SJ T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范.pdf

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1、ICS 31.260 L45 备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范2009-11-17发布Technical specification for power I ight-emitting diode chips 2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布二.、- , .飞L 一一 . 一F，.丽户、町、. .一二.、. 二-二，-、一.i一一, 运守SJ/T 11398-29 、. , . . -矗， . ，.飞，t . 、，、旬 r.!、-: . ,l 0 .矗1舍胃, . . .-气. , .一二.-. 一.、比

2、. . 再吨，. 一. , .1、.-，言. - 工 ._. 、.-: -、-、. . . . ,-4-二-二一.、.幅. _ :，:宝矿。， t. :.;也川、一一-一. , . , , , - 、。叼, . , -二_. -.飞-._-. ._-. , 、. . 、 . . .、., 、, . , : . . . , , . , 一.- t 、二， . . , SJIT 11398-2009 J , 坠，, 功率半导体发光二极管芯片技术规范. 1 范圄J 本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片的技术要求、检验规则和检验方法:芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定。2

3、 规范性引用文件下列文件中的修改单不包括勘误的内是否可使用这些文件GB/ T 4937. 1 GB/T 493 SJ/T 11 Sl/T 11 3 要求3.2.1 材料应采用能使芯片不开裂、不软化、不流动3.2.2 外形尺寸芯片的外形尺寸应符合相关详3.2.3 键舍区键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。3. 2.4 芯片的背衬材料(曹镀层芯片的青衬材料和推荐的芯片附着方法应在相关详细规范中加以说明，3.2.5倒装芯片的载体材料:倒装芯片的载体材料和推荐的附带方法应在相关详细剧范中加以说明-3.3 标志芯片上的标志应符合相关详细规范的规定-3. , 4 :、外观质量芯片的

4、外观质量应符合附录A的要求。、-3.5: 绝对最大额定值和特性. 飞, , 二.:-乎、 . . , 、-、e引用文件，其随后所有的1范达成协议的各方研究，应以相关.飞. ，由不起泡、,. .、. 牛，f .,_-, - : . . 户，, . , . -.,-.,. -. . , . L . - , . . SJ/T 11398-2009 . 、值定额大量对绝3.5.1 J 革E条号. . 符号数值、参数单位. . F簸小最大，3.5. 1. 1 贮存温度dT军UX _ X C 工作环填温度或3.5. L 2 T蛐次，、X 壳温Tc&、 3、5.:1.3烨接温度T.id X 规定最长得接时间

5、 s 言和/或ll!.霄壳的最小距离 mm . . 3.5. 1. 4 反向电压民 v 3: 5，1. 5 环境温度为25C下的直流lE向电流Ir 瓜40 , 3.5.1.6 环境温度为部下的峰值正向电流J阳 A 规定的脉冲条件下，)(适用时3.5. L 7 静电敏感咆压(适用时。气 V 一.-、咿， -. . ;. ;.:. 今.一., 、. h . . . - . 飞二3.5:2 光、电及色度特性芯片的光电皮包度特性应符合相关详细规范的规定- . - . . , . 3.5，3热特性考虑中。3.6，坏境适应性: :3;，:1.键合强度将芯片烧结在合格的封装外壳上，并按照芯片使用时的键合方式

6、进行键合，进行键合拉力试验，键合拉)J符合G8汀，4937-1995中116的要求。 . .飞: 叫 3, 6.2 剪切力将芯片烧结在合格的封装外壳上，进行剪切力试验，、剪切jj符合Gf)/T.4Q37771995中II7的要求。3.6.3 温度循环对封装后的样品，按地低和最高贮存温度进行空气-空气温度循环20次，试验后，性能参数符合表4的要求。.、3, 6.4 循环湿热(仅对空封器件J，: 对封装后的样品进行循环湿热试验，试验后v性能参数符合表4的要求。3.6.5 振动条件要求尊t条号特性符号令除非另有规定单位.E,J . 、簸小最大l.=25C 3. 5.2, 1 -正肉电压民1，按规定

7、V 咽/._ 、，、也3.5; 2. 2 反向电流h 按规定 A 3.5.2.3 发光强度成、元，按规定 cd 光通量!ll、lF按规定 1m 、光功率. If按规定 唱。:;? 主波长: A按规定 nm ，飞、，阳。而. L , . 一., . . .一、d. 2 对封装后的样品试验后，性能参数符合表4的要求.3. 6. 6 冲击 工工对封装后的样品进行冲击试验，试验后户牲，能参数符合衰4的要求。3. 6. 7 恒定加速度.(仅对空封蕾件).o._.:., 对封装盾的祥高进行恒定加速度试验y试验后，性能参数符合表4的，要求.3, 7 电耐久性将芯片进行封装;如电工作16Sh和.1.000 h

8、后，电性能符合表3和表4的要求o 3. 8 静电触电敏感度试验(适用时按照SJ/r11394-2009中规定的方法进行体模式静电放电敏感度分级试验，分级标准见附录B;丁飞. SJ/ T 11398-29 . .、-.、l- ， 5. 3.1 晶圆批从晶圃加工开始经5走向)纽工艺过程的品圆构成7个晶圆批，每个晶圆批Ei赣定一个能追溯到所有晶圃如王E步聘的识别代码。i5.3.2检验批，FY -m?- f t 田二、一个检验批由串的捷交检验的-个或多+晶困批中同一型号的芯片组成p工5. 4 抽样. - - - - -1;飞鉴定检验和质量致性撞撞的抽样应按本规革和租菜详细姐在的规定进行町，/.4 5.

9、 5 ;噩量新攫交1,. .吐2吁， ，守?川.、哺.仕#严F吁1f辛芋k.、甘余走47主r飞飞屹、, 、:. -t . i .1,1, q. .1. . ;t;o. . ，-， 4;. ，实非-hm 二苔 与且 t.*切卢舰二牛.气白，.，-4、. . - t A - 、句，._ 4 当提交鉴定检验和质量一致性检验的任检验批不符合要求时，应进行失教分析井确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选丽有效剔除的缺陷;或者该失效井不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验(接班倍样品量及合格判定数为零的方案的方法重新提交一次.重新提交的批不得与其他

10、的批相混.如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。5. 8 筛选在提交鉴定检验和质量-致性检验前，检验批的全部芯片应按表1的规定进行筛选，筛选可在晶圆，上进行，对不符合要求的芯片进行标识，芯片分离时剔除不合格品。剔除的芯片不能作为合格产品交货e. . .-SJ/ T 11398-29 , , , , , . . , 、, 、-、/ , 、勺r刊ufuA川rr，.顺.意任按可 -. . 10 幢验或试验自检特性测试正向电压阵反向电流发光强光通光功序号2 定规有条制除抽样方案方法章条号检验或试验20 (0) m录A(规程性附录放大20

11、倍v倍Al分组目俭20 (0) 1，按规定按规定必按规定品按规定J，按规定中9-m131343 -hnunUAU曲。nu- 15 999 V 无i , . .，1. 毛注:6.为空心或实心等腰=角形.-.且. 、.j . 人体模式静电触电敏感度分组及标志B_ 1 装. . - -, . . . . . , , . . , . ; ,., , . . 、 .、. . . 四. . . . . , . . . , . . . . V 一, . . .-,; /;, 1 , .肉、. , 啕._; - , -. . . . . . . . , . - -_.二， , . 1 J . . 、,. h

12、. . ;, , . . . . . . . . . . 、.、. 附，景C.1-, 资料性附隶).，-忐tF;二号.本规范参加单位-主本规斑白半导体照明技术标准工作组组织完成.本规范参加盖串的工作组成员单位有排名不分先. .-:-后;:.:.; 佛山市国星光电科技有限公司:;二;i，J拇洲1p;番浩商新科技开放有限公司z洞北立谑也子有，限公司i;二二王业和信息化部电于工业，_-J华南师范大学.光电子_?上海蓝来科技布:眼4二j;二二、合上海求最先电料也厦门大.学物理.、导.-,. tt-.二川，.-:.;、. 、J、，, , . . .-飞.二、-，吨，,. 、. - , ., . . , . . . . -，目/. . _-6 , , ., . . i . .、. - 一-. SJ/T 11398-2069-呛12