GB T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶.pdf

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1、ICS 29.045 H 82 道B中华人民共和国国家标准GB/T 26072-2010 太阳能电池用错单晶Germanium single crystal for solar cell 2011-01-10发布数码防伪中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会2011-10-01实施发布中华人民共和国国家标准太阳能电池用错单晶GB/T 26072-2010 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销导开本880X 1230 1/16 印张0.5字数9

2、千字2011年7月第一版2011年7月第一次印刷晤书号:155066 1-42615定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 26072-2010 目。昌本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC 2)归口。本标准由云南临沧鑫圆错业股份有限公司负责起草。本标准由南京中错科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草。本标准主要起草人:惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武。I GB/T 26072-201

3、0 太阳能电池用错单晶1 范围本标准规定了太阳能电池用错单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。本标准适用于垂直梯度凝固法CVGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用错单晶滚圆棒。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 5252 错单晶

4、位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法GB/T 26074 错单晶电阻率直流四探针测量方法3 术语GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4 要求4. 1 分类错单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。4.2 牌号错单晶棒的牌号表示按GB/T14844的规定。4.3 外形尺寸错单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，如客户对外形尺寸有特殊要求，供需双方另行商定。直径直径及偏差长度表1176.2 76.2土0.2二?!50单位为毫米骨100100士0.2二三501 GB/T 26072-2010 4.4 电学性能错单晶棒的电学性

5、能应符合表2规定。导电类型P n 4.5 晶向及偏离度表2载流子浓度/cm-3二主1XI017 ?lXI017 错单晶棒的晶向取向为:向偏土0.50;向偏卢:!:O.500 4.6 外观质量错单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm2的崩痕或崩边，棒体表面无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。4. 7 位错密度和分布要求4.7.1 位错密度不同规格的错单晶按位错密度分为两个级别，用A级、B级表示，单晶棒的位错密度应符合表3的规定。表3级别A级B级位错密度/C个/cm2)500 500-3 000 4.7.2 分布要求在单晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘内不允许出现超过1mm长的位

6、错排或面积超过0.5 mm2的位错团。如在晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的。5 试验方法5. 1 导电类型检测按照GB/T1550或者GB/T4326规定的测量方法进行测量。5.2 外形尺寸检测用精度为0.02mm的游标卡尺进行测量。5.3 外观质量用目视法进行观察和测量。2 GB/T 26072-2010 5.4 电阻率检测按照GB/T4326或者GB/T26074规定的测量方法进行测量。5.5 载流子浓度检测按照GB/T4326规定的测量方法进行测量。5.6 单晶晶向及晶向偏离度检测按照GB/T1555规定的测量方法进行

7、测量。5. 7 位错密度检测按照GB/T5252规定的测量方法进行测量。6 检验规则6. 1 检验和验收6. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准(或订货合同)的规定，并填写产品质量证明书。6. 1. 2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批每根错单晶棒作为一个组批。6.3 检验项目及取样首先对每个组批进行导电类型、外形尺寸及外观质量的检验，然后在合格的每根单晶棒的头尾部各切一片(晶片)进行电阻率、载流子浓度、晶向及晶向偏离度的检验，从

8、尾部切一片进行位错密度和分布的检验，检验项目、取样及判定依据见表40表4序号检验项目取祥规定要求条款号试验方法规定1 导电类型4.1 5. 1 外形尺寸1根2 4.3 5.2 (单晶棒)3 外观4.6 5.3 4 电阻率2片4.4 5.4 5 载流子浓度(由1根单晶棒头和尾部4.4 5.5 6 晶向及晶向偏离度所切的单晶片4.5 5.6 1片7 位错类型和分布(由1根单晶棒尾部所切的4.7 5. 7 单晶片)OFON-NhOCNH目。GB/T 26072-2010 检验结果的判定6.4 若以上检验项目中有任何一项检验不合格，则判定该批产品不合格。标志、包装、运输和贮存7 包装、标志7. 1.

9、1 错单晶棒用聚苯烯(泡沫)逐棒包装，然后将经过包装的晶棒装入包装箱内，并装满填充物，防止晶棒松动。7. 1. 2 包装箱外侧应有小心轻放飞防潮、易碎、防腐等标识，并标明:a) 供方名称、商标;b) 产品名称、牌号;c) 产品批号、单晶根数及重量(毛重/净重)。7. 1 运输、贮存产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。产品应贮存在清洁、干燥的环境中。每批产品应有质量证明书，写明:供方名称、地址、电话、传真;产品名称及规格、牌号;产品批号;产品净重及单晶根数;各项参数检验结果和检验部门的印记;本标准编号;出厂日期。7.2 7.2. 1 7.2.2 7.2.3 a) b) c) d) e) f) g) 订货单内窑本标准所列错单晶棒的订货单内容应包括下列内容za) 产品名称;b) 牌号;c) 链形、尺寸、杂质含量等特殊要求;d) 净重和件数;e) 本标准编号。8 究一元峻mM句，-nudqaA-nu 权L-4侵-1v侃侃一有四一专臼一恨包一批血书一定GB/T 26072-2010 打印日期:2011年8月2日F002