GB T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法.pdf

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1、ICS 29.045 H 80 毒国中华人民共和国国家标准GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法Practice for shallow etch pit detectioo 00 silicoo 2011-01-10发布数码防伪中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局中国国家标准化管理委员会2011-10-01实施发布中华人民共和国国家标准硅晶片上浅腐蚀坑栓测的测试方法GB/T 26066-2010 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销 开本

2、880X 1230 1/16 印张0.5字数8千字2011年6月第一版2011年6月第一次印刷祷书号:155066. 1-42668定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010) 68533533 GB/T 26066-2010 剧昌本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会CSAC/TC203/SC 2)归口。本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。本标准主要起草人z田素霞、张静雯、王文卫、周涛。I GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法1 范围本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成

3、的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测(111)或(100)晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001.0. cm。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 14264 半导体材料术语3 术语和定义GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4 方法提要抛光片或外延片的某些缺陷经过热氧化和择优腐蚀后通过显微镜观察显示出浅腐蚀坑，并用图表确定和记录腐蚀坑的程度。5 意义和用途5. 1 高密度腐蚀坑(104个/cm2)表明硅晶片上有金属沾污，

4、其对半导体器件加工过程是有害的。5.2 本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。6 干扰因素6. 1 腐蚀过程中产生的气泡和腐蚀前不适当的清洗表面会影响观测结果。6.2 腐蚀液使用量不够会影响观测效果。6.3 择优腐蚀过程中严重的硅片沾污可阻止p型硅(525 2575 75100 11. 3. 4 调节放大倍数，在视野内可看到100个浅腐蚀坑，记录浅腐蚀坑的个数，如果在最大放大倍数下在视野内看到多于100个浅腐蚀坑，记录浅腐蚀坑密度太高无法计数。11. 3. 5 用载物台测微器测量视场直径到大约1mm，计算视场面积，单位为平方厘米(cm2)。11. 3. 6 数并记录视场内浅腐蚀坑的数目，能

5、确定并能单个区分的腐蚀坑作为一个缺陷计数，聚集或重叠的缺陷不计。11.3. 7 用腐蚀坑数目除以视野面积，计算浅腐蚀坑密度，单位为(个/cm2)。11. 3. 8 如果在多个位置计数，用浅腐蚀坑密度的和除以计数位置的数目，计算硅片的平均浅腐蚀坑密OFON|oNH阁。GB/T 26066-2010 度，单位为(个/cm2)。精度和偏差12. 1 精度:本方法只用于由浅腐蚀坑产生的宴覆盖区域和浅腐蚀坑密度的定性评估，方法的实验室间数据不能用于得出方法的重复性和再现性。12.2 偏差:没有评价这种非强制性方法偏差的标准。12 报告13. 1 报告包括以下信息:a) 测试日期，操作者;b) 硅片批号;c) 测试硅片的标志(包括硅片名称、型号、晶向、直径、生长方法和背表面条件hd) 每片测试硅片的雾的水平;e) 用图表表示高密度浅腐蚀坑的位置和分布。若评估浅腐蚀坑密度，表示计数位置。13.2 如果在一片或多片硅片上评估浅腐蚀坑的密度，也要报告每片测试硅片的信息:a) 测试中使用的放大倍数;b) 浅腐蚀坑的平均密度;c) 如果在多个位置计数，浅腐蚀坑的最大和最小密度。13 究刷一元市面。，-nudaA哇-nu权L-Ah侵丁祷创一有囚一专臼一权?-r版非一剧GB/T 26066-2010 打印日期:2011年8月4日F002