SJ T 10932-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发器（可供认证用）.pdf

《SJ T 10932-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发器（可供认证用）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ T 10932-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发器（可供认证用）.pdf（15页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、中1 中华人民共和准件、细规范电子元半导体成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发Detail specification for electronic component Semiconductor integrated circuit-CC4013 types CMOS dual D-type-flip-flop (可供认证用)本规范规定了半导体集成电路CC4013型CMOS双上升沿D触发器鉴定和本规范符合GB4589. 1 84(半寻体集成电路总规范的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。电子1988-06-23批GB 9426 88 降为SJ/T109

2、32-96 定的全部内容。1989-02-01实施国家标准局评定器件质量的依师:GB 4589. 1 84(半导体集成电路总规范CC4013型CMOS双上升沿D触发器订费资料:见本规珩第7外形依据:GB7092 86(半导体集成电路外形尺寸外形图:按GB7092 D型5.3条及5.3. 1条J型5.4条及5.4.1条GB 9426一88规范IECQ GB 9426 88 2 简要说明CMOS集成触发器半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、功能表:见本规范第11章。品种:环境P型5.5条及5.5. 1条型温度40+850C 55+125 C 号F型5. 1条及5，1. 1条引出端排列z1 Q

3、VDD 1 Q 2 Q 1 CP 2 Q 1 R 2 CP 1 D 2 R 1 S 2 D Vss 2 S 标志:按GB4589. 1 84第2.5条及本规范第6章(E) 封装形式瓷直插(D)CC4013ED 黑瓷直插(J)CC4013EJ 塑料直插(P)CC4013EP 全密封扁平(F)CC4013EF 注意:静电敏感器件3 定II , IIIA , IIIB , IIIC , IIID , IIIE 按本规范鉴定合格的，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到(M) CC4013肌-1DCC4013孔uCC4013如1F2 4 5 GB 9426 88 若无其他规定，参考电压为V岱于

4、全工作温度范围。条款号参数符号4. 1 电源电压(正)VDD 4.2 电电压负Voo 4.3 入电压(正)V1 4.4 入电压(负V1 牛4.5 入电流11 4.6 工作环境M E 1amb 4. 7 18tg 件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5. 1 推荐工作条件若无其他规定.T.mb25C(见GB4589.1 84第4章)条款号参Voo 数(V) 5. 1. 1 电电压(T.mb:全围)5.1.2 时钟5 10 15 5. 1. 3 时钟上升、时间5 10 15 5. 1. 4 时钟脉冲宽度5 10 15 5. 1. 5 h飞Z时间5 10 15 5. 1. 6 置位、复f立脉冲

5、宽度5 10 15 3 数值单位最小最大18 V 一0.5v VOD十O.5 V 一O.5 V 士10mA 一55125 C -40 85 一65150 C 数符号单位最小最大Voo 3 15 V 3. 5 fcp DC 8 MHz 12 15 trt.p、tfcp4 、I 140 twcp 60 n 40 40 tSft 20 ns 15 180 tws、tWR80 n 5 50 GB 9426 88 5.2 电特性参考电压为V岱现范VDD 条款剖特性和条件(V 一55C 40 C 25 C 85 C 125 C 单位试验最小最大最小最大最小最大最小|最科最小|最大|5. 2. 11电电流5

6、 1 l 1 30 30 11 =VSS.VIH=VDD 10 lDD 2 2 2 60 60 A /A4 15 4 4 4 120 120 5.2.2 出低电平电压5 0.05 0.05 0.05 10.邓|IL=V白，VIH=VDD10 VOL 0.05 0.05 0.05 。Vo. loL mA 3/A4 Vo=0.5 V 10 1.6 1.5 1.3 1. 1 O. 9 IH=VOD VO= 1. 5 V 15 4.2 4 3. 4 2. 8 2.4 5.2.7 出高电平电流Vo=4.6 V 5 0.6 O. 6 O. 5 O. 0.3 民3/A411 =V挡，loH mA IvIHV

7、DD Vo=9.5 V 10 -1.6 -1.5 一1.3一1.1 一O.9 Vo=13.5 V 15 一4.24 一3.4一2.8一2.45.2.8 入低电平电流A jA3/A4 IL=V屿.VIH=VOO15 lIL O. 一1一15.2.9 入高电平电流u=V蹈.VIH=VDO15 lIH O. 1 O. 1 O. 1 1 1 A队3/A45. 2. 1 入电容CI 7.5 pF 4 GB 9426 88 续表规范值VDD 特性和条件单位试验55 C -40.C 25 C 85.C 125 C (V) 也最小国最小国大最小隆大最小陆对最小悔刘5. 2. 1 迟时间m-VDD 5 tPHL

8、 300 lr=lMHz, 10 130 tpLH =50% , 15 90 =20ns 5 300 rf= 20ns , ShQ ns A5 1 百10I tpLH 130 R , REFI= 2 VDD 15 90 1 REFO= 2 (VOH-VOL) 5 400 SQ 仁L=50pF，10 tpHL 170 R协Q际L=200kO15 120 5.2.1 出转换时间5. 2. 11 , 5 tTHL 200 A5 REFH=90% (VOH-VOL) , ns 10 tTLH 100 REFL= 10% (VOH-VOL) 15 80 5. 2. 1 高时钟m=VDD,Q=50% ,

9、5 3. 5 4儿皿4 MHz A5 t, = 5ns , tf = 5ns , 10 8 伫=50pF，RL=200kO 15 12 -L 6 标志上的标志示例:认证合格标志适用时)型号CC4013MD 引出端识jJlJ标志86241A 质量拌f别检验批识别代码若受器件尺寸限制，允许将批识别代码、定类别标在器件背面。7订货资料a. 产品型号;b. 详细规范的国家编号FC. 顾雷lf定类别;5 GB 9426 88 A组一一逐批全部试验均为非破坏性的(见GB4589.1 84第3.6. 6条)条件要求检引用文件, Tamb = 25 C 规艳(见GB4589. 1 84第4章A1分组外部目检G

10、B 4589.1 84 标志晰，表面无第5.1.1条伤和气孔A2分组功能验证按本规范5.2. 2条，5.2. 3条和11.2条按范5.2. 2条5. 2. 3条和11.2条A3分组静态特性GB 3834 83 按本规范5.2. 1条至5.2. 9条和10.1条按本范5.2. 1条至5.2.9条A4a分组最高工作下的静态特性GB 3834 83 T.mb按本规范4.6条同A3分组条件2同A3分组A4h分组最低工作下的态特性GB 3834 83 Tamb按本规范4.6条A3分组条件g同A3分组A5分组动态特性GB 3834 83 按本规范5.2. 11条至5.2. 13条和10.2按本规班5.2.

11、 11 条条至5.2.13条注2铃半导体集成电路CMOS的基本原理。7 标有(D)B1分组尺寸B3分组引线强度g弯曲(0)B4分组可焊性B5分组温度快速变化z两箱法(空封(非空封) (0) (非空封器件)最后(同A2和A3分组)或者密封件)(168h) (同A2、A3和A5分组GB 9426 88 B组一一逐批性的(见GB4589. 1一84第3.6. 6条)引用文件GB 4589. 1 84 第5.2条及附录CGB 4590 84 2.2条GB 4590 84 . 5条GB 4590 84 第3.1条. 2条GB 4590 84 第3.5条GB 4590 84 第3.12和3.13条GB 4

12、590 84 7条条件若无其他规定.T.mb=25C (见GB4589. 1-84第4章)a之方法2.F=2.5N 按方法b(槽焊法度按本规范4.6条严格度A.时间接严格度A.所用液体z水循环次数按严格度D.不加电同A2和A3分组按规定温度按本规范4.6条最大值，10.3条同A2、A3和A5分组检验要求规范按本章无损伤按2.5.6条同A2和A3分组A2，A3和A5分组8 B21分组高压蒸汽(0)(非空封器件量或试验(同A2和A3分组CRRL分组引用文件GB 4590 84 4.5条GB 9426 88 续表条件若无.T.mb=25 C (见GB4589.1 84第4章)时间按严格度C同A2和A

13、3分组B3、B4、町、B8和B21提供计数检查结果桂铃半导体集成电路机械和气。C组一一周期标有(D)的试验是破坏性的(见GB4589.1 84第3.6. 6条)C1分组尺寸C2b分组最高和最低工作温度下的功C3分组引线强度g拉力(0)C4分组耐焊接热(0)最后测量川同A2和A3分组C6 分组(空封冲击或动然后进行zf亘定加速度(0)最后测量z(同A2和A3分组)9 引用文件4589.1 84 2条及附录CB 4590 84第2.1条条件若无其他规定.T.mb=25C (见GB4589.1 84 T.mb按本规班4.6条，条件同A2分组F=5N B 4590 84第2.6条|按方法A(260C槽

14、焊)A2和A3分组9条|优先选择严格度CB 45 2. 8条|优先选择方法24590 84第2.10条|加速度:196 000m/s2 同A2和A3分组规范同A2和A3分组检验要求规范按本规范第1章同A2分组按2.L 5条同A2和A3分组同A2和A3分组GB 9426 -88 续表条件检引用文件,Tamb=25 C (见GB4589. 1 84第4章)C7分组稳态湿热(0)B 4590-84第3.7条按严格度A，(非空不加电最后测量2A2和A3分组同A2和A3分组C8分组电久性B 4590 7条同B8分豆豆(1 000 h) 最后测量z(同A2、A3和A5分组同A2、A3和A5分组C9分组高混

15、贮存(0)B 4590 84第3.3条1 000 h , 温度按严格度C最后测量2(同A2，A3和A5分组)同A2，A3和A5分组C11分组标志耐久性B 4590 8 4.3条按方法2溶痕:A型C23分组(非空封件)抗溶性(0)4条按4.4.2条C24分组(非空封器件)(0) B 4590 84第4.1条按4.1. 2条CRRL分组就C3，C4、C6、C7、C8、C9、C11、C23和C24提供计数检查结果。定批准9 D组D组应在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次。检验要求规范同A2和A3分组同A2，A3和A5分组同A2，A3和A5分组按4.3.2条按4.4. 2条按4.1. 2条10

16、 GB 9426- 88 检验或试验引用文件条件检要求规范值D8分组电耐久性(0)B 4590-84第4.7条H类:2000 h III类:3000 h 其他同B8分组最后测量2(同A2，A3和A5分组)同A2、A3和A5分组同A2、A3和A5分组10 附加资料10. 1 态特性的测符号测试方法GB3834-83 1DD 2. 15条所同时VIL和VlHVOL 2.8条按功VIL或VlHVOH 2. 7条入端按功接Vn或VlHVIL 2. 2条非被测入端分别同时接V盟和VDDVlH 2. 1条非被测入端分别同时接V固和VDD10L 2.12条入端按功能表接Vn或VIH10H 2.11条输按功能

17、表接VIL或VlH11L 2. 10条11M 2. 9条10.2 动态特性的测10. 2. 1 基本测试线路符号试方法GB3834 83 CI 3. 1条tPHL 3.10条非被测功能表接V回或VDDtPIH 3.9条t rHL 3.16条tTIH 3. 15条fmax 3.8条10. 2. 2 11 GB 9426 88 输出端头及央具的电容Vnn=15V CL CI RL Vss 电耐久性试验线路10.3 10kOX16 的HO-Tf=100kHz Vm-lSV G _n_ q=SO% h、t，ls度的变化曲线。出转换时间)随环境、延迟时电流、如电图明逻辑符号和逻辑符号10.4 特性曲线制

18、造单a. 11 AEEB -4E a,. a 称名号引出s (6) 1 S 1 Q 且i时钟输入1D CP 入出D R Cl 数据Q ,Q 1 Q (2) (13) 注丘.!.2Q入R 入置S Q主L2Q12 (5) 1 0 (3) 1 CP (4) 1 R (8) (9) 20 (11) 2 CP u_一(10) 2 R _，_牛羊42 S GB 9426 88 b. 逻辑图(1/2)R D CP 1 CP CP X11l CP H -1 - 1 &. l, 1 11 CP I I 且JI CP l E Q , , E、, , , Q s CP CP CP 11. 2 功能表入出R L L

19、am-t中，L 一Q-HLL S一LLLLHHD CP Q H H L Qo Qo HLH L H H L H H 13 GB 9426 88 附录A选(补充件)A1 II类器件的筛选项目和条件应由制造厂给出。A2 III类器件的筛选项目和条件如下。等级A等级B内部目检等级C检D-日级一部等一内等级E电量电量内部目检GB 4590-84第4 6条高温贮存GB 4590-84第3.3 条，150C、48h瘟度快速变化GB 4590-84第31 条，-55+125C、5次恒定加速度GB 4590-84第2 10条密封GB 4590-84第3 12条和313条老化GB 4590-84第47 条，1.

20、mbMAX、24h老化后最向A3分组，剔除不合格品(,-8 4590-84第4 6条内部问粉G-B 4590-84第4 6条间也贮存GB 4590-84第33 条，150C、24h位度快速豆化GB 4590-84第31 条.号与+125C、51久老化G-B 4590-845在47 条.1:mbMAX、24h在七J;屯测垣llA 1分组，剔除小合格品内部自检GB 4590-84第4.6条GB 4590-84第4.6条高温贮存4590-84第3.3条，150C、96hB 4590-84第3.3条，150C、48h温度快速变化快速变化4590-84第3.1 条，一55+125C、10次GB 4590

21、-84第3.1 条，一55-+125C、5次恒定加速度.恒定加速度曾GB 4590-84第2. 10条GB 4590-84第2. 10条密封密封GB 4590-84第3.12条和3.13条GB 4590-84第3. 12条和3.13条同A3分组，剔除不合格品同A3分组，剔除不合格品电视l量同A3分组，剔除不合格品老化老化老化4590-84第4.7条，TambMAX、1GB 4590-84第4.7条，TambMAX、72hGB 4590-84第47 条，T，mbMAX、48h老化后电测量同A3分组，剔除不合格品。若厅、合格品率大f10% ，则该批不合格同A3分组，剔除不合格品.若不合格品率大子10%，则该批不合格老化后电测量同A3分毯，剔除不合格品。若不合格品率大于10%，则该批不合格铸不适用于非。14 15 GB 9426 88 附加说明z本标准由集成电路标准化技术委员会数字电路工作组制订。本标准起草人陈裕媲、童本啦。