GB T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法.pdf

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1、ICS 77.040.99 H 17 道昌和国国家标准11: -、中华人民G/T 26074-2010 错单晶电阻率直流四探针测量方法Germanium monocrystal-Measurement of resistivity-DC linear four-point probe 2011-01-10发布2011-10-01实施事立码1M伪中华人民共和国国家质量监督检验检夜总局中国国家标准化管理委员会发布G/T 26074-2010 前言本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC 2)归口。本标准由南京中错科技股份有限公司负责起草。本标准参加起草

2、单位:北京国晶辉红外光学科技有限公司、云南临沧鑫圆错业股份有限公司。本标准主要起草人:张莉萍、焦欣文、王学武、普世坤。I GB/T 26074-2010 错单晶电阻率直流四探针测量方法1 范围本标准规定了用直流四探针法测量错单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍错单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍错单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为1X10-3n. cmlX102 n. cm。2 方法原理测量原理见图1。排列成一直线的四探针垂直压在半元穷大的试样平坦表面上。外探针1、4间通电流I(A)，内探针

3、2、3间电压U(V)。在满足一定条件下，四探针附近试样电阻率p，可用公式(1)及公式(2)计算:p=2J于. ( 1 ) 11 , 1 1 1 一1l=f一+一一一一一一一一一一;-)飞IIl3 II十l2l2 + l3 J ( 2 ) 式中:1-探针系数;II 探针1、2间的距离，单位为厘米(cm); h 探针2、3间的距离，单位为厘米(cm); l3 探针3、4间的距离，单位为厘米(cm)。恒流源电压表图1囚探针法示意图1 GB/T 26074-2010 3 设备和仪器3. 1 电磁屏蔽间为了消除邻近高频发生器在测量电路中可能引入的寄生电流，电阻率测量必须在电磁屏蔽间内进行。3.2 恒温恒

4、湿设备保证电阻率测试间内的温度能稳定在仲裁温度23.C :1: O. 5 .C内，相对湿度l，D16S时，F的有效精度在2%以内。6 精密度6. 1 本标准测量错单晶电阻率的重复性优于:!:10%。6.2 本标准测量错单晶电阻率的再现性优于土10%。7 试验报告试验报告应包括如下内容:a) 测量设备说明;b) 试样的编号及说明;c) 测量方法;d) 测量电流;e) 探针间距和探针压力;f) 试样室温电阻率;g) 试样电阻率标准偏差;h) 本标准编号;i) 测试者;j) 测试日期。S/D 0.070 0.075 0.080 0.085 0.090 0.095 O. 100 GB/T 26074-

5、2010 Fz 4. 348 4. 322 4.294 4.265 4.235 4.204 4.171 ( 5 ) 5 DEN-叮hOCNH目。华人民共和国家标准错单晶电阻率直流四探针测量方法GB/T 26074-2010 国中 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销* 印张O.75 字数11千字2011年6月第一次印刷开本880X12301/16 2011年6月第一版祷16.007巳如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533定价书号:155066. 1-42613 GB/T 26074一2010打印日期:2011年6月29日F002