GB T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶.pdf

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1、ICS 29.045 H 80 噩噩中华人民共和国国家标准GB/T 25075-2010 太阳能电池用碑化稼单晶Gallium arsenide single crystal for solar cell 2010-09-02发布2011-04-01实施量生饲/!j伪中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 25075-2010 目。自本标准按照GB/T1. 1一2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会CSAC/TC203/SC 2)归口。本标准起草单位:中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本

2、标准主要起草人:曾一平、赵有文、提刘旺、崔利杰、向磊、普世坤。I GB/T 25075-2010 太阳能电池用呻化嫁单晶1 范围本标准规定了太阳能电池用呻化嫁单晶棒(以下简称碑化嫁单晶棒)的分类、技术要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于制造呻化嫁太阳能电池的呻化嫁单晶滚圆棒。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 8760

3、碑化嫁单晶位错密度的测量方法3 要求3. 1 分类呻化嫁单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。3.2 规格呻化嫁单晶棒按直径分为r50.8mm、r76.2mm、r100mm、rl50mm四种规格。3.3 外形尺寸碑化嫁单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，表中未列出外形尺寸及允许偏差由供需双方协商解决。晶棒直径允许偏差晶棒长度3.4 外观50.8 土0.4二三40表1外形尺寸76.2 土0.4二三50100 土0.4二，50单位为毫米150 :1: 0.4 二三60碑化嫁单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2m旷的崩痕或崩边。3.5 电学性能呻化嫁单晶棒的电学性能应符合表2的规定

4、。GB/T 25075-2010 表2电学性能导电类型电阻率迁移率载流子浓度。.cm cm2/V. S cm 3 n 0.1lX10-3 二三1000 5 X 1011 4 X 1018 p O. 315XlO-2 二三405 X 1011 5 X 1019 3.6 晶向及晶向偏离度碑化嫁单晶棒取向为:、，滚圆后的晶向偏离不大于O.50 (当客户对品向参数有特殊要求时由供需双方在合同中确定)。3. 7 位错密度和分布要求碑化嫁单晶棒的位错密度和位错类型和分布要求应符合表3的规定，当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。表3位错密度和分布要求直径50.毡p自.

5、2100 150 位错密度/C个/crn2 ) 2X 10 主豆4X103 lX 10 主三5X10 位错类型1)在晶棒的检测样片直径1/20的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过0.5 mm2的位错团。和分布要求2)如在品棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的。4 检验方法4. 1 外形尺寸用精度0.02mm的游标卡尺进行测量。4.2 外观用测量显微镜进行观察和测量。4.3 电阻率按GB/T4326规定的测量方法进行。4.4 迁移率按GB/T4326规定的测量方法进行。4.5 载流子浓度按GB/T4326规定的测量方法进行

6、。2 G/T 25075-2010 4.6 晶向及晶向偏差按GB/T1555规定的测定方法进行。4. 7 位错密度按GB/T8760规定的测量方法进行。4. 8 位错类型和分布在呻化嫁单晶棒位错密度测量合格后，按表3中的位错类型和分布要求用测量显微镜进行观察，如在晶棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则需再从晶棒检测样片位置向内延伸3 mm以上再切1片，进行位错坑腐蚀并用测量显微镜观察，以判断位错排或位错团是否向晶棒轴心方向延伸。5 检验规则5.1 检验和验收5. 1. 1 产品应由供方技术质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量证明书。5.1.2

7、需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若发现产品质量不符合本标准或合同要求时，应在收到产品之日起1个月内向供方提出，由供需双方协商解决。5.2 组批每根碑化锦单晶棒构成一个批。5.3 检验项目、规则及判据每根呻化嫁单晶棒首先进行外形尺寸、外观的险验;然后在合恪的每根呻化镜单晶棒头和尾各切一片晶片，将呻化嫁单晶棒头部所切品片按照表4的规定进行电阻率、迁移率、载流子浓度和晶向的检验，将碑化嫁单晶棒尾部所切品片按照表4的规定进行位错密度和位错类型及分布的检验;检验规则及合格判据见表4。表4检验项目、规则及判据检验项目要求条款号检验方法检验规则允许不合格数| 外形尺寸3.3 4. 1 1根(指单晶

8、棒)。外观3.4 4.2 电阻率3.5 4. 3 3块迁移率3.5 4.4 (指由1根晶棒头部所切晶片的圆心点、1/2半径点和1/3半径点。载流子浓度3.5 4. 5 上所取的3个测试样块)1块品向及晶向偏离度3.6 4. 6 (指由进行电性能测试晶片。剩余的部分所取的测试样块)位错密度3.7 4. 7 1片。位错类型和分布3. 7 4.8 (指由1根晶棒尾部所切的1整片晶片)3 G/T 25075-2010 5.4 不合格判定每批产品中有任何一项检验不合格，则判定批产品为不合格。5.5 不合格处置如果产品因不合格而被拒收，生产方应将该产品取回进行分析;若产品不合格是因晶棒的外形尺寸、外观等可

9、通过返工重新使之合格的问题所造成，则产品可经返工并检验合格后再予以重新交付。如果是因晶棒的电学性能、位错及晶向达不到产品标准或合同的要求，则该产品将不能重新交付，应由生产方重新提供合格的产品。6 标志、包装、运输和贮存6.1 标志、包装和质量证明6. 1. 1 包装袋上应有下到标志a) 产品名称Fb) 晶体型号、长度尺寸;c) 晶体编号。6. 1. 2 包装箱上应有下列标志a) 产品名称、型号、数量、发货日期;b) 需方名称、地址;c) 生产方名称、地址;d) 防潮、防震、防腐蚀及易碎标志。6.1.3 包装将经过清洗干净、检验合格的碑化嫁单晶棒放入特制的聚乙烯包装袋内，然后连同质量证明书一起装

10、入包装盒内，周围用塑料沫填充，防止移动相互挤碰，最后用胶带将包装盒封好。6. 1.4 质量证明书每根呻化嫁单晶棒应具备质量证明书，其上注明:a) 供方名称;b) 合同号;c) 产品名称、晶体型号、长度尺寸;d) 产品批号、晶体编号;e) 本标准编号;f) 各项参数检验结果和检验员印章及检验日期;g) 检验部门印章。6.2 运输及贮存6.2.1 产品在运输过程中应防止挤压、碰撞并采取防震、防潮等措施。6.2.2 产品应存放在清洁、干燥、元化学腐蚀的环境中。4 G/T 25075-2010 7 订货单内容订购本标准所列产品的订货单应包括下列内容:a) 产品名称;b) 规格;重量;d) 本标准编号;

11、e) 其他。5 GEN-的homNH阁。国华人民共国家标准太阳能电池用呻化镜单晶GB/T 25075-2010 和中每中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销晤印张o.75 字数10千字2010年10月第一次印刷1/16 2010年10月第一版开本880X 1230 当酝定价16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-40401 GB/T 25075-2010 打印日期:2010年11月9日F002