GB T 29306.2-2012 绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法.第2部分:谐振法.pdf
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1、-J. 回EICS 29.035.01 K 15 道昌中华人民共和国国家标准GB/T 29306. 2-2012 绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法第2部分:谐振法Recommended meth创sfor tbe determination of the diel配tricpropert悔。finsula伽gmaterials at frequencies above 300 MHz一Part 2: Resonance methods (lEC 60377-2: 1977 ,MOD) 2012-12-31发布:m J叫v中华人民共和国国家质量监督检验检夜总局中国国家标准化管理委
2、员会2013-06-01实施发布GB/T 29306.2-2012 目次前言.1 引言.n 1 范围-2 规范性引用文件.3 试验装置.4 试样25 试验步骤.26 测得数据的计算.3 7 试验报告.3 附录A(规范性附录谐振器.10 A.1 凹形空腔式.10 A.2 同轴谐振器.12 A.3 腔谐振器.13 A.4 开腔谐振器.16 A.5 光学谐振器. . 17 GB/T 29306.2-2012 前GB/T 29306(绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法分为以下几个部分=第1部分z总则z一一第2部分z谐振法。本部分为GB/T29306的第2部分。本部分按照GB/T1. 1-
3、2009给出的规则起草。本部分修改采用IEC60377-2: 1977(绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法第2部分z谐振法。本部分与IEC60377-2: 1977相比,主要技术变化如下z一-增加了第2章的规范性引用文件,章条号相应做了调整z一一删除了IEC60377-2: 1977附录A中涉及的IEC60377-3(lEC元原文。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由全国电气绝缘材料与绝缘系统评定标准化技术委员会(SAC/TC301)归口。本部分起草单位z桂林电器科学研究所、西安交通大学、机械工业北京电工技术经济研究所。本部分主要起草人z王先锋、曹晓珑、郭丽平、陈俞慧、李卫、阳
4、哗、刘亚丽。I G8/T 29306.2-2012 I 本部分所叙述的测量方法包括了谐振器的使用。所叙述的谐振器主要由一个给定横截面的传输线段组成,这一传输线段两端被短路在间距为半工作波长的任意整数倍。当试样插入谐振器时,工作波长就改变了。为了重建谐振,需要相应地改变频率或变化谐振器的长度,Q值的相应改变可测量出试样的介电性能。谐振法与其他试验方法相比,其显著的优点在于它有极高的无载Q值,采用适宜的波形和良好的设计可以得到这一Q值E采用这种技术,能测量非常低损耗因数的试样。因此通常利用这种方法的优点,用谐振器解决特殊的测量问题(频率、试样形状和介质性能。为了避免试验结果不明确,有必要仔细地检查
5、电场构型。因此谐振器必然是一种窄频带装置,其试验频率由谐振器内试样数量、形状、介电性能和位置所决定。常用谐振器有以下几种z腔种类频率范围试样形状备注编号凹形空腔100 MHz-1 GHz 圆板形A.1 E,lO 同轴谐振摞1 GHz-3 GHz 管形A.2 空腔(闭合的1 GHz-30 GHz 圆板形、棒形A.3 开腔3 GHz 圆板形A.4 光学谐振器30 GHz 板形、片形,5 A. 5 注E频率和电容率的限定值只是近似的,假如损耗因数或电容率的测量灵敏度允许降低的话,则可超过限定值见GB/T 29306.1-2012第4章).各种谐振器及其相应的测试方法以及计算在附录A中作了比较详细的讨
6、论。E 1 范围绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法第2部分:谐振法GB/T 29306的本部分规定了以谐振法测定绝缘材料介电性能的试验方法。GB/T 29306.2-2012 本部分适用于以谐振法测定微波频率范围即从约300MHz一直到光频)中固体、液体或熔融状介质材料的相对电容率、介质损耗因数和与此有关的量,如损耗指数。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1409-2006 测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电
7、容率和介质损耗因数的推荐方法(IEC60250 :1 969 , MOD) GB/T 29306. 1-2012绝缘材料在300MHz以上频率下介电性能测定方法第1部分z总则(IEC 60377-1:1973 ,MOD) 3 试验装置谐振试验装置的主回路图见图1,试验装置的组成如下z3. 1 一台足够功率能提供所要求的频率发生器。在整个所要求的频率范围内,频率可以是人工调节,也可以是自动调节(一个扫频源)。注1,扫频发生器与显示装置(见3.2.2)结合使用,便于快速试验。操作时应注意,使显示的谐振曲线的形状不受过高扫描速度影响.输出功率可调并要求自动控制(ALC)。注2,用于固定频率测试的人工
8、调频发生器将具有足够的工作稳定度,通常小于或等于1ppm的频率稳定度就够了.注3,为了避免频率牵引,建议在频率发生器和回路之间插入一个隔离器或衰减器.为了避免假的谐振,谐波含量应小于1%。3.2 一个在试验频率下有足够灵敏度的检测器,各种形式的这种检测器都可用来与人工调频或自动调频的发生器接在一起。3.2. 1 由于固定频率测试的检测器将具有足够的工作稳定性,元论是有放大或没有放大的二极管伏特计,还是用自动调频或不用自动调频(AFC)的能将发生器输出调到微波频率或低频率的接收装置,都能用作检测器。注1,通常,宽频带的检测器使用起来比较方便,因为这种检测器不用调到发生器频率,而且谐振装置能够充分
9、的辨别出外界的微波干扰.但是,应注意检测器的输入电平是较低的,并且在微波频率下屏蔽是有效的,但在低频下就不一定有效z因此,一个受环境干扰的区域必须要有一台已调好的接收装置.在任何情况下,应该注意避免可能由电子设备的电源线和互相连接的波导管的屏蔽而形成的接地回路.1 GB/T 29306.2-2012 注2:显示出两个输入之商(即z谐振器的输出和频率发生器的输出之比的接收装置是有利的,因为它避免了频率发生器输出功率变化所造成的误差。3.2.2 应采用具有扫描测量的显示装置,由于它只显示谐振器的检波输出,所以任何有足够灵敏度的普通用途的示波器都可使用。注z因为双踪示波器(交替式工作消除了由于发生器
10、输出变化所造成的误差,所以优先采用。3.3 一台在工作频率范围内有足够分辨率的频率计。3.4 一个3dB标准衰减器或一个可变标准衰减器。3.5 一台在所要求的频率下谐振的谐振器。注z商业上不可能有一种谐振装置在任何测试问题上都能得到最佳试验结果,因此应对这些谐振器的结构绘出一5. 1 试样插入谐振器中建立谐振,然后记下所调谐的数值(分别为频率fL或长度lL)。5.2 采用使谐振器失谐的办法或改变频率的办法测出有试样谐振器的半功率宽带8人,然后从下式求出有试样谐振器的品质因数QL:Q-4-tL L-8fL - 8lL 5.3 将试样从谐振器中取出,按照5.1再次谐振这时数值分别为fu或lu)0
11、5.4 按照5.2确定无载谐振器的品质因数z2 Q一fu_ lu 一一一u 8fu 8lu 注1:对谐振器的加稿与去搞将不影响任何一次调谐所测出的半功率宽带.注2:采用半功率点II和l2或者11和12的平均值可提高谐振调谐值t或f的测定精度.l=斗主8l=ll-l2 f=常数_f1+1 f一一亏.:!.1_8f=f1一f2l=常数GB/T 29306.2-2012 注3:当测量低损耗试样,被测定的两个Q值只有很小的差别时,采用平方定律检测器的输出,精度可以提高,而且步骤可以简化.例如其中一个Q值是已知时,则zJZ 式中g81、82一一分别为相应于品质因数Q1、岛的伏特表的偏转。若检测器上的谐振
12、电压矶和民用一个校正过的可变衰减器来保持恒定,则zQ2 =Q1 10Al20 式中zA=(1gU2一19U1)是用dB表示的所要求的衰减增量,衰减器应给出衰减量A的精度至少为0.1dB. 5.5 所有测量应在温度偏差不超过士2C的情况下进行,除非对温度的影响可以校正到具有足够的精度。6 测得数据的计算测得数据按附录A所叙述的各特殊试验装置的说明进行计算。7 试验报告试验报告应给出下列情况z一一绝缘材料的型号、名称和交货形式z一一-取样方法、试样形状、尺寸和取样日期,对试样接触面处理的情况z一一试样的条件处理方法和时间z一一一试验期间温度、相对湿度和试样温度;一一所用的测量装置和试验方法z一一外
13、施微波电源z一外施频率或自由空间波长3-外施波的波形(试样优选的一个轴线相对于外施电场方向配置的情况); 一一-相对电容率(平均值); 一一介质损耗因数tan或介质损耗指数E飞(平均值h一一试验日期。3 GB/T 29306.2-2012 5 -胃、一_町、-说明g / / / / / F /jj J 一/4 说明21一一通道孔F2一一接到示波器53一一主测徽计s4一一搞合环$5一一金属软劈腔z6一一试样z7一一-侧测微计。GB/T 29306.2-2012 圄2回腔谐振器(示意圄)5 GB/T 29306.2-2012 说明21一-滑动插头E2一一接自发生器$3一一接示波器F4一一试样.(c
14、m!s) 2 40 30 J) 10 。4 圄3同轴谐振器1(2=饷z一乙3 。1(2=作,2固4(/0. dO)2模式固=圆柱形空腔最下面的10个振荡器模的前四种震荡的/(K)6 3 说明zI一一试样,2一一藕合膜片。a) 空腔谐振器说明21-一一试样z2一一捐合环.b) TMol0空腹谐振器圄5空腔谐振器GB/T 29306.2-2012 TEo披导管输入2 7 GB/T 29306.2-2012 H1I EOl 8 H21 Hol Hll E1I EZl 固6固柱形空腔谐振器某些次型渡的瞬时电场构形和截止擅长Modes Hlmn Hlmn.modes 型波H1I 巳1HZl HOl H3
15、1 E21 Hu H12 Eo2 E31 HS1 H22 Z) 2 3 Jdo 1. 706 27 1. 308 38 1. 028 62 0.81989 0.747 78 0.611 72 0.59079 0.58026 0.560 12 0.49239 0.48968 0.46846 0.447 81 1. 4 1. 2 1. 0 0.2 230 生一一+do -I I 固7在圆柱形空腔谐振器上各种E1皿和盹m波形的波形因敢对穿透深度(由于趋肤效应造成关系圄.r 说明1一一接自振荡器z2一一短路板s3一一夹架54一一接到检波器55一一试样.说明1一一试样32一一平面反射器.R -GB/T
16、29306.2-2012 图8开腔谐振器2 接到检波器接自发生器以平面反射器上糯合到谐振器固9半共焦谐振器9 GB/T 29306.2-2012 A.1 凹形空腔式附录A规范性附录谐振器A. 1. 1 凹形空腔谐振器用于100MHz-1 000 MHz的频率范围,适合于测试低电容率(e:r10)的圆板形试样(见图2)。A. 1.2 工作原理凹形空腔谐振器主要由一段固定长度的同铀传输线组成。其两端被短路,借助于靠近中心导体下端的一个可变集中电容器装载试样。注s这个电容器在作用相当于GB/T1409-2006第5章所说的测微电容器,该电容器与一段传输线连接起来,形成一个包括该电容器本身在内的谐振回
17、蹄。谐振频率借助于传输线的长度、特性阻扰以及测微电容器的有效电容来确定。A. 1.3 设计J 在外直径与内直径之比接近于3.5时(Zo:=:750),谐振器可得到最佳性能。为了避免波导波形d, Mdo+d,) 的激励,平均圆周长应小于最短工作波长,即:2 M do+d,) min .-u 2且对于一个给定的总长度(l,+l2+的,空谐振器的谐振频率盹可从下式近似计算而得到z.( 1 ) 4h ,., do 1. (1)rlrl2 一一一=60ln2ltar14i+tan一:2l . . . . . . . . ( 2 ) re:Od -_. do飞c,. C I 测微电容器的真实电容应借助于一
18、个已知电容率的试样校正来确定,例如采用熔融石英、99.9%的纯氧化铝、聚四氟乙烯等试样,它们的直径d.比中心导体的直径d,至少小试样厚度的两倍。除非进行扫频测量,否则测微电容器应该在谐振器的整个工作频率范围内的各个频率下进行校正,此测微电容器可使谐振器至少在低频半功率点上失谐。为了建立对谐振器的恒定藕合,把捐合环插到上端,采用金属波纹管避免了与可移动的中心导体之间的滑动接触。A. 1. 4 试样试样是直径为d.的圆盘形平板。d.:s.d,一岛,式中24 中心导体的直径zh.一一试样的厚度,试样的两表面应是平的,并且彼此平行,不平行度应小于0.0500注g有两种方法测试试样za) 在测微电容器上
19、取空气隙为(h1-h.),并且试样上不加电极.用该方法测定相对电容率时,因试样厚度测定的不准确性而造成的误差被减小了.由于这种影响精确到一级近似值是与(Er-l)成比例,当测电容率较低的试样肘,其测量精度大大提高了.对于低损耗材料,由于不存在不可控制的接触电阻,所以本方法应优先采用.b) 测量电容率Er5的试样时,建议采取一种适当的标准化技术,使试样两个平的表面金属化,试样夹在测微电容器的两个电极之间,测量低损耗试样的介质损耗因数应采用方法a) 10 A. 1.5 数据计算A. 1. 5. 1 测量的量试样直径d.; 试样厚度h.; 有载谐振器的谐振频率/L;有载谐振器半功率带宽afLl)或测
20、微电容器读数ft?及品质因数QL;有载谐振器的测微电容器的两电极之间的距离hL;试样除去后,在f1下恢复谐振时测微电容器的两电极之间的距离hu;试样除去后,半功率带宽af)或测微电容器读数r)及品质因数QuoA. 1.5.2 校正表上的读数电极之间距离为儿时的电容Cd电极之间距离为hL时的电容CLQ;若需要时z在频率/L时的半功率带宽lJfL对应于测微电容器读数r】z在频率fu=fL时的半功率带宽lJfu对应于测微电容器读数rreA. 1. 5. 3 计算和结果C一Eod!一so 4h. C.=rC回a) 假如电极不接触试样(空气隙距离为hL-h.): C皿=C回去h h. Er r 1 C、
21、=/CLo-Cu L(困,一1+h. hd ro :. ;, +h. 飞Cu-C+C so J I . L飞Cu一CL。十C回/ 品,一品Cr afL -afu anlJ= 1十E一一.!1 .一一一一一一飞rh. / C. fL GB/T 29306.2-2012 . ( 3 ) . ( 3a ) ( 4 ) . ( 5 ) 1, I hL-h. CT 1/Qu飞=l+E一一I0一o.: 一-11. . ( 6 ) 飞rh. / C. QL飞QL / b) 假如电极接触试样zcu-CLo+C回Er= C回( 7 ) 注z假如加在试样上的两电极的厚度a太大,以至于与试样厚度h.相比不能忽略时,
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