GB T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范.pdf

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1、ICS 29.045 H 80 量昌中华人民共和国国家标准GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范Specification for polished test silicon wafers 20门-01-10发布数码防伪中华人民共和国国家质量监督检验检亵总局中国国家标准化管理委员会2011-10-01实施发布GB/T 26065-2010 目。昌本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会CSAC/TC203/SC 2)归口。本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司。本标准主要起草人:宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧。I GB/

2、T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范1 范围1. 1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。1. 3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI24(硅单晶优质抛光片规范。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 155

3、0 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 2828. 1 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法GB/T 6624 硅

4、抛光片表面质量目测检验方法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 12964 硅单晶抛光片GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 14264 半导体材料术语YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法SEMI24 硅单晶优质抛光片规范ASTM F1526 表面金属含量测量3 术语和定义GB/T 14264中界定的术语和定义适用于本文件。GB/T 26065-2010 4 要求4. 1 产晶分类根据硅片直径大小将硅单晶抛光试验片划分为:小直径硅片和大直径硅片。其

5、中，小直径硅片分A、B、C三个级别;大直径硅片分机械试验片和工艺试验片。另外，本标准还定义了线宽为0.18m或O. 13m的200mm和300mm硅试验片规范，具体分类如表l所示。表1硅单晶抛光试验片分类项目小直径硅片大直径硅片直径范围/mm主三125二三150产品类别A级、B级、C级机械试验片工艺试验片O.lSm或).13m线宽的200mm和300 mm硅试验片4.2 小直径硅抛光试验片规格A级、B级和C级硅抛光试验片必须包含表2中列出的各项规格项目，表3为小直径硅单晶抛光试验片详细规范要求。表2小直径硅单晶抛光片分类及必须包含规格项目列表等级生长方法直径品向i 厚度取向基准i边缘轮廓|表面

6、沾污!表面缺陷!导电类型|掺杂剂电阻率A级、JJ J 、J、J、JJ 、/、J飞/、JB级、J、/、/.J 飞、J、JJ C级、/、/、J.J 飞、/、J注、/表示砖单晶她光试验片中必须包含的规格项目，表示该试验片可以不包含的规格项目。表3小直径硅单晶抛光试验片规范技术要求项目A级B级C级1. 0 一般特性1. 1 生长方法用户规定用户规定用户规定1. 2 品向用户规定用户规定用户规定1. 3 导电类型用户规定不规定不规定1. 4 掺杂剂用户规定不规定不规定1. 5 FQA、边缘去除距离不规定不规定不规定2.0 电学特性2. 1 电阻率用户规定用户规定用户规定2.2 径向电阻率变化(RRG)可

7、选可选可选2 GB/T 26065-2010 表3(续)技术要求项目A级B级C级2.3 电阻率条纹不规定不规定不规定2.4 少子寿命不规定不规定不规定3.0 化学特性3.1 氧含量不规定不规定不规定3.2 径向氧含量变化不规定不规定不规定3.3 碳浓度不规定不规定不规定4.0 结构特性4.1 位错蚀坑密度元位错蚀坑可选不规定4.2 滑移线无滑移线可选不规定4.3 系属结构元系属结构可选不规定4.4 孪晶无孪晶可选不规定4.5 被涡元游涡可选不规定4.6 浅蚀坑元浅蚀坑可选不规定4.7 OISF 可选可选不规定4.8 氧沉淀不规定不规定不规定5.0 硅片制备特性5. 1 硅片E标志可选可选不规定

8、5.2 正面薄膜可选可选不规定5.3 洁净区可选可选不规定5.4 非本征吸除可选可选不规定5.5 背封可选可选不规定5.6 退火可选可选不规定6.0 机械特性6. 1 直径偏差/mm50.8 mm 士0.38士0.51土0.7676.2 mm 土0.51士0.64土1.27 100 mm 士0.20土0.50士1.00 125 mm 土0.20土0.50土1.00 6.2 主参考面尺寸/mm50.8 mm (平边长度)12. 70 19.05 12. 7019. 05 12.70-19.05 76.2 mm(平边长度)19. 0525. 40 19.05-25.40 19.05-25.40 1

9、00 mm(平边长度)30-35 28-37 28-37 125 mm(平边长度4045 38-47 38-47 3 G/T 26065-2010 表3(续)技术要求项目A级B级C级6. 3 主参考面方向1l0土201l0士2。1l0士2。6.4 副参考面长度不规定不规定不规定6.5 副参考面位置不规定不规定不规定6.6 边缘轮廓GB/T 12964 GB/T 12964 可选6.7 厚度/m50.8 mm 24 1. 3317. 5 228.6-330.2 203.2-330.2 76.2 mm 342.9-419.1 330.2-431. 8 304.8-457.2 100 mm(SEMI

10、 M1. $) 505-545 500-550 475-575 100 mmSEMI M1.的605-645 600-650 575-675 125 mm 605-645 600-650 575-675 6.8 厚度变化(TTV)不规定不规定不规定6.9 品向用户规定可选不规定6. 10 弯曲度而ow)不规定不规定不规定6.11 翘曲度(Warp)不规定不规定不规定6.12 峰-谷差不规定不规定不规定6.13 总平整度不规定不规定不规定6.14 局部平整度不规定不规定不规定7.0 正面化学性质7.1 表面金属沾污纳(Na)可选不规定不规定铝(Al)可选不规定不规定错(Cr)可选不规定不规定铁(

11、Fe)可选不规定不规定镇(Ni)可选不规定不规定铜(Cu)可选不规定不规定镑(Zn)可选不规定不规定钙(Ca)可选不规定不规定8.0 正表面目检特性8.1 划伤不规定不规定不规定总长度1 不规定2.2 径向电阻率变化CRRG)不规定不规定2.3 电阻率条纹不规定不规定2.4 少子寿命不规定不规定3.0 化学特性3.1 氧含量不规定不规定3.2 径向氧含量变化不规定不规定3.3 碳浓度不规定不规定4.0 结构特性4.1 位错蚀坑密度/C个/cm2)硅片元副参考面N型硅片与主参考面顺时针成45。士5P型硅片与主参考面顺时针成90士5。N型硅片与主参考面顺时针成135。士5。6.6 边缘轮廓GB/T

12、 12964 6.7 厚度/m150 mm 675士20675土20200 mm(缺口或者平边725土20725土20300 mm 775土20775土206.8 厚度变化(TTV)不规定不规定7 GB/T 26065-2010 表5(续)技术要求项目分类工艺试验片机械试验片6.9 品向(直径0.20m)不规定200 mm 0.20m)不规定300 mm 0.20m)不规定8.5 1占污/区域无区域沾污不规定8.6 崩边元崩边不规定8.7 边缘裂纹元边缘裂纹不规定8.8 裂纹、鸦爪无裂纹、鸦爪不规定8.9 火山口(弹坑状)缺陷无火山口缺陷不规定8.10 凹坑元凹坑不规定8.11 沟槽无沟槽不规

13、定8. 12 小丘元小丘不规定8.13 桔皮无桔皮不规定8. 14 刀痕无刀痕不规定9.0 背面特性9.1 崩边无崩边不规定9.2 粗糙度不规定不规定8 G/T 26065-2010 表5(续)技术要求项目分类工艺试验片机械试验片亮度(光泽度)9.3 150 mm/200 mm 不规定不规定300 mm 二80%二主80%9. 4 局部光散射体不规定不规定9.5 划伤(宏观) 1. 3 导电类型p 1. 4 掺杂剂棚1. 5 边缘去除距离/mm3 2.0 电学特性2.1 电阻率/(n.cm) O. 550 2.2 径向电阻率变化(RRG)不规定2.3 电阻率条纹不规定2.4 少子寿命不规定9

14、GB/T 26065-2010 表6(续)项目p型试验片3.0 化学特性3. 1 氧含量不规定3.2 径向氧含量变化不规定3.3 碳浓度不规定4.0 结构特性4. 1 位错蚀坑密度不规定4.2 滑移线元滑移线4.3 系属结构元系属结构4.4 孪晶无孪晶4. 5 派涡不规定4.6 浅蚀坑不规定4.7 OISF 不规定4.8 氧沉淀不规定5.0 硅片制备特性硅片E标志5.1 200 mm 用户规定300 mm 5.2 正面薄膜不规定5.3 洁净区不规定5.4 非本征吸除不规定5.5 背封不规定5.6 退火用户规定6.0 机械特性6.1 直径/m200 mm 200士0.2300 mm 300士0.

15、26.2 主参考面尺寸/m200 mm(主参考面直径)195.5士0.2300 mm 元平边参考面6.3 切口深度(mm)/切口取向1. 00-1. 25 /110士106. 4 边缘轮廓GB/T 12964 6. 5 厚度偏差/m标称厚度:1:256.6 厚度变化(TTV)不规定6.7 品向土1deg 6.8 弯曲度(Bow)不规定10 GB/T 26065-2010 表6(续)项自p型试验片6.9 翘曲度(Warp)不规定6.10 峰-谷差不规定6.11 总平整度不规定6. 12 局部平整度不规定7.0 正面化学性质7.1 表面金属沾污a 8.0 正表面目外观性8.1A 划伤(宏观)累计长

16、度元宏观划伤8.1B 划伤(微观)累计长度0.10X直径8.2 蚀坑元蚀坑8.3 雾元雾8.4 局部光散射体b 8.5 沾污/区域元区域沾污8.6 崩边无崩边8.7 边缘裂纹元边缘裂纹8.8 裂纹、鸦爪无裂纹、鸦爪8.9 火山口(弹坑状)缺陷无火山口缺陷8.10 凹坑无凹坑8.11 沟槽无沟槽8. 12 小丘无小丘8.13 桔皮元怯皮8.14 刀痕元刀痕8. 15 杂质条纹无杂质条纹8.16 1占污无沾污9.0 背面特性9.1 崩边元崩边9.2 裂纹、鸦爪无裂纹、鸦爪9.3 沾污无沾污9.4 刀痕元刀痕9.5 沾污元1占污9.6 粗糙度不规定光亮度9.7 200 mm 不规定300 mm 9.

17、8 划伤(宏观)总长度不规定11 GB/T 26065-2010 表6(续)项目p型试验片9.9 划伤(微观总长度不规定9.10 局部光散射体不规定10.0 边缘条件用户规定注1:用户规定，是指该项目的规范要求必须由用户给出。注2:不规定，是指在本标准中不对该项目做出强制性定义，如果客户对该项目有要求，则由客户给出规范。注3:可选，是指对于相应级别的试验片，该项目可供用户选择，并由用户给出相关规范要求。a根据硅片供应商的正片的清洗流程来清洗试验硅片，可以控制表面金属沾污到一定的程度。因此，对于测试片表面的金属沾污参数，并不需进行筛选。表面金属指标有特殊要求的硅片请参考SEMI24硅单晶优质抛光

18、片规范。b根据硅片供应商的正片的清洗流程来清洗试验硅片，可以控制LLS到一定的程度。因此，对于测试片表面的LLS参数，并不需进行筛选。表面LLS参数指标有特殊要求的硅片请参考SEMI24硅单品优质抛光片规范。5 测试方法5. 1 导电类型测量按照GB/T1550进行。5.2 电阻率测量按照GB/T6616进行。5.3 径向电阻率变化测量按照GB/T11073进行。5.4 晶向的测量按照GB/T1555进行。5.5 参考面长度的测量按照GB/T13387进行。5.6 主参考面晶向按照GB/T13388进行。5. 7 晶体完整性检验按照GB/T1554进行。5.8 抛光片表面氧化诱生层错按照GB/

19、T4058进行。5.9 直径测量按照GB/T14140进行。5. 10 间隙氧含量的测量按照GB/T1557进行。5. 11 厚度和总厚度变化的测量按照GB/T6618进行。5. 12 翘曲度测量按照GB/T6620进行。5. 13 弯曲度测量按照GB/T6619进行。5. 14 平整度测量按照GB/T6621进行。5.15 表面质量检验按照GB/T6624进行。5.16 边缘轮廓的测量按照YS/T26进行。5.17 局部光散射测量按照GB/T19921进行。5. 18 表面金属含量测量按照ASTMF1526进行。6 检验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门

20、进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质GB/T 26065-2010 量保证书。6. 1. 2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批硅单晶抛光试验片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号相同规格的抛光片组成。6.3 检验项目6.3. 1 每批抛光片抽检检测项目包括:厚度、电阻率、表面特性、晶向、参考面长度及位置、总厚度变化、翘曲度、弯曲度、直径、导电类型等。6.3.2 其他项目如需检验，由供需双方协商确定。6.4 抽检方法及检验结果的判定6.4. 1 每批产品如

21、属非破坏性测试项目，检测按GB/T2828. 1的一般抽样方案进行，合格质量水平(AQL)值由供需双方协商决定。6.4.2 如属破坏性测试项目，检测按GB/T2828.1特殊检查抽样方案进行，合格质量水平(AQL)值由供需双方协商决定。7 包装、标志、运输和贮存7. 1 按照合同或订单中需求方的要求，材料的生产厂或者供货方在发货时，应提供本规范生产和检验的材料的合格证书及其检测报告。7.2 硅单晶抛光试验片应在超净室内装入专用的抛光片包装盒，外用洁净的塑料袋和铝筒袋双层包装密封。每个抛光片盒上应贴有产品标签。标签内容至少应包括:产品名称、规格、片数、批号及日期。片盒装入一定规格的外包装箱，采取

22、防震、防潮措施。7.3 按本标准提供的硅片，应在每个包装箱或者其他容器以及每个片盒的外面贴上相应的标签。7.4 包装箱外侧应有小心轻放飞防潮气易碎等标识，并标明:a) 需方名称，地点;b) 产品名称、规格;c) 产品件数及重量;d) 供方名称。7.5 运输、贮存7.5. 1 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。7.5.2 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。7.6 需求方对合格证书、包装、贮存等有特殊要求时，应由供需双方商定。7. 7 质量保证书每批产品应附有产品质量保证书，注明za) 供方名称;b) 产品名称，规格;c) 产品批号;d) 产品数量Fe) 各检验项检验结果;

23、f) 出厂日期。13 GB/T 26065-2010 8 订货单内容本标准所列材料的订货单应包括下列内容:a) 本标准编号;b) 产品名称;c) 产品批号;d) 数量;e) 生长方法;f) 直径;g) 晶向;h) 厚度;取向基准;表面特性;k) 导电类型;1) 掺杂剂;m)电阻率;n) 其他。14 EON-oNH阁。国华人民共和国家标准硅单晶抛光试验片规范GB/T 26065-2010 白，* 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销 印张1.25 字数28千字2011年7月第一次印刷开本880X12301/16 2011年7月第一版每书号:155066. 1-42667 21. 00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533定价GB/T 26065-2010 打印日期:2011年8月9:J F002