SJ 50597 40-1996 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC309、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范.pdf

《SJ 50597 40-1996 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC309、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ 50597 40-1996 半导体集成电路 JC54HC75、JC54HC309、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范.pdf（47页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、B.J 中华人民共和国电子行业军用棉准FL 5962 SJ 50597/4096 半导体集成电路54HC75、JC54HC259,JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC54HC75, JC54日C259,JC54HC373, JC54日C533,JC54HC573 HCMOS latches. 1996翩08翩30发布1997翩。1”。1实施中华人民共和国电子工业部批准日次1 班罔（1)1. 1 主题内容.(1) 1.

2、 2 适用植围（1)1.3 分类. . (1) 1. 4 绝对最大额定值.(2) 1.5 推荐工作条件.（2)2 引用文件.（3)3 要求（3)3. 1 详细要求（引3.2 设计、结构和外形尺寸. . . . . （约3.3 引线材料和论穰们的3.4 电特性川的3.5 电试验要求.(17) 3.6 标志(32)3 7 微电路组的划分.(33)4 质最保证规定6.(33) 4.1 拙样和检验.（33)42 筛选（33)4.3 鉴定检验，仆的4 质量致性检验（3的4.5 检验方法.（41)4.6 数据报告.( 43) 5 交货准备.仙的5. 1 包装要求忱的6 说明事项，（44)6. 1 订货资料

3、.件的6.2 缩写词、符号和定义.a付的6 3 静代性.（44)6.4 操作叫，川，付的中华人民共和国电子行业军用栋准半导体集成电路JC54日C75、JC54HC259,JC54HC373,JC54HC533时50597I 40-96 和JC54HC573型HCMOS锁存器详细规范Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC54HC75, JC54HC259, JC54日C373,JC54HC533, JC54日C573HCM创latches.1 稳固1. 1 主题内容本规范规定了半导体集成电路JC54HC

4、75、JC54HC259、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS锁存器（以下简称器件）的详细要求。1. 2适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范纷出的器件按器件型号、器件等极和封装形式分类。1. 3. 1 器件编号糯件编号J!iJ.按GJB597（微电路总视报第3.6.2条的规定。1.3.1.1 器件型号器件型号如下：号阳斟叩AUF由句3叫句3句334m唁JV由eJml叩句3付叫句曲？”吨JmqdgJ件附一配二肌肌配mAaT】A呻A怜甲A件4件”，、Jwm，、JV户，、awm，、d酬，、JV器一扣一扣mLm扎一扣器件名称四班稳态锁存器8

5、位可寻址锁带器八日锁存器（3s)八D锁存器（3嚣，白端输出）八。锁存器（3唱）1.3.1.2 器件等级器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的问级。1.3.1.3 封装形式封装形式按GB/T7092（半导体集成电路外形尺寸的规定。封装形式如下：中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997唰01.01实施时50597/40时96盟一cDFHMJ摸一外形代号：OP3 016白，D20S3F16X2 H16X2 J16白，J20S31. 4 绝对最大额定值绝对最大额定值如下：数倪明自符号h单位最小最大电糠电压Vee -0.5 7.0 v 输入电压Vi 响0.5Vcc+O

6、.S v 输出电压Vo -0.5 Vcc+O.S v 输入电流（每蹦）II.I 一20 mA 输出电流（每端）I Iol mA 一25 JC54日c:lS/259E恒，肉，、民，豆、JCS4 HC373/ 533/ sr3 一35 电惊电视II mA 一50 比54日c:lS/259JC54日C373/S33/573一70 功耗Po 300 mW 贮存掘皮T啕皿65150 结翻Ti 一175 引蝇耐焊接掘度（10s) Th 300 1. 5 推荐工作条件推荐工作条件如下：数值项自符号单位最小最大电糠电压Vee 2 6 v 输入低电平电压Vcc=2V V1L 一0.3 v Vcc=4.SV 一0

7、.9 Vcc=6V 一1.2 一2一时50597/40由96续表数值项回符号单位最小最大输入高电平电.IiVee嚣2VV1H t.50 一v Vcc=4.SV 3.15 一Vcc=6V 4.20 输出电压Vo 。Yee v 输入脉冲上升Vee口2Vtr t1 1000 ns 和下降时间Ycc=4.SV 一500 Yec=6V 400 工作环境晦皮TA -55 125 2 引用文件GB 3431.1-82 2扣导体集成电路文字符号电参数文学符号GB 3431.2-86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号GB 3439-82 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理GB 3834-83 半导体

8、集成电路CMOS电路测试方法的基本照理GB 4590-84 半导体集成电路机械和气候试验方法GB 4728 .12-85 电气图用图形符号二进制逻辑单元GB/T 709293 半导体集成电路外形尺寸GJB 54888 微电子器件试验方法和程序GJB 59788 微电路总规范GJB 164993 电子产品防静电放电控制大纲。3要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB597和本规范的规定。本规施规定的B1银器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性枪膛的某挫项目和要求上不问于B级。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定。3. 2. 1 逻辑符号、逻辑图和

9、引出端排列逆鞠符号、引出端排列和逻槐阁应符合团1的规定。引出端排列为俯视图。理辅符号应符合GB4728.12的规定。 3 “ 50597/4096 a. 逻辑符号b. 引出端排列D、F、H、J型C型1）2jIJ 仁lQlQ忖l16卜110。10叫N 瓦NlENl 1Q mq 2 2Q 22日2Q E.，.，哼Vee 3Q 、Vee5 12 GNI吨川 43司Q-:D 6 11 3Q Cl 叮i叮。寸。州、4Q 3Q 4白4Qri 8 .Q c. 精图(1/2)IQ (3Q IQ (3Q) 。一Q7A件鸣，“aa因1lJC54HC75逻辑符号、引出端排列和逻辑图4一SJ 50597/40叩96C

10、型引出端排列D、F、日、J型b. 逻辑符号a. 5 “-RE VErDQ 也龟n咄Qi Qs Qz Qo Q, Q, 8M号创50597/40叩96c. 避槐阁Q, Os Ai Q. Qi ,A1 QI A咂Qo CR 阁12JC54HC259逻辑符号、引出端排列和逻幢罔 6 时50597/40叩96a. 逻辑符号b. 引出端排列D、F、H、PlC型21 :j g lQ 18 8D z114 T到肖远18 SD 2Q 4 17 7D 3Q s 16 7Q 4Q 6Q SQ 6 6Q 7 60 7Q 8 50 SQ SQ c. 逻幌阁LE巳u1 rflQ 2Q 3D llD卜十四i_tJ由一3Q

11、4Q SD SQ 俨铲刷6D 70 叫红四伫SQEN 图1一3JC54日C373逆制符号、引出端排列和逻辑图一7一崎50597140叩锵b.引出端排列D、F,H、1型理蝇符号a. C型V哺叩mmm川喝喝仰m峰山一刷品川胁仙耐地描如柑喝删hupnu au帽fe。lQ 3Q 3Q 4远吨sQ6Q 和Q哥避棉即c. ZC4D SD 6。70 80 JC54HC533逻辑符号、引出端排列和逻辅郎即1-4EN 8 邸50597/40川崎a. 逻辑符号b. 引出端排列D、P川、J型C到Vee lQ ：； 2Q 3Q IQ 4Q 2Q 3Q SQ 4Q 6Q ,SQ 7Q 6Q 7Q SQ 8Q c. 逻辑

12、阁l.E “ l rn lQ lf:) 2Q 30 3Q 40 mr-1町1带叩4QSD nn卡叫卡寸、叫一SQ6Q 7Q SQ 剧l-5JC54HC573迦辑符号、引出端排列和逻辑阁一9一阳50597/40幽幽963.2.2 功能表功能表如下：a. JCS4HC75 输入输出D EN Q 口L 日L 日” ” H 日x L Q., Q., b. JC54H59 JC54H59锁存地址选择表输入输出功能CR LE 地址锁榨其他选择输入制存选择输入锁存A2 Al AO 地址A2 Al AO 地址日D Q., 可寻址锁将L 。日L L 4 日日Q。Q., 存储L L H H L H 5 L D L

13、 8线译码L 日L 2 日日L 6 L H L L 清除L 日“ 3 日H 日7 c. JC54日C373d.JC54HC533 e. JC54日C573输入输出输入输出输入输出EN LE 。Q EN LE D Q EN LE 。Q L 日H H L H H L H H H L H L L L 民L H L 日L L L L L L 日L L L L L h H L L h L L h 日日x x z 日x x z 日x x z 注：M高电平；L一惊咆平；2一商阻恋；X一任意；Q。EN跳变前Q的电平；D数据输入电平；Qf在表明稳志输入条件建立前Q(i齿。；l7）的电平；1一在锁存允许从南到低眺

14、变之前维持一个建立时间的低电平；h一在锁存允许从高到低眺变之前维持一个建立时间的高电平。3.2.3 电路图制造厂在鉴定前应将电路图提交给认证机构存档备查。3.2.4 时提形式封装形式成符合本规范1.3.1.3条的规定。3.3 引绒材料和除穰引绒材料和涂穰股按GJB597第3.5.6杂的规定。3.4 电特性电特性应符合褒1的规定。 10 时50597/4096亵1一1JC54HC75电特性条件I)Vee 规市假特性符号（若无其他规定，单位”SS运TA125）(V) 最小最大输入汪精位电压YrK+ Vee接地，l1K=lmA 。一1. s v TA=2S 输入负精位电压v，扭曲V开路f1K叩lmA

15、开路 币1.s v TA=25 电摞电流Ice V1=6.0V或OV6.0 一40 A 输出高电子电压V.2) YrH=l.SV, Yu.=0.3V 2.0 1. 95 一v JOH由20AVIH坦3.lSV lo刊出币20A4.5 4.45 Yu，嚣。.90Vloo = “ 4.0mA 3.70 YIH=4.2V I恻且20A6.0 S.95 一V11.= 1.2V OH扭曲5.2mA5.20 一输出低电平电压Vo1.2 Y11.=0.3V, V1日出l.SV2.0 0.05 v lot =20A Yu产o.佣VloL =20A 4.5 0.05 v，问3.ISV 101. =4.0mA 一

16、0.40 Yu.= 1.2V Irn. = 20A 6.0 一。喃05Y1H=4.2V lo1, = 5.2mA 0.40 输入低电平电lill:111. Yu.嚣。v6.0 一自0.2A 输入高电平电流I1H VH=Vee 6.0 一0.2 A 输出短路电流le陈Vo=OV, V1=0V或Vee4.0 由10申120mA . 输入电容c, TA坦2S 10 pF 传输延迟时间tpffl斗CL =SOpF土10%4.5 30 ns （数据到输出）tp1.ff 传输踞迟时间tpffL Ci.嚣SOpF士10%4.5 一34 ns （允许到输出）lp(,ff ,r 输出转换时间tTHL CL盟SO

17、pF土10%4.5 一20 ns ITLH 植：1)完整的测试条件列于袋3.2）表中Yee坦2V和4.SV条件下的V伽利Yo1.值只作为保证参数，可不测试。一11一“ 50597 / A0,-96 表1叩2JC54HC259电特性条件I)Vee 规范值特性符号（密无其他规定，(V) 单位叫55TA125）最小最大输入汪精位电服V1K+ Vee撞地，l1K= lmA 。一1.5 v TA=25 输入负箱位电压Y1K “ Vee开路，I1K=-lmA开路一“ 1. 5 v TA=25 电摞电榄I Y1=6.0V或OV6.0 一制 输出高电平电压Vl) v,H=t.sv. Vn，也0.3V2.0 1

18、. 95 v I佣口四20p.AV1H =3.15V IoH呻20A4.5 4.45 V11.=0.90V loH= -4.0mA 3.70 一V1H=4.2V Iot1叩20A6.0 S.95 Y1L=l.2V I佣口“S.2mA5.20 一输出低电平电压V，” Vu，嚣0.3V,VIH= l.SV 2.0 一0.05 v Ioi. = 20A Vu.=0.90V 101. = 20A 4.5 一0.05 Y1H=3.15V 101.=4.0mA 一0.40 V1L = 1.2V 101. = 20A 6.0 一o.os V1H=4.2V 101. =5.2mA 一0.40 输入低电平电榄1

19、11. V11.=0V 6.0 一”。.2A 输入高电平电流I刷Vn.= Vee 6.0 。.2A 输出短路电流I满Vo=OV, V1=0V就Vee4.0 明10“ 120 mA 输入电容c, TA=25 一10 pF 传输延迟时间tpHL CL嚣SOpF士10%4 5 - 43 ns （数据到输出）tPLH 2、传输延迟时间t阶吼4.5 一47 ns （允许到输出）tp1.tf 传输延迟时间tPHL 4.5 一到ns (A到输出）tp1.H 传输延迟时间tlt啊，4.5 - 36 ns （清除到输出）输出转换时间t”也Ci，踹SOpF土10%4.5 一20 ns tn.H 注：1）窍庭的测试

20、籍仲列予表3o2）表中Ycc=2V和4.5V条件下的V恻和V01，值只作为保证参她可不测试。12一创5059714。”96表13JC54HC373电特性条件I)Vee 规部值特性精号（若无骂他规定，单位”SS延TA二12S）(V) 最小最大输入正籍位电压V1K+ V撞地，l1K=lmA 。一1.S v TA出25输入负搪位电压V1K-Vee开路.I1K= - lmA 开路 ” 1.S v TA=2S 电摞电榄1 V1=6.0V或ov6.0 一朋p.A la;:z V1=6.0V 6.0 40 3且A输出高电平电压V倒2)V1n=1.SV, V1L=0.3V 2.0 l.9S v I倒勾耐20p

21、.Av”嚣3.lSV I佣嚣呻20p.A4.S 4.45 一V1L=O.”v I例z”6.0mA3.70 v.则盟4.2VI倒嚣20A6.0 5.95 一V1L= 1.2V I倒嚣7.SmA5.20 一输出低电平电压Voi.iVn.嚣。.3V,V1悦1.SV2.0 - o.os v l0t. = 20p.A Vu，窜。.90V/OL =20户A4.S 0.05 V1n=3. ISV /oL出6.0mA一0.40 V1L且1.2V/oL =20队6.0 o.os Vin齿4.2V/OL =7.8mA 一0.40 输入低电平电流f1L Vn.皿ov6.0 一“ 0.2 p.A 输入高电平电流I,”

22、 V阴阳Vee6.0 - 0.2 A 输出髓路电榄Ia; Vo盟ov.v.盟ov或Vee4.0 ” 10 -135 mA 输出高阻态时I恤Vo=OV, EN= Vin 6.0 一蛐4.0p.A 低电平电流输出高阻态时I唰V0= Vee, EN坦Vin6.0 4.0 p.A 商电乎电榄输入电密c. f A需2S 10 pF 传输延迟时间t问n.CL口SOpF土10%4.5 一35 ns （数据到输出）t问.H传输延迟时间tpt乱4.5 一41 ns (ft许到输出）lpt.H 一13一阳50597/ 40 :-96 棋表1-3条件I)Vee 规范值特性符号（若无其他规定，单位咀SSTA12S）(

23、V) 最小最大输出允许时间t职ZHCL =SOpF土10%4.S 一35 ns tPZL RL =lkO士10%输出肇止时间tPHZ 4.5 一as ns tPLZ 输出转换时间tTHL C1. =SOpF士10%4.5 16 ns tTLH 注：1)宪擎的测试条件列予表3o2）囊中Ycc=2V和4.SV条件下的Yoo和YoL值只作为保证癖数，可不测试。表1-4JC54HC533电特性条件I)Vee 规部值特性符号（若无其他规定，单位”SS骂王T1.s;12s） (V) 最小最大输入汪精能电压VrK+ Vee接地，J1K=lmA 。一1. s v T1.=2S 输入负持位电压V1K嗣V开蹈，l

24、1K- lmA 开路 皿1.5 v T1.=25 电晦电流lee v.踹6.0V就ov6.0 一80 A I:z Y1=6.0V 6.0 40 A 输出高电lf-电压Vl vlH= i.sv, v,L嚣。.3V2.0 1. 9S v I倒嚣20.AV阴3. lSV 100= -20.A 4.S 4.45 Vu，嚣0.90VI佣-6.0mA 3.70 Y1H=4.2V I佣需申20.A6.0 5.95 一v”= l.2V loH= -7.SmA 5.20 一输出低电电压Vor.21 v,L=0.3V, v.=J.sv 2.0 一0.05 v lOL =20.A Yu.=0.90V 101. =2

25、0.A 4.5 一0.05 VIH=3.1SV 101. =6.0mA 一0.40 Y1L = l.2V loL 却A6.0 一0.05 Y1H=4.2V 101.=7.SmA 一0.40 输入低电电流111. Y1L =OV 6.0 由0.2A 14一部50597/40. 96 续褒14j挺件t)Ye汇规范值特性符号（若无摸他舰寇，单位蛐SS运TA运125）(V) 最小最大输入高电平电榄I1” VIH= v 6.0 0.2 ltA 输出姐路电流le路Vo苗。V,V1=0V或V4.0 由10蛐135mA 输出高阻态时I也V0=0V, EN= V1H 6.0 一” 4.0 ltA 低电乎电流输出

26、高阻态时I饵”V0= Vee, EN坦VIH6.0 一4.0 p.A 高电平电流输入电容c, T,.=25 一10 pF 传输磁迟时间tPHL CL嚣SOpF土10%4.S 一39 ns （数据到输出）tpLff 传输迟时间tpHJ. 4.S 一41 ns （允许到输出）tPLH 输出允许时间tn” CL据50pF士10%4.S 一35 ns tm RL= lkO士10%输出禁止时间t问4.S 一35 ns tpLZ 输出转换时间tr阳，C1. =SOpF土10%4.S 16 ns tnJi 撞：l）完整的测试条件列于费3。2）囊中V白2V和4.SV条件下的V仰和VoL值只作为保证参数，可不测

27、试。费1-5JCS4日CS73电特性条件I)V 规范值特性符号（若无其他规定，单位同55T，.！；豆125）(V) 最小最大输入.iE籍位电压Yue+ Vee撞地，I1K=lmA 。一1.5 v TA=2S 输入负精位电压Y1K幡Vee开蹄，1K也mlmA 开路 由1.s v TA=25 电惊电流Ice Y1=6.0V或OV6.0 一朋ltA /ccz V1=6.0V 6.0 一40 ltA 一15一时50597I 40-96 续表15* 件1)Vee 规能值特性符号（若无其他规定(V) 单位”55运TA125）最小最大输出南电平电压V创42) V刷1.SV, Y1L =0.3V 2.0 1.

28、 95 - v I倒草帽20iAVIH嚣3.lSV 1恻齿”20，且A4.5 4.45 一Yu产0.90VI恻血”6.0mA3.70 一v，阴4.2VI恻需20,iA6.0 5.95 一Y1L监l.2VI佣嚣酬7.SmA5.20 输出低电平电压VoL2 V1L器0.3V,Y1K=l.SV 2.0 一0.05 v Io俨20,iAV1L=0.90V IoL=20川4.5 一0.05 Y1K=3.15V IoL=6.0mA 一0.40 Y1L = 1.2V Ioc =20A 6.0 0.05 Ym=4.2V IoL嚣7.SmA一0.40 输入低电平电流I1L V1L嚣。v6.0 响。.2,iA 输

29、入高电平电流I1H v,H= Vee 6.0 0.2 iA输出短路电流le附Yo=OV, Y1=0V就Yee4.0 四10世135mA 输出高阻态时ozL Vo=OV, EN口Y1H6.0 一” 4.0 ,iA 低电平电流输出高阻态时I锢Vo= Yee EN= V1H 6.0 4.0 A 高电平电讯输入电容c, TA=25 - 10 pF 传输蹲迟时间tpt钮，CL=SOpF士10%4.5 一41 ns （数据到输出）tpLff 传输迟时间tpt也4.5 一41 ns （允许到输出）tPLH 输出允许时间tn” CL嚣SOpF土10%4.5 35 ns tnL R1产lkO士10%输出禁止时间

30、tPHZ 4.5 35 ns tpu 输出转换时间tTHL CL=50pF土10%4.5 16 ns tTLH 能：1)宠酷的测试条件列于表3o2）程中V2V和4.SV条件下的V仰和YoL值只作为保证参数，可不测试。 16 “50597/40叩963.5 电试验要求器件的电试脸要求，应为本规范表2所规定的有关分组，各分组的电涮试按本规施表3的规定。表2电试验要求B银棉件B1银棉件顷目分组（见我3)变化最极限分组（见衰3)变化t极限中间（者炼前）咆测试Al 一Al - 中间（者悔后）电测试A1 2) Alo A2 最终电测试A2,A7,A9 一A2,A7,A9 一A组检瞌电测试Al I A2,

31、A3, A4, A7 一Al,A2,A3,A4,A7 A8,A9,A10,All A8,A9 8辑终点电测试Al Al 一C组终点电测试Al,A2,A3 Az Al,A2,A3 Al C姐栓验增加的电测试- AO, All 一。组终点测试A1,A2,A3 一Al,A2,A3 一班；1）该分姐要求PDA计算（见本规班4.2条）。2）者炼和寿命试瞌要求变化:l(A）测试，变化I:极限按本规施4.S.2杂的规定。一17即50597/40-96表31JC54HC75电测试引用樨幢条件1)规艳值分组符号（若无其他规定，GND=OV,单位GB3834 TA=25） 最小最大Al VIK+ GB3439 V

32、撞地，GND开路，输出端开路，被测输入一1.5 v 2.1 斓I1K出lmA，非被测输入端开路。V1K ” GB3439 Vee开路，GND接地，输出端开路，被测输入一相1.5v 2.1 端I1K盟”lmA，非被测输入蹦开赂。Ice 2.15 Vcc=6.0V,GND接地V1=6V 一0.4 p.A 输出端开路。V1=0V 一0.4 Yoo 2.7 Vee= 6. OV，允许端tI惆扭币20p.A5.95 v 4.2V，测Q端时，v.口4.2V;I佣-5.2mA 5.48 一测白端时，v.目l.2V。YoL 2.8 Vee出6.ov，允许端置I， 20p.A 0.05 v 4.2V，测Q端时，

33、V1= 1.2V; loL =5.2mA 一0.26 测G端时，Y1=4.2V。Ios GB 3439 Ycc=4.0V，允许端置4.0V，被测输出端接币10-120 mA 2.21 地；测Q端时，Y1=4.0V;测奇捕时，V1=0VoI1H 2.9 Vee口6.0V，被测输入端VIH=6.0V,一0.1 A 非被测输入端V1L=OV，输出端开路，分别测试每个输入端。I1L 2.10 Ycc=6.0V，被测输入端Y1L口ov,一-0. l A 非槌测输入端Y1H=6.0V，输出端开路，分别测试每个输入端。A2 TA嚣125，除yfKT、V以耐不测外，所有参数、条件同Al分组，规戒值按我1一1。

34、A3 TA= -SS，只测Vo町、VoL,Ic憾，条件和规范值均同Al分组。A4 C1 3.1 Ve OV, f = lMHz，分别测每个输入端对 10 pF GND之间的电容。A7 Ycc=4.5V，按功能表（见本规拖3.2.2）。AS Vcc=4.5V, TA=12S的TA叩5S，按功能表（见本规范3.2.2）。一18一时50597140-96续表31引用标准条件I)规市僚分组符号（若无其他规定，GND口OV,单位GB3834 A =25） 最小最大A9 1PLH 3.9 V4.SV，允许端置4.5V，逐一测对店的一23 ns 加Q端和D-+Q端。tpHL 3.10 见本规辄圄2叫号。 2

35、3 tpLH 3.9 V：4.SV，。端V1=4.SV和OV，分别测一26 ns 允许端Q端和允许端哥端。tPHL 3.10 见本规砸罔2-20tTUf 3.15 V4.SV，允许端置4.SV，测每一Q端。一15 ns tTHL 3.16 见本规范阻22o一15 AlO TA口125，参数、条件同A9分组，规市假按表lloAll TA 叩55，参数、品件、规施值向A9分姐。注：1)表中列出的输入端和输出端条件，均指被测端，来栋明的输入端可为低电子、高电平或开路，未栋明的输出端可接负载就开路。裴3-2JC54HC259电测试引用标准条件j)规范值分组符号（若无其他规定，GND=OV,单位GB 3

36、834 TA=25） 最小最大Al V1K+ GB 3439 Vee接地，GND开路，输出端开蹈，被测端入一1. 5 v 2. 1 端I1K=lmA，非被测输入端开路V1K-GB 3439 Vee开路，输出端开路，被测端入端 由1.5 v 2.1 I1K骂叩lmA，非被测输入端开路I ec 2.15 V6.0V,GND接地，V1=6V 一0.8 A 输出端开路。v，出ov0.8 一Al V恻Vee= 6.0V, D端;FUCR端:i4.2V，因端2.7 v 最1.2V;测端时，A0,A1,A2均置1.2V;澜Qt端时，AO:l:4.2V,A1,A2:1;1.2V; 测Q2端时，Al置4.2V,

37、AO, A2置1.2V;测Q3端时，A2:I; 1. 2V, AO, Al置4.2V;测Q4端时，A2j壁4.2V,AO.Al :I; 1.2V; 测Q5端时，Ali量l.2V,AO,A2置4.2V;测Q6端时，AO置1.2V,Al,A2置4.2V;测Q7端时，AO,Al,A2均置4.2VoloH= -20A 5.95 IoH5.2mA5.48 一 19 创50597/4-0唰96续表3一2引用棉准条件I)规范值分组符号GB3834 苦无其他规定IGND=OV, 单位TA=25） 最小最大Al VOL 2.8 Vee阻6.0V,D端和四端置1.2V，已在端v 揽4.2V;制QO端时，AO,Al

38、,A2均置1.2V;测Qt捕时，AO盟4.2V,Al,A2置1.2V;拥Q2捕时，Al置4.2V，剧，Al置1.2V;恻Q3端时，A2置1.2V,AO, Alt 4.2V; 测Q4端时A2置4.2V，剧，Al置1.2V;制QS端时，Al.t 1.2V, AO,A2置4.2V;测C历端肘，AO置1.2V,Al,A2t4.2V; 视lQ7端时，AO,Al,A2均置4.2VoIoL = 20f1A 一0.05 IoL坦S.2mA一0.26 le赂GB 3439 Vcc=4.0V，顶端置4.0V，西端接地，-10 “ 120 mA 2.2.1 棋测输出端接地；测端时，AO,Al,A2均置OV;测Ql端

39、时，AO置4.0V,Al, A2置OV;测端时，Al置4.0V，脯，A2置OV;制Q3端时，A2置OV,AO,All量4.0V;测Q4端时，A2j景4.0V,AO,Al置OV;测QS端时，Al.W OV, AO, A2置4.0V;剧创端时，AO置。V,Al,A2置4.0V;削Q7端时，剧，州，A2均置4.ov.IIH 2.9 Vee嚣6.0V，被测输入端V1H6.0V，非被测一0.1 A 输入端V1L=OV，输出端开路，分别测试每个输入端。In. 2.10 Vcc=6.0V，被测输入端V1L=OV，非被输入一-0.1 A 端Vrn:6.0V，输出端开路，分别制试每个输入端。A2 TA皿125除

40、V1K、V瞅阳不测外，所有寥数、条件罔Al分组，规施值按我l2.A3 TA白血SS，只测V仰、VoL,fos，条件和规范值均闰Al分组。A4 c, 3.1 VOV, f= lMHz，分别测每个输入端对一10 pF GND之间的电容。A7 V4.SV,GND接地，按功能表（见本规甜3.2.2）。AS Vee辑4.SV,GND撞地.TA= 125和TA口“55，按功能表（见本规商3.2.2）。AU 句，b町50597/40幽幽96续表3一2引用栋准条件I)规施值分组符号（者先其他规定，GND皿ov.单位GB3834 TA=25） 最小最大A9 tPLH 3.9 V叫.sv，顶端置4.SV，因端置O

41、V;一37 ns tpt吼，3.10 测D咿时，AO,Al,A2均置OV;测P申Ql时，AOj配4.5V,Al.A2置。v测P咿QZ时，Al最4.SV,AO,A2置。v测P申Q3时，A2置。V,AO,Al置4.SV酣D-+Q4时.A2置4.5V,AO,Al置。v恻D-+QS时，Al j量。V,AO,A2置4.SV测D申Q6时，AO:I: OV, Al, A2 J配4.SV恻D呻Q7时，AO,Al,A2均置4.SVo见本规抱回2-3。tpLff 3.9 Ycc=4.SV，顶端置4.SV;ns tpffL 3.10 测LE呻QO时，AO,Al,A2均置。V;测LE呻Ql时，AO置4.SV, Al,

42、 A2，置OV;测四呻时，Al置4.5V，闸，A2寰。V;测丽叶Q3时，A2置。v，闸，Al景4.SV;测丽叶Q4时，A2置4.SV,AO,Al:l:OV; 测IE呻QS时，Al!I OV, AO, A2置4.SV;测E呻Q6时，AO置。V,Al.A2 i量4.SV;测LE呻Q7时，脯，Al,A2均置4.SVoD端接4.SV一35 D端接GND一35 见本规范阁2-30tp1,H 3.9 V叫5V，顶端盟4.SV，因端与待测ns tpffL 3.10 的A端状态相同；测AO啡伽利AO呻Ql时，Al,A2均置ov.测Al呻QZ时，闸，A2置OV;测AO呻Q3时，AlJ最4.SV,A2:l:OV;

43、 测A2呻Q4时，AO,Al :I: OV 恻AO呻QS时，Al1量ov,A2 J量4.SV;测Al呻Q6时，AO:I: OV, A2置4.5V;测AO呻Q1时，Al,A2j配4.SV。D端接4.SV一38 。端接GND一38 见本规范困23o 21 部50597I 40-96 镇表3-2引用标准条件I)规施值分组符号GB 3834 （若无其他规定，GND=OV,单位TA=25） 最小最大也急- A9 t阱n.3.10 V需4.SV，。端置4.SV;一26 ns 测CR呻时，AO,A1.A2均置。V;测己革呻Ql时，AO置4.SV,A1,A2置OV;测5页呻Q2时，Al置4.SV,AO,A2置OV;测5页呻Q3时，A2置。V,AO,Al置4.SV;测已在呻时.A2置4.5V,AO.Al置OV;测已在呻QS时，Al置。V,AO,A2置4.5V;榈已在呻制时，AO置。V,Al, A2 :t 4.5V; 测5页呻Q7时，AO,Al,A2均置4.5Vo见本规范酣23otTHL 3.15 Vcc=4.5V，顶端置4.SV，顶端置。v. 15 ns tnH 3.16 D端输入；一15 测时，AO,Al,A2均:tOV; 视l.Ql时，AO置4.SV,Al,A2置。V;测Q2时，Al:1:4.SV, AO,A2置。V;制Q3时IA2置OV,AO,Al:il4.5V; 测C泌时，