GB T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件.pdf
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1、圃唱ICS 3 1. 260 L 51 道E中华人民共和国国家标准GB/T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件General specification of semiconductor laser rangefinder 2012-12-31发布2013-06-01实施fh 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局也世寸附吧/中国国家标准化管理委员会I GB/T 29299-2012 目次E111223345556777777888888 断判格A口验uuu不试HUH或求求验HHHUUU格要验验要试UU川HUU合件性求u试试性求及志文求求应要u求求应要川则验验验目案标用义要要适
2、性要要适性规检检检项方首引定u术能境靠法术能境靠则般定式厂验样始装输志性和技性环可方技性环可规一鉴型出检抽包运标围范语求验验装5范规术要JJJJ试JJJJ检JJJJJJ包JJJJ=-EA结A哇A哇A古phupb俨bvbEUEU且u民u民URuq守甲前1234567I GB/T 29299-2012 前本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国光辐射安全和激光设备标准化技术委员会(SAC/TC284)归口。本标准负责起草单位=湖北华中光电科技有限公司。本标准参加起草
3、单位z孝感华中精密仪器有限公司、湖北富华精密光电有限公司。本标准主要起草人:J博、朱晓旭、程刚、张红坤、周泽武。回皿 / /刁-/ / / / ;/ -_- 、三/ _- / 扩GB/T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件1 范围本标准规定了半导体激光测距仪的要求、试验方法、检验规则、包装、运输和标志等内容。本标准适用于半导体激光测距类仪器。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单适用于本文件。GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分z按接收质量限(AQ
4、L)检索的逐批检验抽样计划GB/T 2829 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)GB/T 4857.5包装运输包装件跌落试验方法GB/T 4857. 10包装运输包装件基本试验第10部分=正弦变频振动试验方法GB/T 5080.1 可靠性试验第1部分z试验条件和统计检验原理GB 7247. 1 激光产品的安全第1部分z设备分类、要求和用户指南GB/T 10320 激光设备和设施的电气安全GB/T 12085. 2光学和光学仪器环境试验方法第2部分z低温、高温、湿热GB/T 12085. 7光学和光学仪器环境试验方法第7部分z滴水、淋雨GB/T 12085. 11 光学和光学仪
5、器环境试验方法第11部分z长霉GB/T 13384 机电产品包装通用技术条件GB/T 13739 激光光束宽度、发散角的测试方法以及横模的鉴别方法GB/T 15313 激光术语3 术语和定义3. 1 3.2 3.3 GB 7247.1和GB/T15313界定的以及下列术语和定义适用于本文件。激光测距仪laser rangefinder 用激光作光源对目标测距的光电仪器。半导体激光测距仪semiconductor laser rangefinder 用半导体激光作光源的激光测距仪器。最大测程maximum range 在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到
6、的最远距离。1 GB/T 29299-2012 3.4 最小测程minimum range 在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到的最近距离3.5 测距精度ranging accuracy 半导体激光测距仪测量的目标距离与标定的目标距离的误差。3.6 测距重复频率ranging repetition fr吨uency半导体激光测距仪每秒钟完成的测距次数.准测率measuring accu 激光测距仪达到规飞 3.7 距概率。 4 要求 : 4. 1. 1安全陪扩/ 、 hh 半导体删距仪的电气安全性应符合Whomoi激光安拿性应符合GB叫1的规定。4.1
7、.2重虱外观/ 、/ 半导体制测在仪的重量、外现翩合刚要求=/ / j!il lll a) 重晕、外瞩尺寸符合产品设计要求i;/ i U JJ b) 外观涂、钳层应牢固,不应有褪色、剥落和锈斑。相同涂、镀层颜色应南匀-A致;/ / c) 外观取应:j伤展口、缩瘪、尖利豁口、脱臻、扭曲等缺陷。/ / 4. 1. 3 血泪活府情草或 采波动范4. 1.4 反接保护、二=斗Jff二电源的极性在半导体激光测距仪上应有明显标志a半导体激光测距仪应具有反接保护功能,出现电源极性反接状态时,不应损坏。4. 1. 5 功能显示半导体激光测距仪显示内容应清晰明亮,且有如下显示功能zd 准备显示;b) 距离显示3
8、0 超测程显示zd) 电源低电压显示。4. 1.6 内部清洁度半导体激光测距仪内部清洁度应符合下列要求z2 . G/T 29299-2012 a) 光学系统不应有灰尘和沉积物pb) 内腔严禁异物s0 多余物应清除干净。4.2 性能要求4.2. 1 最大测程最大测程推荐按以下系列选用z50 m , 100 m、150m , 200 m , 300 m、500m , 800 m , l 000 m、1500 m、2000m、3000m、5000m、8000 m、10000m、15000m、20000m、25000m、30000m、30000m以上。4.2.2 最小测程500 m , 800 m ,
9、 l 4.3. 1 低温低温工作和低温贮存的严酷度等级,按GB/T12085.2中规定的等级选择。半导体激光测距仪在低温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求。150 m、200m、300m、半导体激光测距仪在低温环境试验后,恢复到GB/T12085. 2规定的大气条件,其基本性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列缺陷za) 胶合件脱胶、光学件破裂zb) 内部光学件表面结霜zc) 活动机构失灵、卡死或折断zd) 密封材料及表面处理层崩裂或起泡ze) 达到温度平衡后内部出现水汽或水痕F3 GB/T 29299-2012 f) 非金属的永久变形。4.3.2 高温高温工作和高温贮存的严酷度等级
10、,按GB/T12085. 2中规定的等级选择。半导体激光测臣仪在高温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求。半导体激光测距仪在高温环境试验后,恢复到GB/T12085. 2规定的大气条件,其基本性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列缺陷za) 润滑脂溢出,潦层脱落或起泡zb) 胶合件脱胶sc) 内部光学件表面有水汽或脂质流痕Fd) 显示功能失灵或部分失灵zd 电器元件或照明失效;f) 非金属的永久变形。4.3.3 淋商半导体激光测距仪的淋雨严酷度等级应符合GB/T12085. 7的规定。半导体激光测距仪经淋雨试验后,其性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列缺陷zu 内部进水或有水渍zb
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