SJ 20527.3-2001 微波组件 WFZ816A型压控振荡器详细规范.pdf
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1、华FL 5962 Microwave assembly detail specification for SJ 20527/3一2001model明FZ816Avoltage controlled oscillator 2001-12-27发布2002-01-01实施中华人民共和国信息产业部批准可中华人民共和国电子行业军用标准微波组件WFZ816A型压控振荡器详细规范Microwave assembly detail specification for model WFZ816A voltage controlled oscllator 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了WFZ816A型压
2、控振荡器(以下简称振荡器)的详细要求。1. 2 适用范回本规范适用于振荡器的研制、生产和采购。1. 3 绝对最大额定值绝对是大额定值如下g贮存温度g-5585 c, 场效应管工作电压:-15 V; 电调电压0 20V. 1. 4 推荐工作条件推荐工作条件如下2工作温度-40 10 c, 场效应管工作电压:VFET=-12V; 电调电压zVT=2 9V. 2 引用文件GJB 150.3-86 军用设备环绕试验方法高温试验GJB 150.4-86军用设备环境试验方法低温试验GJB 179A-96 计数抽样检验程序及表GJB360A一%电子及电气元件试验方法SJ厅11073-96SMA型射频向轴连接
3、器SJ 20527-95 微波纽件总规范SJ 20803-2001微波电路压控振荡器测试方法3 要求3. 1 详细要求中华人民共和国倍思产业部2001-12-27发布SJ 20527 /3-2001 2002-01-01实施1 . SJ 20527/3-2001 本规范规定的振荡器各项要求应符合SJ20527和本规范的规定设计、结构和材料要求设计、结构和材料应符合SJ20527第3.4和本规范的规定3. 2. 1 外形结构和尺寸振荡器的外形结构和尺寸如图I 3.2 hO喇归J2t0.2 归国响归。咽h45t0.2 剧。喇日Ja主0266企0.5外形结构和尺寸图13.2.2接口振荡器输出接口为S
4、MA-JFD,其技术特性应符合SJ厅l1073的规定。3.2.3 质量振荡器的质量应不大于200g. 电特性振荡器电特性如表I 3.3 . 2 一 r 序号特性符号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 3.4 最小输出频率/min 最大输出频率/mu 带宽BW 输出功率P。功率平坦度M 电调灵敏度Ktv 电调线性度Ltv 频率温度系数f 功率温度系数相位噪声(fm) 杂波抑制比Rr, i青波抑制比R1n 推频系数llf Ill v 负载牵引标志振荡器的标志如下:产品型号、名称:a /J.ftd b. c 制造单位名称或商标g检验批识别代码:d. 接口标志。4 质量保
5、证规定4. 1 抽样和检验SJ 20527/3-2001 表1电特性条件测试方法(除另有规定外,SJ 20803 -40c运TA运10c 咋ET-12 V, VT 2 9V) 5.1 5.2 5.3 5.4 5.10 5.11 5.7 TA=25 c 离我频100kHz 5.6 5.5 TA=25 c 5.8 5.9 负载电压驻波比为3.0,rA=25 c 抽样和检验应按SJ20527和本规范的规定。4.2 筛选规范值单位最小最大9300 MHz 9700 MHz 400 MHz 40 mW 1 dB 80 100 MHzN 1.3 0.4 MHz尸C0.035 dB/C -70 dBc/Hz
6、 -70 dBc -30 dBc 0.5 MHzN 35 MHz 在鉴定和质量一致性检验前,全部振荡器应按SJ20527的4.10和本规范表2规定进行筛选25。CF电特性应符合表1的第17项规定。4.2. 1 电老炼电老炼电路框图见图2o电老炼条件:VFET:-12 V: VT: 为中心频率(j飞)的电调电压。3 一一工作电压4.2.1.1 电老炼条件VFET -12 V: zz 筛选项目外观和机械位查2 25 c下电特性3 电老炼4 25。C下电特性5 低温屯特性表l第19J页6 高温电特性表1第l9l页4.3 鉴定检验电调屯压被测件SJ 20527/3-2001 频率计定向鹅合器(IOdB
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