SJ T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法.pdf

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1、ICS 31. 260 L45 备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/ T 11399- 2009 半导体发光二极管芯片测试方法Measurement methods for chips of I ight emitting diodes 2009-11-17发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布龟, 、 嘎电气、啕. . - 、画了、 SJ/ T 11399-29 . . . - -:. . - . 、, ，、. . . 凰，一一， , , , ,-.、. -_. 一，, . 811 一血二工三. -、, T 、分会、厦门华联电子有限公司、杭州浙大古色-，.、., ,

2、 , , , . 、. . - . . ，一、，. 飞、. 二、.、 . . . 一., _-_ . , -.， . . 节二五、:_-._.-，子、-, 、- . ._ . -j. _:. .、- ，一.，. _.、E, , . . . . . :;注:fki-L二二. .:t 引川，言、:.:11:.主:-、飞-，(.扩.LED芯片测试方法主要涉及LED芯片的电、辐射度和光度及，色度学参数1包括正向电压、反向电流，?iJ:J色品坐标、李滋长、色纯度、光强度和光通最等:另外，LED热学参数如结温、热阻和静电l1i电测试方二二哥海良毡括人体模式和机器模式测试等在生产实践中也常用到。为进一步推进

3、和规范LED芯片现附和试验工作井和国外接轨，必须制定产业界切实有效的LED芯片测试方法的标准。、-量然LED芯，Jt测试的原理与巳封装带件类似，但是在测试的准确性、可重复性和可比对性方面仍然仔_:在许弩问题，因此本标准对芯片测试的关键部分作出了统一明确的规定，例如规定了探针台表面反射率、哩二.探针的直径、弹性和角度畴，同时标准还推荐了不同测试装置之间定标校准的方法，使芯片的测试可以士，在可推毛重复性好的情况下进行. ., 飞、二二、: f -实!.:，二;.:.:-J.!-. v_.叫，SJ/T 11399-29 、啕 , 、. , -. .峙， . Jr r .四J孟. . . , . .

4、、-. . ，可. . . . . . . . .、, , . . f. I . 龟一、. .1-.川. L .Y A . / 了，.-.芝?. _，;. .司肉、-i.i_ . _ _ . - .-二 .、., ，、._?:=乎-，:.i.:严.-.，-T、.:;俨,. _一-. f , ,- ,.! , _.t ._. ! _. _. .、- . I - ;,*, . 一年 _ - _ . -,f ，二. ,. . . . _ ，.-r;.、-.-:.-._.飞、._ -, . . _ . . -. - fL _. . . - . . .-、.1，.jh- ._.岛.-，.-噜E巳_，._

5、- - - . .、旬、，. _ . .一. . 守.一二，二， . .气- i. _. . ? ;. -:. . -勺，育a飞. .二 . ,. . . 电二._ . -,_ _ ._ - ，-.J . 二.-、，.7 . 0 ,. _ ._ . 、., -飞.二.-、二二:乏.飞士斗.汁;I.;护俨扩认可. _. . 二三_; .，-1矿, .岛.:-. - _. _，吨 . , . . . 气.一，, ，二、比.1 , ,. , .:. .-. -, .、二主. 、. 范围. . .- . . . . . .-一. 、牛，半导体发光二极管芯片测试方法二SJ/T门399-29本标准规定了半

6、导体发光之极管芯片(以F简称芯片)的辐射眩学、光度学色度学J电学、工热J学、参数以及电磁兼容性的测试方法。二本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片i盖处盘和组外光发光二段瞥芯片以及外延片，的测试可参考执行。二-二-.、2 规范性引用文件下列文件中的单(不包括勘误的内可使用这些文件的IDT) GB/T GB/T 11 GB/T 1565 5J/T 11 3 术语、GB/T 5698 3. 1 探针台由测试探针、4 I hIlll、啕J酌T、h、. 、: 其随后的修改的各方研究是否-、 、.-. . ,. SJ/T 1139&-29 电极在双侧的芯片应该商银浆串在贴在基舷上.保证芯片稳定，测试探针

7、接触良好-4.1.2.3功事芯片功率芯片应该安装在相同的金属必扳上.测试挺针.m在电极被上，保证按触ct好-4. 1. 3 驱动方式驱动和测量芯片时.可用以下两种方式2a) 恒定电流驱动稳态测试恩达到虫草定稳定度的恒流源点;Jf.芯片，恒定电流应在规定位的土以内It在规定的时间预热芯片.要求芯片自身发热及周围温度变化时对测定俄影响簸小.b 脉神电流驱动麟态测试使用脉冲电流驱动芯片.规定电流的脉7中宽度和占空比.Mc冲:MDr大于芯片纺温热平衡B.t问.在驱动脉iI持续期内快速测量芯片各项参数.输入脉冲频且恨和c5空比的允许偏徨爬在土2%以内.4. 2 测量条件除非另有规定，芯片的光电参数测结应

8、按本标准规定的条件迸行-4.2. 1 标准大气象件标准大气条件如下ga) 温度:15 C-35 C: b) 相对湿度:45%-75%, c)气Bi:86 kPa-106 kPa. 4.2.2 仲裁试验的标准大气条件仲裁试验的标准大气条件如下:a 温度:25 C:i I C; b) 相对湿度:48%-52%. e 气压，86 kPa-l06 kPa. 4. 2.3 环榄条件8) 测量Jf被应无影响测试准确度的机械振动、电磁革祖先烈得干扰，b) 除非另有规定.芯片全部光电参数均应在热平衡下进行要有足够测试预热的向), c) 测量系统J5tl.缘地良好.4. 3 测量没备测量设备的不确定度应符合相关

9、主题施的技术要求芥撞定合格=在拉定周期内.按有关喜作规章lJ挂行测量.S 龟自测定方法5. , 芯片电气淫锺将测试lltl在芯片的电板上或引出端上.完成与芯片的电气连续-5.2 .iE向电庞iE向电压的测最按SJ/T11394-20方法1001.5.3 皮肉电压反向II!.压冒l11itt直SJ/T11394-29方法1002.5. 4 6.向电流反向电槐树量u章SJ/T11394-29方法1003.5.5 总电容2 SJ/ T 11399-2009 目 , .龟, . . . . , . . 毛t芒?引._二.:引气亏:云兰乞亏纭，J;- ，二1飞:，:2左ftZ:二:i-.飞飞?飞= 二二

10、二:T伽.;I守-二主.，穴:飞飞飞二，-二.b.，?二气. 飞v二图司马，;. .: -、二二q盯-咂测芯片: . _.，龟，。气-电流源:二d-午被测锺件与光学显微镜探测筒口之间的距离.图2光学显微镜跚悔lltJA系统示意图:二二6.1.4:测量步.，二.寸，将町测试探针压在芯片的电极x或31出躏上，完成与芯片的电气连接。给被测芯片加上规定的电流，可I ;，.按规定时间预热茄，用光度测量系统测最芯片发光强度.: 6, t:5-:二规定条件J相关详细规范应至少规定如下条件zLiu7一环境温度和合适的大气条件:. -，-气革二二气一正向电流(稳态) :1吗一脉冲宽度和占空比瞬态); 一一预热时

11、间a, ，.f-丘._，二ILJ:汇6, 2 光iI量和光通量姓事二-JJff:干.:.如;二:-;二将测试探针压在芯片的电板上或引出端上，完成与芯片的的歧。iu;二:毛:LjkJ, 光通量和光通最效率剖量接SJ/T11394一2009中方法2003;6, 3 辐射通噩和辐射敢率-二， 、1 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接。辐射通量和辐射效率测量披SJ/T11394-2009中方法204，丘-6.4 崎值发射波长、光i曾带宽、相对光谱功率分布和童，心波长二二?、.-.:=:- 二. , , M . . . -. . . . _ . . . . . .u- . . .

12、 1、气，. r . ,. ._ . . . , , . . . 、. . . . , d . aa SJ/ T 11399-2009 _,.-. 、. . 4 川止，飞SJ/T 11399 将部试探针压在芯片白电提t或引出端c-完成与芯片的电吨连乱i.j;t;，: ，峰值发射波长、光谱带重和相对光滑功事分布测最接SJ/T1.1394-2009中j法2005.二重心波长测量时按sJ/:r妇3941740oq中方法2005我得被测LED相对光谱功率分布Sx(功，按下式计算得到撞串萝b波长飞二:_._0杂卢f卜沪:二:-; .:;二二二._;:二，二.JdJ?.;. . _s. 凰;.!-:;f斗

13、f:-.:义，. 、飞-二z二:.-主二二7二.丁.丁、忖，3缸t 丁飞三三.豆豆:3圣秘如拚三窍2三?二立;七仁:二予旦:乒烈步二失产古汇吨立;.:-;唁J.:._-:-，.导川丁j ，.町、T:-7 光电特性测量方法7. 1 芯片电气连接将测试探针压在芯片的电极上或号!出端上，完成与芯片的电气连接，7. 2 开关时间将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电子王连接。开关时间测量技SJ/T11394-2009中方法3001.也甘8 颜色特性测量方法.8. 1 芯片电气连接将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接.8. 2 包晶坐标色品坐标测量按SJ/T11394

14、-29中方剧。01何有法4002. .- -Cf _- . -. -.-:fl:. 注:费求翻最精应商、副量迫皮尤许慢的场合来用S.J月11394-2棚中方法4001;而要求快速测量则可采用5JfT忌毯飞15ZU.11394-2009甲方法4002.8. 3 主波长和剌激纯度主放长和剌激纯度测量按SJ/T11394一2009中方法4003。8.4 色差色占2测量按5J/T11394-2009中方法4004.9 芯片热学特性测量方法9. 1 芯片电气连接将测试探针压在芯片的电极上就51出端上，完成与芯片的电气连接-9. 2 结温芯片的结温测试与半导体发光二极管相同，见SJ月11394-20中方法

15、5001和5002.10 静电触电敏感性测试10. 1 芯片电气连接:将测试探针压在iS片的电报上或引出端土，完成与芯片的电气连接，10. 2 人体模式的静电放电敏感性测试对芯片进行人体模式的静电放电敏感性测浏阳IT11394-2009中方削001.10. 3 机器模式的麟电放电敏感性渭j域:对芯片进行机器模式的静电放电敏感性测试按S11TTJ3Q4-2009中方法02. 寻乐:.:iI: 附录:A乱川.(资料性附录)芯片发光强度测试系统校准程序.: :.;.: .￥ .二A. 1 总则平护芯片测试时，测试探针会梢光，以及通常发光强度测量因方法不同引进的误差都会影响芯片最后测斌的结果规定统一的

16、战准方法是测试结果一致性的保证.: -,J. f-.:按标准方法使用测.影响测试探针点亮志片的止.1ILZ.:二醉:、.A.l泣将此:刁:-二二:更芝辛三刁-三j!芦P击占漠棋辛得韧叫I衍1t:;.; J 二-令:二J.;二、飞、J二.:-.， . r: .也比可以，:-，:-:; f. 它表示.强度值为ld.-该公式可用d芯片测量校准原理;回l见. , - , 、, . . . 飞SJ/T 11399-2创那: . 句.、. , -E二、目，, . . 一.、飞r 飞, . , , .、片l发光强度读数值为lVI.假定里kpin是测试探针影响-e (真实)发光、27、，咱 , v An ，.

17、、 . . . . 、 .电.，-， 、t 、川. 飞飞、J 且, . . aJ, , .-.恤. , 子.L.e.、.a.卢罔嘎iL、I、-6、司Eth、 . ,phy- E 6 SJ/T 11399-一2009封装的己检视L芯片阁中:G-一一电流源;PI一一包括而积为A的光阑D，的光度探测桥;D.O，-一消除杂散光光栏.D，.D!不应限制探测立体角:d一一被测器件与光阑D，之间的距离.固A.1 芯片测量校准原理圈注:囱于芯片测试系统测量的不确定性，芯.参数之间的比较有困难，本附录的方法也可用于不间测试系统L类似产品之间的参数比对.7 、-、lhM M -.-p., . . - . a. a

18、e. . . . -. e., . -. . . . 、， . aEL . . ,. -.、Vaa-.,. aJv p.-1.,-a , ，.，、-e-, -i 币、.I u-Ea-e.! . , . 旷 . -P-、句，-. . JJ-. r 牛， , SJ/T 11399-2009 、. 、-_:、-. . 电. 也.-. . . . -、.俨. 同I ，民. . . . . . 、. . , . . 牛、-4ve -矿-J.-dFP二4-、-J,-. , -,. E，乌-.E ,.-z i-、-s-i-i气i、-、令、.6、.-J-( -6Fjt . . . 、. . . . . a、-、. . -.每罔句.- 叩旷-. , - , 气.-、-一 -今 .1 _ 臼 二可，.一一、，-.、. 一一一二，(噜.-8