.1 温度冲击掘庶冲击的试验条件见我10捆度,C试验项目地面筛选一40-十85例行45-十853.6.2 高掘南真空中贮存间一160-十85196-十85高温高真空的贮存条件见
5、表20应用拖围温度,C地面85土3120 空间105 90 3.6.3 温热贮存班主热贮存条件见我30表1循环次数技术要求地丽空间5 6 冲击后电池不得裂开,li电极不脱5 6 落,减反射膜不变色表2时间,h备注16 按使用要求48 GB 12632 90 我3温度.%温度.C3.6.4 耐电子辐照时间.h48 48 空间用太阳电池应进行能量为1MeV的电子辅照试膛,其牺照瞬时通戴和总累积通撮,按产品使用要求。4 试验方法4. 1 基体材料硅单晶的型号、电阻率、晶体取向、位错带皮均按GB1550.,GB 1556规定的测最方法。4.2 电极4.2.1 电极材料匹配试验把电池插入聚四氟乙烯器.n
6、n.中,将它放入巴煮开的现离子水杯中保留蚁秒,然后取出将器肌放入装有液氮的容器中,循环2次,若没有发现电极材料与磁片分离,就认为相匹配。4.2.2 电极的阁形尺寸及真缺陷和电池的有效光照面积应使用不小于10倍的测量显微镜测量。4.3 电极的附着力、唱,极的可焊性电极引线的可姆性和电极/焊点的抗拉强度试验用下面向方法。按产品规定的要求,将引线焊接在电地电极上,引线与焊接丽成45。角,向下逐渐加囊,试验时间不小于10So 4.4 电极的导电性、引线的导电性、电极/引线焊点导电性用3.3电性能测试,按GB6494或GB6495 中3.2条的测试方法,测其对电性能的增值。4.5 电地电性能测试要求按G
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