GB T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片.pdf

《GB T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片.pdf（12页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、ICS 29.045 H 80 喧嚣和国国家标准11: ./、中华人民GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells 2011-01-10发布2011-10-01实施暂且码防伪中华人民共和国国家质量监督检验检痊总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 26071-2010 目。吕本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC 2)归口。本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆

2、基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司。本标准主要起草人:楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹。I GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片1 范围本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注

3、日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1552 硅、错单晶电阻率测定直排四探针法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 2828. 1 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 142

4、64 半导体材料术语GB/T 25076 太阳电池用硅单晶GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法3 术语GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1 结痕saw marks 在线切割过程中产生于硅片表面的切割痕迹。4 要求4. 1 产晶分类硅片按导电类型分为p型、n型两种类型;按外形可分为准方形和圆形两种。4.2 规格准方形硅片按其边长分为125mmX 125 mm、156mmX 156 mm，或由供需双方商定规格。圆形硅片按直径或对角线长度尺寸分为150mm、156mm、165mm和200mmc 1 GB/T 26071-2010 4

5、.3 技术参数4.3.1 硅片厚度及允许偏差硅片厚度、厚度偏差等几何尺寸参数应符合表1的规定，如用户有特殊要求时，由供需双方商定。表1硅片厚度、厚度偏差和几何参数单位为微米硅片厚度及允许偏差总厚度变化弯曲度翘曲度TTV bow Warp 160土15180士20200土20 0.5-6 :(15 二三10n 0.5-20 :(20 二三604.3.3.3 电学性能参数如有特殊要求，由供需双方商定。4.3.4 晶向偏离4.3.4.1 准方形和圆形硅片晶向偏离度不大于3004.3.4.2 准方形硅片四个边缘晶向为:1:2飞准方形硅片相邻两边的垂直度为900士0.30。4.3.5 表面质量硅片表面质

6、量应符合表5的要求。3 GB/T 26071-2010 表5硅片外观及表面质量项目缺陷限度线痕深度三二20m裂纹/鸦瓜元硅片边缘每片不超过2个，宽最大到0.5mm，深0.5mm崩边/缺口孔洞色差5 试验方法5. 1 硅片的导电类型测量按GB/T1550进行。5.2 硅片的电阻率测量按GB/T1552或GB/T6616进行。5.3 硅片的径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。5.4 硅片的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行。5.5 硅片的少数载流子寿命测量按GB/T26068进行。5.6 硅片的直径测量按GB/T14140进行。5. 7 硅片的外型尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具

7、进行。元元明显色差5.8 硅片的表面质量在430lx650 lx光强度的荧光灯或乳白灯下进行。5.9 硅片厚度及总厚度变化按GB/T6618的规定进行。5. 10 硅片翘曲度按GB/T6620的规定进行。6 检验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。6. 1.2 需方可对收到的产品按订货单进行检验，若检验结果与本标准(或订货单)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批每批应由相同尺寸和相同电阻率范围硅片组成。6.3 检验项目硅片检验的项目有:导电类型、晶向

8、及晶向偏离、电阻率范围、径向电阻率变化、晶体完整性、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、表面质量、外形和几何尺寸，其中晶体完整性、少数载流子寿命和氧、碳含量由供方提供单晶棒的检测数据。6.4 抽样及检验结果的判定硅片抽样按GB/T2828.1正常检查一次抽样方案进行，具体的抽样项目、检查水平和合格质量水4 GB/T 26071-2010 平见表6所示，或由供需双方商定。表6检测项目、栓查水平和合格质量水平序号检验项目检查水平合格质量水平(AQL)1 电阻率范围E 1. 0 2 径向电阻率变化E 1. 0 3 晶向偏离E 1. 0 4 厚度偏差E 1. 0 5 总厚度变化E 1. 0 6 翘曲度E

9、1. 0 7 直径及直径偏差E 1. 0 8 导电类型5-2 0.01 9 晶向5-2 0.01 线痕深度E 1. 0 裂纹/鸦爪E 1. 0 硅片边缘E 2.5 10 硅片外观及表面质量崩边/缺口E 1. 0 孔洞E 1. 0 表面质量E 1. 5 累计2.5 7 标志、包装、运输、贮存7. 1 标志、包装7. 1. 1 产品用聚苯烯(泡沫)等具有防震动、防碰撞的包装盒叠片包装，然后将包装盒装入包装箱，并在包装盒、箱内填满具有减震作用的填充物，防止晶片和包装盒松动。特殊的包装要求由供需双方商定。7. 1. 2 包装箱外应标有小心轻放、防腐飞防潮字样或标志，并注明:a) 需方名称、地点;b)

10、产品名称;c) 产品毛重、净重;d) 产品件数;e) 供方名称。7.2 运输、贮存7.2. 1 产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，且应采取防震、防潮措施。7.2.2 产品应贮存在清洁、干燥环境中。7.3 质量保证书每批产品应附有产品质量保证书，注明:5 GB/T 26071-2010 a) 供方名称;b) 产品名称、规格;c) 产品批号;d) 产品片数;e) 各项检验结果及检验部门印记;f) 本标准编号;g) 出厂日期。8 订货单内容订购本标准所列产品的订货单应包括下列内容za) 外形和尺寸;b) 型号;c) 数量;d) 本标准编号;e) 其他。6 OFON-FhoNH因。华人民共和国家标准太阳能电池用硅单晶切割片GB/T 26071-2010 国由t晤中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销* 印张0.75字数12千字2011年7月第一次印刷开本880X 1230 1/16 2011年7月第一版* 16.00 7G 如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-42616定价GB/T 26071-2010 打印H期:2011年7月27H F002