DL T 474.3-2006 现场绝缘试验实施导则.介质损耗因数tanδ试验.pdf

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1、JCS 29.080 K04 备案号：17674-2006中华人民共和国电力行业标准2006-05-06发布场绝缘试验主质损耗因数1饲DL/T 474.3 - 2006 代替DL474.3 - 1992 2006-10-01实施中华人民共和国国家发展和改革委员会发布DL/ T 474.3 - 2006 目次前言.24I 范围.妇2 规范性引用文件.25 3 测量仪器.万4 电力设备介质损耗因数tan的现场测试.27 5 现场测量的干扰影响和消除方法.36 23 DL/ T 474.3 - 2006 刚吕本标准是根据国家发展和改革委办公厅关于印发2005年行业标准项目计划的通知（发改办工业200

2、5 739号）文的安排，对DL474.3一1992进行的修订。本标准中的试验结果判断标准主要引自DL厅596，对DL厅596中未规定的，本标准中提出的推荐值供参考。本标准与原标准的主要差别是：一按GB厅1.1标准要求修改了条目名称：一近年来增加了许多新的tano试验仪器设备和试验方法，因此增加3.4条内容：一各被试设备电容和介损试验的判断标准根据DL厅596一1996等新的标准及新的试验方法作了较多修改和补充。本标准实施后代替DL474.3一1992。本标准由中国电力企业联合会提出。本标准由电力行业高电压试验技术标准化委员会归口并负责解释。本标准主要起草单位：云南省电力试验研究院（集团）有限公

3、司、华北电力科学研究院有限责任公司。本标准主要起草人t郑增泰、李明、邓春。本标准1992年11月3日首次发布，本次为第一次修订。24 DL/T 474.3-2006 现场绝缘试验实施导则介质损耗因数tan试验1 范围本标准提出了测量高压电力设备绝缘介质损耗因数tanb和电容的方法，试验接线和判断标准，着重阐述现场测量的各种影响因素、可能产生的误差和减少误差的技术措施。本标准适用于发电厂、变电所现场和修理车间、试验室等条件下，测量高压电力设备绝缘的介质损耗因数tan和电容。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的

4、内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。DL厅596电力设备预防性试验规程JBff 8169一1999藕合电容器及电容分压器3 测量仪器3.1 西林电桥西林电桥的四个桥臂由四组阻抗元件所组成，其原理接线如图1所示。D 斗B 汀A B IC = a）正接线b）反接线C，一被试品等值电容：R，一被试品介质损耗等值电阻：Cn一标准电容：R3一无感可调电阻：C4一可调电容：儿一无感固定电阻：T一电源变压器图1西林电桥原理接线图电桥平衡时：EP叫AhRM -EUx cm Cl) (2) 以上式中各

5、符号的含义同图1。25 DL/ T 474.3 - 2006 在工频试验电压下，式（2）中OJ=2rcf =IO侃，取R4为1000031840，则tani,一一按图14接线测量的一次对支架与二次绕组并联的电容及介损值。按图15测量时，为便于电桥平衡，需要在R4上再并接适当电阻，通常，取外并电阻后Ri=RJnCn=l、2、3、9）。此时，被试的tano值等于C4的微法值除以n，即tani:5=C4I no 4.6.3.3 试验标准串级式（分级绝缘）电压互感器20时的tano值应不大于表5中数值。表5串级式（分级绝缘）电压互感器测量tan6的试验标准电压等级试验方法交接及大修后运行中% % 常规

6、试验法2.0 2.5 末端按图11接线2.5 3.5 加压法按图12接线3.5 5.0 66kV 220kV 本体，按图13接线3.5 5.0 末端屏蔽法绝缘支架，按图13、图14或图156.0 接线6.0 自激法2.5 3.5 4.7 多油断路器用高压电桥测量多油断路器的tano值，主要是检查套管和油箱内部绝缘部件（如灭弧室、提升杆、绝缘围屏和绝缘油等）的绝缘状况，现场测试可按4.7.1的步骤进行。4. 7.1 试验步骤4.7.1. 1 在合闸状态分别测量三相整体（包括绝缘提升杆和套管）的tano和电容值（此项测量在需要时进行）。4.7.1.2 在分闸状态，测量每只套管和灭弧室的tano和电

7、容值，当测得的tano值超出试验标准或与以前比较显著增大时，应进行分解试验，l!P:a）落下油箱或放去绝缘油（指油箱无法落下者）使灭弧室露出油面，如tano明显下降者，则是绝缘油和油箱绝缘围屏绝缘不良：b）如tano无明显下降变化，则应擦净油箱内瓷套表面再试，如tano明显下降则是套管脏污：c）如tano无明显变化，则可卸去灭弧室的屏罩再试，如tano明显下降，则是屏罩受潮，否则拆卸灭弧室：d）如拆卸灭弧室后tano明显降低，则说明灭弧室受潮，否则说明套管绝缘不良。4.7.1.3 使用M型介质试验器时，分别在合闸与分闸状态下测试有功功率CmW）的差值，以确定绝缘的部位：合闸毫瓦值与分闸同相的两

8、套管毫瓦值的和之差，此差值为正值时，说明提升杆和导向板受潮：差值为负值时，说明灭弧室受潮或脏污。4.7.2 试验标准35 DL/T 474.3-2006 多油断路器的非纯瓷套管和断路器的tanb值（%）标准见DL!f596规定。按4.7.1.3的步骤试验时，毫瓦差值在9mW以内者为合格，差值在士（9mW16mW）范围内时尚可使用。若差值超过士16mW，则应立即处理，不能继续使用。5 现场测量的干扰影晌和消除方法5.1 电场干扰被试设备周围不同相位（如A、B、C三相）的带电体与被试设备不同部位间存在电容祸合，这些不同部位的糯合电容电流（干扰电流）沿被试品和电桥测量电路（正、反、侧接线）流过，形成

9、电场干扰，对现场tanb的测量造成误差。由于被试设备结构不同，其受电场干扰情况也不同。5.2 电场干扰影晌的消除方法5.2.1 屏蔽在部分停电的现场，对可能受到邻近带电物体电场影响的被试品，特别是直接与电桥连接的暴露的被试品电极，在可能条件下用内侧有绝缘层的金属罩、铝销等加以屏蔽，屏蔽罩（韬）接地，以减少电场干扰的影响。5.2.2 选相倒相法对于干扰电源和试验电源同频率时，可以利用选相倒相法，通过计算的方法消除干扰电流对被试品从高压端、中间电容屏或末端电容糯含的影响。一般情况下，测量时将电源正、反倒相各测一次即可，若作反接线测量，且测得的tan注15%时，应将电源另选一相测试，使tanb运15

10、%为止。当tan10%时，实际tan可简略地按下式计算：m丘R32阳高R3,tan82 j R3l -R32 I (7) 凡凡R3,I 一一一一一一一| A 2凡R32J 式中：tan bi , tan bi一一倒相前后的tanb;R31、R32一一倒相前后的R3值。应用选相倒相法所引起的误差在一般高压电桥允许的误差范围内。5.2.3 干扰平衡法5.2.3.1 原理当干扰源特别强，利用特制的可调电源加到桥体上，可以消除干扰对电桥平衡和对测量的影响。图17为以反接线为例在R3臂上加反干扰源测量tanb的原理图。qQ ZTI专E 反干扰源图17RJ臂加反干扰源原理图36 DL/T 474.3-20

11、06 在西林电桥的R3臂并接一个特制可调的电源（反干扰电源，电动势丘，内阻Zs），首先，IZslIR3I,反干扰源的并接，不影响干扰电流j、J、J的分布又因为有一L R _!_IZ4I，所以反干g4 o OJCX 3 i.汇n扰源电流i，主要是流过矶和Z4臂，P:i, = i,3 如果电桥R3及R4臂正好置于试品真实tant5对应位置，调节且，使之满足：则因而=0 法接好线（不加试验电源） 是Ca端和E端，或者是Cx端和估计的测量值位置上（例如，试口 R3预调得越替罪甜、电流“幅值”，电桥的两次电容测量值为：R. 1 C -2x一一一一：.:.l元nR; l+tant5 R; R. 1 C=C

12、 一一一一c:-c.：.：皂及BR; 1 +tan, t5日R; 它们分别正比于1:x和I：。检流计指示值，其相位，使检流37 DL/T 474.3-2006 VwiV 。”。吨3、llLPliJ- 图18用移相电源消除干扰u. 图19用移相电源时的电流中目量图, +c f R ( I 1 I 被试品的实际电容值（正比于fc:x）为：C”二. _.!.CI-:-一A 2 2 l R; R;) 找出相应于夹角为零的移相器位置的方法如下：在图18中将B与D短接，并将R3放在最大，此时干扰电流I及由电源供给的被试品电流Ix均流过检流计G，它们的路径由图Ljl虚线箭头所示。调节移相电源的相角和电压幅值

13、，使检流计指示为最小，此时即表示上述夹角接近零。断开电源，保持移相电源相位，拆除BD短路，正式开始测量，将电压升至所需电压，若K在正、反位置下的tan值相等即说明移相效果良好。用移相法测试操作比较复杂。5.2.5 异频法通过改变试验电源的频率为47.SHz和52.SHzC或45Hz和55Hz），利用高压电桥原理，并运用离散付里叶变换等算法，将SOHz干扰信号从测试信号中分离。5.2.6 其他有利用光纤传递信号，隔离高压，抗外电场干扰等其他h1t.。5.3 磁场干扰当电桥靠近电抗器等漏磁通较大的设备时可能会受到磁场干扰。通常，这一干扰主要是由于磁场作用于电桥同路所引起。为了消除1扰的影响，一般可

14、将电桥移iJJJ置（约数米）, t!P叮移到磁场干扰较小或影响范围以外。若不可能，贝lj也可以在检流计极性转换开关处于两种不同位置时将电桥平衡，求得每次平衡时的试品介质损失角及电容值。然后再求取两次的平均值未消除磁场干扰的影响。5.4 其他影晌因素5.4.1 其他影响因素有：a）电桥配套的标准电容器BR一16绝缘受潮：b）电桥接线插座的屏蔽不良：c）被试I日l与电桥的连接电缆（屏蔽线）长度坦过！Om:d）被试物电极的绝缘电阳和杂散电容。5.4.2 消除方法高压电桥应定期校验，试验时保证接线完好，不受潮：被试物周围的杂物应予清除。38 CONm足寸皂、闻自lF寸与阳、固自国人民共电力行业标准现场绝缘试验实施导则和华中DL/T 474.1 DL/ T 474.5 - 2006 * 中国电力出版社出版、发行http:/) 100044 （北京三里河路6号航远印刷有限公司印刷2006年9月北京第一次印刷136千字4.5印张* 16开本2006年9月第一版880毫米1230毫米印数0001-4000册* 定价19.00元版权专有翻印必究（本书如有印装质量问题，我社发行部负责返换）A书号155083 1472 统销售分类建议：规程规范155083.1472