SJ 50597 53-2000 半导体集成电路.JB3081、JB3082型晶体管阵列详细规范.pdf

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1、S.I 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5962 SJ 50597/53-2000 半导体集成电路JB3081、JB3082型晶体管阵列详细规范Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JB3081、JB3082transistor arrays 2000-10-20发布2000什0-20实施中华人民共和国借息产业部批准目次1 范隅1.1 主题内容.1 iyi句，“饨，由吨，“7M值”定件性额条特闹大作热：范“最工和何用类对荐率文适分绝推功阳刀句J？耐句JA吨qw瓦A1itA11吨，“3 要求224476

2、66688334 句、d句吗d句咆JV句、d句d句、dA品丁AATA品I汁d尺形川外涂验扣阳柿版HHHHHHH向且“怖刺求览验削求结料川耍川师期检验致去婆、材性式川证和“检一方各项细计线特测志保样选定量验准事详设引电电杭量抽筛鉴质检货明质变说lqh句JA崎Jhvi句，占1MA件，、d句、“句3句31d句314SA哼AAAAAAAAA件Jro中华人民共和国电子行业军用标准半辱体集成电路JB3081、JB3082型晶体管阵列详细规范SJ 50597/53-2000 Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JB3

3、081、JB3082transistor arrays 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了半导体集成电路JB3081、JB3082型晶体管阵列（以下简称器件）的详细要求。1. 2 适用？包围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1. 3. 1 器件编号器件编号应符合GJB597A半导体集成电路总规范3.6.2的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下：器件型号JB3081 JB3082 1. 3. 1. 2 器件等级器件名称叩n晶体管阵列（共发射极）npn晶体管阵列（共集电极极）器件等级应为GJB597A3.4规定的日

4、级和Bl级。1. 3. 1. 3 挝装形式封装形式应按GB厅7092半导体集成电路外形尺寸规定。封装形式如下：器件型号| 外形名称J I 川臼（叫钱陶晓熔封观列封装）D I 01683 ( 16引线陶怪现列封装）中华人民共和国信息产业部2000叶。“20发布2000-10-20实施SJ 50597/53-2000 1. 4 绝对最大额定值绝对最大额定值如下：集电极一发射极电压（民EO):16 V 集电极一慕极电压（民日。）：20V 集电极衬底电压（儿。）：20V 发射极一基极电Eli（几so):5 V 集电极电流（马）：lOOmA 基极电流（9):20 mA 单管耗散功率I): SOOmW 管

5、壳耗散功率D: 750mW 储存温度：65150C 结温：175。c引线耐焊接温度(30s): 300。c注：I）当环境温度商于55C时，按6.67mW降额使用。1. 5 推荐工作条件推挥工作条件如下：集电极发射极电压（VCE0): 13 V 集电极电流Uc):70 mA 基极电流U8):7 mA 工作环境温度：由55125。c2 引用文件GB厅7092-93半导体集成电路外形尺寸GJB 548A96 微电子器件试验方法和程序GJB 597A-96 半导体集成电路总规范GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法3要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB597A和本规范的规定。3. 2 设计

6、、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB597A和本规范的规定。3. 2. 1 引出端排列引出端排列服符合因1的规定。引出端排列为俯视图。2 SJ 50597/53-2000 JB3081: IBV EV 3CV 3BV 4CV 4日V6BV 6CV 16 15 14 13 12 II 10 9 2 3 4 5 6 7 8 I CV 2CV 2BV scv SUB sav 7CV 7BV 引出端序号符号功引出端序号符号功ICY 单管集电极引出端9 6CV 单管集电极引出端2 2CV 单管集电极引出端10 6BV 单管基极引出端2BV 单管基极引出端11 4BV 单管基极引出端4 scv

7、单管集电极引出端12 4CV 且在管集电极引出端5 SUB 衬底引出端13 3BV 单管基极引出端6 SBV t在管基极引出端14 3CV 单管集电极引出端7 7CV 单管集电极引出端15 EV 公共发射极引出端8 7BV 单管3器械引出端16 IBV t在管基极引出端JB3082: IBV CV 3EV 3BV 4EV 4BV 7EV 7BV 16 15 14 13 12 11 AU l 9 2 4 5 6 7 8 !EV 2EV 2BV SEY SUB SBV 6EV 6BV 引出端序号符号功引出端序号符号功!EV 单管发射极引出端9 7BV 单管基极引出端2 2EV 单管发射极引出端10

8、 7EV 单管发射极引出端3 2BV 单管基极引出端11 4BV 单管基极引出端4 SEY 单管发射极引出端12 4EV 单管发射极引出端5 SUB 树底引出端13 3BV 单管基极引出端6 SBV 单管基极引出端14 3EV 再立管发射极引出端7 6EV 单i奋发射极引出端15 巳飞J公共集电极引出端6BV 岛生管J在报引出端16 IBV 单管J在极引出端因l引出端排列句、JWSJ 50597/53 2000 3.2.2 电路图电路图阻应符合图2规定。JB3081: lCV 2CV 3C V 4CV 5CV 6CV 6 V7丰EV lBV 2BV 3BV 4BV 5BV 6BV 7BV JB

9、3082: CV lBV 2BV 3BV 4即画”tHV V把vv np vv PLM 庐”VHV nnuw ”nv 图2电路图3.2.3 封装形式封装形式应按本规范1.3.1.3的规定。3. 3 引线材料和镀涂引线材料和镀涂应按GJB597A3.5.6的规定。3.4 电特性电特性服符合表1的规定。由4”SJ 50597/53 2000 表1lJB3081电特性条件极限值单位特性符号（若无其他规定，见图3图12,TA=25 C) 最小最大集电极甲慕极岱穿电压BR)CBS 500队，IE=O 20 一v 集电报衬底击穿电压V(BR)CIS Ic1=500 A，也叶，铲020 一v 集电极一发射极

10、击穿电压V(HR)CES lc=I mA, 18= 0 16 一v 发射极基极击穿电压V(BR）肌也500A，儿齿。5 v VcE=0.5 V, TA=25 C,. 125 C 30 一30mA TA=-55。C14 直流放大倍数VcE= 0.8 V, TA出25C, 125 C 40 一护50mATA55。c17 一VcE=0.5 V, TA嚣25吨，125C 25 一低频小信号放大倍数hfe z:30mA 几出叫55C 12 几30时，几25C, 125 C 一1.0 基极发射极饱和压降VBEsat v m I mA 凡白山55C 1.25 VCE罪3v, 凡25吧，125C 0.75 基

11、极一发射极未饱和应降VBE v 目叫lmATA=-55。c1.0 30mA, TA】55。c.25。c0.5 v lmA 几125 C 一0.7 集电板一发射极饱和压降VCEsat Ic=50mA, TA= “ 55 C. 25 C 0.7 v /8=5 mA TA辑125C 0.9 集电极一发射极截止电流CEO VCE=IO v, 乌zO, 几出55125C 10 A 集电极基极截止电流lcao Vc8= 10 V, IE= 0, TA=-55 125 C 一A 集电极衬底截止电流ICIO Vc1=10V，伊0，非0,T/=-55 125 C A 发射极基极截止电流EBO 几8=4V, 嚣。

12、，几罩”55125。c一A 截止频率fr Vee嚣5V，几2.5V, Vd= IV, Ie=lOmA 300 MHz 延迟时间td Vcc=5 V, Re =40 Q, R8 =500 Q, 一30 ns TA=-55 125 C 存储时间乌Vcc=S V, Re =40 n, R8 =500 n, 50 ns 凡扭由55125C 上升时间t, Vce=5 V, Re=40 Q, R8 =500 Q, 15 ns TA=-55 125 C 下降时间tr Vee骂5V,Rc=40!l, R9出500日，一20 ns TA盟”55125C 逍遥隔离度ISO Vee嚣5V, Re=40Q, R8出5

13、00!172 一dB ，、d特性符号集电极基极而穿电HiV(BR)CBS 集电极帽m衬底击穿电压V(BR)CIS 集电极一发射极击穿电压问BR)CES发射极一基极市穿电压V(BR)EBS ll流放大倍数低频小信号放大倍数hr, 基极发射极饱和压降VBEsat 基极发射极米饱和压阵VBE 集电极发射极饱和服降VCE.蝇飞集电极一发射极截止电流/CEO 集电极基极截止电流Icao 集电极衬底截止电流/CIO 发射极基极截止电流/EBO 截止频率儿延ill.时间Id 存储时间上升时间下降时间通道隔离度ISO 6 SJ 50597/53 2000 表12JB3081电特性条件（若无其他规定，见阁3阁1

14、2,TA嚣25C) 儿500队，乌黑。Ic1=5朋队，E= 0, /8= 0 /c=l mA, /8= 0 也500A，儿捕。Vce=0.5 V, 几25吧，125C 护30mA凡55C 几俨0.8V,TA=25 C. 125 C 皿50mA兀拙55C VCE出0.5v. 几25C, 125。c儿30mA几55C le= 30mA, 凡嚣25C, 125 C 鸟lmATA=-55。cVCE =3 v, 几25。c,125。c时lmA几出55C le嚣30mA,几-55 C, 25 C 护lmA TA= 125 C Ic=50mA, TA拮叩55。c.25 C /8=5 mA TA据125C V

15、ce=IO V，乌o. TA也55125C Vee黠JOY，非o,TA嚣由55125C Vc1=10 V，也O，非0，几胃币55125。cVe8=4 V, le嚣。，凡白血55125。cy优5 V, VEE= -2.5 V, VcE= 1 V，伊OmAVcc=5 V, Re叫on,R8 =500 n, 几带回55125。cVcc=5 V, Re =40 n, R8 =500 n, TA55125。cVcc=5 V, Re =40 Q, R8 =500 n, 几嚣，55125C 民sv,Rc=40n, Re=SOOn, TA=-55125。cVee= 5 V, Re =40 n, R8 = 50

16、0 n 极限值单位最小最大20 一v 20 一v 16 一v 5 一v 30 14 一40 一17 25 12 一一1.0 v 一1.25 0.75 v 一1.0 一0.5 v 一0.7 0.8 v 一1.0 一IO A A 、一A 一A 300 一MHz 一30 ns 50 ns 15 ns 一20 ns 68 dB SJ 50597/53 2000 3. 5 电测试要求器件的电测试要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2屯测试要求分组（见表3.1、表3.2) 项目8级器件Bl级器件中间（t;炼前）电测试Al, A4 AL A4 中间（老炼后）电测试AJ1l A) Al

17、1) At) 最终电测试A2、A3、AS、A6、A7,A9 A2、A3、AS、A6、A7,A9 A组试验要求Al, A2、A3、A4、人5、A6、A7,Al、A2、A3、A4、AS、A6、A7、A9、AIO、AllA9 C组终点电测试川、A4和表8的A极限Al, A4和表8的A极限C细检验增加的电测试分组AIO、AllD细终点也测试人1、人4Al, A4 注：I) 该分组要求PDA计算。-7忡艺mOUSgigsJB3081屯测试额4弓1111端条件（若无其他规定，见自3国12)棱测端极酿值分组符号单i式2 3 4 5 6 7 8 9 IO 11 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最

18、注号oBV 7BV 6BV 4BV 位ICV 2CV 2BV 5CV SUB 7CV 6CV 4CV 3BV 3CV EV IBV 号值位大Al V(BR)CBS 1 lo.5 mA GND GND VI v VEBs=V225 v 23 GND GND 0.5mA 3 V23 v 乓BRlEBS=V235 v 巴士GND GND 0.5mA 13 V24 v V,BRlEBs=V24 5 v 巴EGND GND 0.5mA 11 V25 v V!BRIEBs=V25 5 v 巴主GND GND 问.5mA6 V26 v VieRlEBs=V26 5 v 巴ZGND GND 怡.5mA 10

19、V27 v V(BI毫JEBs=V275 v 28 GND GND I0.5 mA 8 V28 v J/.reRlEBs= V28 5 v hFE 29 30mA GND to至216 II mA hFE=30 mA/II 30 0.5V 30 30mA GND JOO 3 12 mA hFE=30 mA/12 30 0.5V 31 GND 130mA ton 13 13 mA hFE=30 mAJJ3 30 0.5V i山vtmLUC白白叫臼itMCCC续表3-1测引出端条件若无其他规定，见图3图12)被i则端极握值单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 IO 11 12 13 14 1

20、5 16 编数单计算公式最最注f 号命GBV 14BV E主主值位大位ICV 2CV 2BV 5CV SUB 5BV 7CV 7BV 6CV 4CV 3BV 3CV EV IBV Al hrn 32 Gt唱。30mA ton 11 14 mA hrn= 30 TA =25 C 0.5 v 30 mA/14 33 30mA GND ton 6 15 mA hFE-一30 0.5V 30 mA/15 一34 GND 30mA 100 10 16 mA hFE= 30 0.5 v 30 tru生1635 GND 30mJ!、IOQ 8 17 mA hFE= 30 0.5 v 30 n由17一36 5

21、0在AGND 100 16 18 mA hFE= 40 0.8V 50mA/18 一37 50mA GND 100 3 19 mJ气hFE= 40 0.8V 50 n也1938 GND 50自主AIOQ 13 IlO mA hFE= 40 。在V50 口也110一39 GND 50mA 100 11 I1 l mA hFE= 40 0.8 v 50吭11140 50mA Gt运D100 6 112 mA hFE= 40 o.sv 50 mA/112 -ol LUCUSgiMOCO 续表3-1汲引lf1端条件（若无其他规定，觅留3囡12)被捕端极限值单分组符号试/ 编数计算公式最最注2 3 4

22、5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 单号5BV 7BV 14B飞J f直位大位JCV 2CV 2BV 5CV SUB 7CV 6CV 6BV 4CV 3BV 3CV EV JBV Al hFE 41 GND SOmA ion 10 113 mA hFE= 40 已25C 一0.8 v 50 mA/I13 42 GND 50mA ion 8 114 mA hFE= 40 0.8V 50 mA/114 VBEs皿性主30mA GND GND I mA 16 V29 v Vno =V29 LO v 道王30mA 1 mA GND GND 3 V30 v Vno-. =V30

23、 LO v 且主GND lmA 30m;! GND 13 V31 v Vno _ .=V3J l.O v 户!Q_GND lmA 30m;! GND 11 V32 v Vnc_ . =V32 1.0 v 47 30mA GND lmA GND 6 V33 v Vnv =V33 1.0 v 48 GND 30mA lmA GND 10 V34 v Vnc =VJ4 1.0 v 49 GND 30mA lmA GND 8 V35 v Vnv _ .=V35 1.0 v VBE 50 3V GND -I mA 16 V36 v V.,.,=V36 。，75v 应L3V GND lmA 3 V37 v

24、 V,.,=V37 0.75 v 应主GND 3V -lmA 13 V38 v Voc=V38 0.75 v 怪主IGND 3V -lmA II V39 v Voc=V39 。.75v 巴士3V GND -lmA 6 V40 v v .京V400.75 v 55 GND 3V 一lmA JO V41 v V.,.,=V41 0.75 v 56 GND 3V 一lmA 8 V42 v V.,.,=V42 0.75 v i-i 白oue叫白llMOCO续表3-1测引出端条件若无其他规定，克国3国12)被翻端极限值单分主且符号试l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

25、16 编数单计算公式最最1至仨J主SUE 14BV 3BV 一垣位大位ICV 2CV 2BV SCV SBV ?CV 7BV 6CV 6BV 4CV 3CV EV IBV Al VcEs且57 lmA GND GND 130mA V43 v V =V43 0.5 v TA=25。c58 30mA lmA GND GND 2 V44 v VE =V44 0.5 v 应旦GND l mA 130 mA GND 14 V45 v VE-=V45 一0.5 v 医主GND lmA OOmA GND 12 V46 v Vv _ .=V46 0.5 v 啤上30mA GND lmA GND 4 V47 v

26、 y户v=V47 0.5 v 道主IGND 30mA I mA GND 9 V48 v Vv =V48 0.5 v 63 GND 30mA lmA GND 7 V49 v Vv =V49 0.5 v 164 50mA GND GND 5mA V50 v v.组符号t式2 3 4 5 6 7 8 9 IO II 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最注位E王=i IEV 2EV 2BV 5EV SUE 5BV 6EV 6Bi 7BV 7EV 4BV 4EV 3BV 3EV CV lBV 号值位小大Al 乓BR实BSGND 0.5mA GND 15 VI v 只BRlCBs=Vl20 v

27、 TA=25 C 2 GND GND 0.5mA 15 V2 v ViBRlCBS=V2 20 v 3 GND GND 0.5mA 15 V3 v 只BRlCBS=V320 v 4 GND GND 0.5 mA 15 V4 v 妻：8呆ices=V420 v 5 GND GND 0.5mA 15 vs v 其BRlCBs=V520 v 6 GND GND 0.5mA 15 V6 v 只BRlCBS=V620 v 7 GND GND 0.5 mA 15 V7 v 只BR汇es=V720 v ViBRlCIS 8 GND 0.5mA 15 V8 v BRlCIS=V8 20 v 只BR阻S9 GN

28、D GND lmA 15 V9 v VieRlCEs=V9 16 v IO GND GND lmA 15 VIO v VieRcis=VIO 16 v 11 GND GND lmA 15 VI l v VieR陀Es=VlI 16 v 12 GND GND lmA 15 Vl2 v VBRlCEs=V12 16 v 13 GND GND lmA 15 Vl3 v V,BRlCEs=VJ3 16 v 14 GND GND lmA 15 Vl4 v VBRlCEs=V14 16 v 只BR)EBS15 GND GND lmA 15 Vl5 v 量：BRlCEs=VI5 16 v 16 0.5mA

29、GND GND Vl6 v 只BRIEBs=Vl65 v 17 0.5mA GND GND 2 Vl7 v 只BRlEBs=Vl75 v 表3-2INCi EUOUS81800 续表3-2i则引出端条件（若无其他规定，见图3国12)被iY!端极限值单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最注位号lEV 2EV 2BV 5EV 恒UE5BV 6EV 6BV 7BV 7v 民BV4EV 3BV 3EV CV IBV 号值位小大Al lisREBS 18 GND GND 0.5mA 14 Vl8 v v,DD、cno=VJ85 v 巳25

30、C 19 GND GND 0.5mA 12 Vl9 v Vrno回oo=VJ95 v 20 O.SmA GND GND 4 V20 v F气DD、coo=V2Q5 v 21 GND K).5 mA GND 7 V21 v v,DD回o.=V215 v 22 GND GND O.SmA 9 V22 v V、coc=V225 v hFE 23 ton GND 30mA 16 JI mA hFE=30 mA/11 30 l) 。.5V24 ton GND 30rnA 3 12 mA hFE=30 mA/12 30 一0.5 v 25 GND ton 30mA 13 13 mA hFE=30 mA/1

31、3 30 0.5 v 26 GND 10正主30mA 11 14 mA hFE=30 mA/14 30 。.5v 一27 JOO GND 30mA 6 15 mA h茅E=30mA/15 30 一0.5 v 28 GND JOO 30mA 10 16 mA hFE=30 mA/16 30 o.sv iN-i LUCmC叫glMOOO续表3-2i费8手r:11端条件（若无JU1也规定，旦国3国12)被那端极F良值分主且持号试2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最单注号 L3 主值位大佳lEV 2EV 2BV SEY SUE SBV 6EV 1

32、6B飞时7BV 7EV 4BV 4EV 3BV 3EV CV IBV Al hFE 29 GND 10.Q 30mA 8 17 mA hFE=30自由1730 几25CO.SV 30 ion GND SOmA 16 18 mA hFE=50mA/18 40 0.8 v 31 IOQ GND SOmA 3 19 mA hFE=50mA/19 40 0.8V 32 GND IOQ SOmA 13 110 mA 民在50mA/IHJ40 0.8V 33 GND IOQ SOmA 11 JI I mA lhFE=50n且IIII 40 。.8V34 IOQ GND SOmA 6 112 mA lhFE

33、=50mA/l 12 40 0.8V 35 GND ton SOmA 10 113 mA 民FE=50mA/I13 40 - 0.8V 36 GND IOQ SOmA 8 ll4 mA 协同SOmA/11440 。.8VVnc- 37 GND GND 30mA lmA 16 V23 v Vno _ .=V23 l.O v fMMI 的LUOS叫gigs续表3-2翻引出端条件若无其他规定，见图3国12)被i则端极酿佳分组符号i式I 2 3 4 5 6 7 8 9 JO l l 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最单注汇;J主二号值位大位IEV 2EV 2BV 5EV SUB 5BV

34、6EV !6BV 7BV 7EV 4BV 4EV 13BV 3EV CV lBV Al VBEsat 旦旦GND lmA GND 30mA 3 V24 v Voe =V24 LO v TA =25C 四立GND I mA GND 30mA 13 V25 v Voe二V251.0 v 40 GND I mA GND 30mA 11 V26 v Vnc =V25 l.O v 41 GND GND lmA 30mA 6 V27 v Vc =V27 l.O v 42 GND GND l mA 30mA JO V28 v Vnc=V28 1.0 v 43 GND lmA GND 30mA 8 V29 v

35、 Vnc-=V29 1.0 v VBE 44 -I mA GND 3V 16 V23 v VR,=V23 0.75 v 45 -lmA GND 3V 3 V24 v Vnc=V24 0.75 v 46 GND Im 3V 13 V25 v V.,.,=V25 。，75v 兰ZGND 1-1 3V 11 V26 v V.,.,=V25 0.75 v 48 -1 mA GND 3V 6 V27 v V.,=V27 0.75 v 49 GND -lmA 3V IO V28 v 几.，V280.75 v 50 GND -I mA 3V 8 V29 v V.,.,=V29 0.75 v VcE皿8._l

36、 一GND GND 30mA lmA 15 V30 v V,., _ .=V30 0.5 v 52 GND lmA GND 30mA 15 V31 v F二c.=V31 0.5 v 53 GND lmA GND 30mA 15 V32 v F仁.V320.5 v 54 GND lmA GND 30mA 15 V33 v Vrn. =VJJ 0.5 v 告JH 艺出CUC斗giMOOO续表3-2测引出端条件若无茧，他规定，见图3图12)被割端极F畏值分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 IO 11 12 13 14 15 16 编数单计算公式最最单注位号IEV 2EV 二rnv5EV lsU

37、E 5BV 6EV 68、7BV 7EV 14BV 4EV 3BV 3EV CV IBV 号值位大Al ., CEsat 楠巴三GND GND l mA 30rnA 15 V34 v y臼回V340.5 v 几25C 巴豆KIND GND I mA 30mA 15 V35 v CE且，V350.5 v 57 GND l mA GND 30rnA 15 V36 v VCEsat=V36 0.5 v 巴主GND GND 50rnA 5回A15 V37 v 民问V370.7 v 巴主GND 当mAGND 王OmA 15 V38 v 乓E甜，V380.7 v 巴旦GND 5mA GND 50mA 15

38、 V39 v 民Esa=V390.7 v 巴上GND 5mA GND 50mA 15 V40 v VCEsat=V40 0.7 v i6一2一GND GND 5mA GND 50mA 15 V41 v VcEsat=V41 0.7 v 163 GND 5mA 50mA 15 V42 v VCEsat=V42 0.7 v 64 GND 5mA GND 50mA 15 V43 v V， ,=V43 0.7 v I牛。65 GND GND IOV 15 115 A Irno=I15 IO A 66 GND GND IOV 15 116 A /CEo=IJ6 JO A 67 GND GND IOV 1

39、5 Il7 A /CEo=IJ7 IO A 68 GND GND IOV 15 II 8 A EO=Jl8 10 A 69 GND GND JOY 15 119 A IcEo=ll9 10 A 70 GND GND JOY 15 120 A IcEO=l20 10 A 71 GND GND IOV 15 121 A lcEo=f21 10 A 72 GND lOV GND 15 122 A lc80=122 A iMhFi mL白oueJ可臼itMOOO续表3-2源自弓i出端条件若无其他姆定，见自3图12)被激i端极限值单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 lO 11 12 13 14

40、15 16 编数单计算公式最最注大位号!EV 2EV 2BV 5EV ISUB 5BV 6EV 陷BV7BV 7EV 14BV 4EV 3BV 3EV CV IBV 号值位Al lceo 73 GND GND IOV 15 123 A fc80=I23 A TA =25 C 174 GND GND IOV 15 124 A fc80=124 A 175 GND GND IOV 15 125 A I七80=125A 76 GND GND IOV 15 126 A lc80=l26 A 77 GND GND IOV 15 127 A lc80=127 A 78 GND GND IOV 15 128

41、 A lc90=128 A lcio 79 GND IOV 15 129 A lc10=129 1 A /EBO 80 IOV GND GND 130 A 1Eeo=l30 A 81 IOV GND GND 2 131 A /EBO产131A 82 GND GND IOV 14 132 A 1Eao=I32 A 83 GND GND IOV 12 133 A 1Eao=l33 I A 84 IOV GND GND 14 13 A I军eo=l34A 85 GND lOV GND 7 135 A f主ao=l35A 86 GND GND IOV lO 136 A 1Eao=l36 A A2 87

42、 除V(BR)CBS、V(BR)CIS、V(BR死囚、只BR)EBS不测试，民Esat在30mA、乌ImA时的最大极限值为0.7V，在lc=50mA,凡125C 5mA时的最大极限值为IV外，其余参数hFEVBEsat、VBE、fcEofceo、CIO/EBO的条件、计算公式和极限值均完全向150 于Al分组已25C那试号2386.A3 151 不满试参数同A2分组。除hFE在乓E=Q.5V、Ic=30mA时的最大极眼值为14，在民E=0.8V、Ic=50mA时的最大极接值TA= -55。c 为17,VBE甜的最大极踉值为l.25V,VBE的最大极搜值为1.0V外，其余参数VCE砸、CEO、f

43、ceo、七。、EBO的条件、计算公式214 和极限值均完全同于Al分组TA=25C i则试号2386。-MMi 282叫白jMOCC续表3一2汲4弓i：“端条件若无其他规定，见图3留12)被i费4端极限值单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 JO 11 !2 13 14 15 16 编数单计算公式最最i主值位大位号!EV 2EV BV 5EV SUB 5BV 6EV 6BV 7BV 7EV BV 4EV 3BV 3EV CV IBV -% A4 hr. 215 GND GND lmA 16 1108 mA hr.1 = 25 兀25C 0.5 v 1 mA/81108 一216 GND

44、GND 1 mA 3 AJI09 mA hr.2= 25 0.5V 1 mA/All09 如217 GND GND 1 mA 13 All 10 mA h部25 0.5 v l mA/AI109 .,._ 218 GND GND lmA 11 Aii 11 mA hrc4= 25 0.5V l mA/AIJ09 一219 GND GND 1 mA 6 All 12 mA ,1fe5 = 25 0.5V l mA/All09 - 220 GND GND lmA 8 Aii 13 mA h挝25 0.5 v l mA/All09 一221 GND GND lmA 9 .11114 mA h告1=2

45、5 0.5 v I mA/All09 f 222 510!l -2.5 v IOmA 15 VJOO v .f. =JOO hr.1 300 MHz i2510!l -2.5 v IOmA 15 VIOi v .r. = 100 hfc2 300 沁1Hz旦旦-2.5V 5JOQ IOmA 15 VI02 v .f. =I 00 hr.3 300 MHz 巨5-2.5 v 5JO!l IOmA 15 Vto3 v .f. =I 00 hre4 300 沁1Hz226 510E 一2.5v IOmA 15 Vl04 v .f. =JOO hfc5 300 MHz 号J0、艺gg叫击！MOOO续表

46、3-2澳引出端条件若无其他规定，见图3图12)被i则端极阪值单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 编数单计算公式是最注 小大位lEV 2EV 2BV 5EV SUB 5BV 6EV 6BV 7BV 7EV 4BV 同EV3BV 3EV CV IBV 气f值位A4 i： 227 一2.5v p 10 IOmA 15 VI05 v f. = l 00 hre6 300 岛1HzTA=25C 228 -2.5 v 5100 IOmA 15 Vl06 v f. =I 00 hr.1 300 MHz A5 Ii t社229 hr.参数；那试条件、计算公式、

47、极限值均完全同于A4分组TA=25 C W!试号215221。TA =l25C 235 A6 hfe 236 除hr.参数的最小极搜值为12外，其条件、计算公式均完全岗于A4分组TA=25C测试号21522loTA=-55C 242 A7 ISO 243 40重主400 soon GND sv 5000 VI07 v JS0=20 68 dB TA=25 C 2 VI08 lg(VI07/V108) 244 400 GND soon 400 5V soon Vl09 v JS0=20 68 dB 14 VllO lg(Vl09/VI JO 245 4on GND 5000 400 5V soon VIII v /S0=20 68 dB 12 Vll2 lg(VI 11/VI 12 246 400 40.Q GND soon sv soon Vll3 v IS0=20 68 dB 4 VI 14 lg(Vl 13/Vl 14) 247 400 GND 400 soon sv soon Vl 15 v JS0=20 68 dB 7 Vl 16 lg(VI 15/Vl 16) 248 400 GND