GB T 12963-2009 硅多晶.pdf

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1、ICS 29.045 H 82 和国国家标准11: ./、中华人民GB/T 12963-2009 代替GB/T12963-1996 2009-10-30发布硅多EI 日日Specification for polycrystalline silicon 中华人民共和国国家质量监督检验检技总局中国国家标准化管理委员会2010-06-01实施发布GB/T 12963-2009 目。吕本标准修改采用SEMIM16-1103: 2003(多品硅规范)，主要差异如下:二二增加了技术参数，如对基磷、基棚电阻率、碳浓度和n型少子寿命的等级要求;增加了硅多品尺寸范围要求。本标准代替GB/T129631996(

2、硅多晶。本标准与GB/T12963一一1996相比，主要有如下变动:一一一基磷电阻率等级由300n. cm、200n. cm、100n. cm修订为500n. cm、300n. cm、200n. cm; 一一增加氧化夹层术语。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨肩半导体材料厂。本标准主要起草人:罗莉萍、张辉坚、王炎。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:一一-GB/T12963-1991 GB/T 12963-1996 0 I 硅多1 范围EI 日日G/T 12963-2009 本标准规定了硅多品

3、的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1553 硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验方法G

4、B/T 4060 硅多品真空区熔基棚检验方法GB/T 4061 硅多品断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 13389 掺棚掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 14264 半导体材料术语ASTM F1723 用区熔拉品法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准规程3 术语GB/T 14264规定的及以下术语适用于本标准:氧化夹层oxide lamella 硅多品横断面上呈同心圆状的氧化硅夹杂。4 要求4. 1 产品分类4. 1. 1 产品按外形分为块状硅多品和棒状硅多品，根据纯度的差别分为3级。4. 1. 2 牌号硅多品的牌号表示为:阿拉伯数字表示硅多晶等级英文大写字母表示硅多品形状，1表示棒状，

5、N表示块状表示硅多品4.2 技术要求4.2. 1 电学参数硅多品的纯度分为三级，其金属杂质总含量由供需双方协商解决，其电学参数应符合表1的规定。GB/T 12963-2009 表1硅多晶电学参数硅多晶纯度等级项目1级品2级品3级品基磷电阻率/(.0 cm) 二三500二三300二三200基跚电阻率/(.0 cm) 二三3000 二三2000 二三1000 碳浓度/(at/ cm3) 25 mm,-, 50 mm的占重量的15%-35%; (3) 50 mm- 100 mm的占重量的65%。4.2.2.3 棒状硅多品的直径及长度尺寸由供需双方商定。其直径允许偏差5%(针对棒状多品。4.3 结构硅

6、多品应元氧化夹层。4.4 表面质量4.4. 1 硅多品表面结构应致密、平整(断面边缘颗粒不大于3mm)。4.4.2 (免洗的)块状硅多品的表面应经过酸腐蚀去除表面沾污，使其达到直接使用要求。所有硅多品的外观应无色斑、变色，元可见的污染物。5 测试方法5. 1 硅多晶导电类型检验按GB/T1550测试。5.2 硅多晶基磷电阻率检验按GB/T4059测试。5.3 硅多晶基棚电阻率检验按GB/T4060测试。5.4 n型少数载流子寿命测量按GB/T1553测试。5.5 硅多晶碳浓度测量按GB/T1558测试。5.6 硅多品氧化夹层检验按GB/T4061测试。5. 7 棒状硅多品的直径用游标卡尺测量，

7、块状硅多品的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验。5.8 硅多晶的表面质量用肉眼检查。6 检验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。6. 1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起3个月(块状硅多品为一个月内向供方提出，或由供需双方协商解决。6.2 组批产品应成批提交验收，每批应由同一牌号、具有相同标称纯度和特性，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的反应炉次的硅多晶组成。GB/T 12963-2009 6.3 检验项目每批产品应进行基磷电阻率、基棚电阻率

8、、n型少数载流子寿命、碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验。6.4 取样与制样6.4. 1 供方取样、制样时，基磷电阻率、基棚电阻率取样、制样按GB/T4059、GB/T4060进行，断面氧化夹层取样、制样按GB/T4061进行。6.4.2 仲裁抽样方案由供需双方商定，取样部位和制样按7.4.1进行。6.5 检验结果判定若检验结果有一项不合格，则加倍取样对不合格的项目进行复验。若仍不合格，则该批产品为不合格。7 标志、包装、运输和贮存7. 1 硅多晶经过一定方式洗净、干燥后，装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封，然后再将包装袋装人包装箱内。块状硅多品每袋净重为2000g士20g、5000 g :l:

9、50 g、10000 g :l: 100 g。棒装硅多品每根单独包装。包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并按最佳放法提供良好保护。7.2 包装箱外应标有小心轻放及防腐、防潮字样或标志，并说明:a) 需方名称;b) 产品名称、牌号;c) 产品件数、净重;d) 供方名称。7.3 每批产品应附有质量证明书，注明:a) 供方名称;b) 产品名称及牌号;c) 产品批号;d) 产品毛重、净重;。各项检验结果及检验部门印记;f) 本标准编号;g) 出厂日期。7.4 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。7.5 产品应贮存在清净、干燥环境中。8 订货单内容订购本标准所规范产品的

10、订货单内应包括下列内容:a) 产品牌号;b) 本标准编号;c) 其他。goN|的NFH阁。国华人民共和国家标准硅多晶GB/T 12963 2009 中* 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销讲印张0.5字数7千字2009年12月第一次印刷开本880X 1230 1/16 2009年12月第一版争夺定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-39571 GB/T 12963-2009 打印日期:2010年3月26日F047