SJ T 10834-1996 电子元器件详细规范 CS111、CS112、CS113、CS114、CS115、CS116型单栅结型场效应晶体管（可供认证用）.pdf

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1、GB 7148 87 B组一一逐批标明(0)的试验是破坏性试验(见GB4936.1的3.6.的。检验或试验81分组尺寸83分组引线弯曲*(D) 84分组iJJ焊性85分组温度变化(D ) 继之以湿热循环最后测试glGSS!) 1 DSS .L 引用标准GB 4936.1的5. 2.附录CGB 4937树的2.1.2条GB 4937的2.2. 1条GB 4937的3.1.1条IEC68 - 2 - 30 * C S 113不进行该项试验。条牛Tamb=25C (见总规范的第4条)本试验采用g方法1受试引出端数23外加力:2.5N 本i式验采用=试验b受试51出端数:3 其它规定:见附录A度变化2

2、采用两箱法T A= -55 C. T B二125C 循环次数:5次温热循环z试验Db湿热方式22，严酷度:55 C. 坏次数:6 V GS =一0.1V V DS = 10V A B C D E * GB 4937 85 (半导体分iL器件机械和气候试验方法。枪验极l 最小组最大伯见本文件第l条I损坏jl可温良好5 0.05 O. 15 O. 1 0.3 。.250.6 0.5 1. 0 0.9 1. 5 要求H类单,7: LTPD 15 15 15 20 nA mA 7 检验绒试验A G yf C 2b分1 GS S (2) GV(们G V (3) C 3分组引线拉力*(0 ) C4分组耐焊

3、接热(0 ) 最后测试2同85分组C7分组稳态温热(0 ) 最后测试2同B8分组引用标准T - 084 T - 071 T - 084 T - 084 GB 4937的2.1.1条GB 4937的2.2.2条GB 4937的3.5条*CS1l3不进行试验。条GB 7148 87 续表件T a.b = 25C 极(见总规范的第4条)最小伯V DD = 4. 5V , V , = 10m V RD=6800 , CG=15pF C D= 33F，f=lkHz.70日z V GS = - O. 1 V T amb = 125C V DD = 3 V , V，三10mVRD=6800 , CG=15pF C D = 33F , f= 1 k H z A I - 10 B、C、D、EI - 8.5 VDD= 1. 5V , V , =10mV R D = 6800 , C G工15pFC D = 33F , f= 1 kH z A I一11B、CI - 9. 5 检验限最大值I - 1 I 5 受试引线数33外u:为:5 N 元损坏本试验采用方法21A 浸润时间:10土1s 本试验每六个月一次T amb工85C.相对ifW度:85% V DGO= 10V t = 168 h 常温F恢复2h后测试参数要求H类单位LTPD dB 15 A dB dB 15 15 20 9