SJ T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉.pdf

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1、ICS 31 . 030 L90 备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/ T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉Phosphors for I ight emitting diodes 2009-11-17发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布SJ/ T 11397- 2009 . . 2 一-aard 撞、，h.IA 目飞，-h 、-J 、.，!二八.也J￥ ,- r ，、.恫一一旷r一、._ _ , -、乡、.才r-一._.- . ;. . - . - 、-J .,J - 户、, 、. . . . ., . . -. 缸、 ._ 、俨、 、-. . SJ

2、/ T 11397-2009 , E 目。. . 本标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F、附录G为规程性附录，附录H为资料性附录。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草。本标准起草单位:有研稀土新材料股份有限公司、浙江大学三色仪器有限公司。本标准参加单位t见附录H。本标准主要起草人:胡运生、庄卫东、牟同升、于晶杰、张万生。-, . 、. . . . 、咽. 斗J. . . . , , 、-4 ,. , -, 1 范围-. . , , , 半导体发光二极管用荧光粉SJ / T 11397-29 本标准规定了半导体发光二极管用荧光粉

3、相关的名词术语及其定义，还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求.3. 1 3.2 3.3 3.4 3. 5 GB/ T 4073 GB/ T 5838一相对亮度且在规定的激发条件下，i主:改写GB/T5838-1986，定义3.44.激发波长excitation wavel ength 4 激发荧光粉发光的Jt源的波长，单位:nm. 发射主蜡main emission peak 蛐荧光粉发射光谱中强度最大的波长。单位:nm . 外量子效率extrna 1 quantUI effic iency 皿引用文件，其随后所有的达成协议的各方

4、研究准.测定测定. 气、飞飞, . 、矿.e一SJ/ T 11397-29 F _.、., 一 合千 、一荧光粉在一定波长的光激发下，发射的荧光光子数与激发光的光子数之比。3. 6 发光敢能luminous efficacy . 1 1 荧光粉在一定波长的光激发下，发光的光通量与激发辐射功率之比二单位:，1m!W。二3. 7 , i,. , 温度特性t回!peraturecharacter lstics 表示荧光粉的发光特性与其温度的关系，包括发光亮度、激发波位、发射主峰及色品坐标等，分别二用符号H品d府.，HSA圃，. XI .J来表示其相对于室温下的改变量。3 , 8 中心粒径.:-med

5、iUnlpartole diill晒rter也-，.粒:径的体积累权分布中对应于50%的荧光粉的性径。单位:m。39 -粒度分布离散靡:pa l t .icle size distribution dispers ion S 荧光粉试样扭庭分布的相对宽JJt不均匀程度的度量。定义为分布宽度与中心粒径的比值，其中分1布宽度为边界粒程前一组特缸粒径的差值。本标准所指的粒度分布离散度采用公式(1)计算z式中zd_ -d., slO，如)=-旦_ _1_ $0 d矿-一植在的体积累职分布中对应于90%的荧光粉的粒径，单位:mod中一-粒径的体积累积分布中对应于侃的荧光糙的粒径，单位zm.dw-粒径的体

6、积累积分布中对应于10%的荧光粉的粒径，单位tm. 3.10 , 3, 11 pH值、pH二-value 荧光粉在定体飘去离子水中的酸藏度的度量。电导率onductivity.8.、红荧光粉在一定体积去离子水中可蓓性杂质离子撑度高低的度量。单位:V S/ cm. ;4要求二. (l) 4. 1 鉴于H前半导体发光二极管用锚酸盐及硅酸盐荧光精相对较为成熟.本标准只舰定了韬酸盐及硅酸盐荧光粉的主要光学性能、粒度特性、密度等其他物性#数及其测试方法o_气4. 2 半导体发光二植管用铝酸盐荧光粉按其友光特性分为5个牌号，牌号、屯显耳光学性能、暗度、祖度特性和颗粒特性及其它主要性能指标应符智表i的舰炮.

7、如需方对产品有特赌要求，由供棉双方协商. . , . -2 、SJ/ T 11397-29 -12. F J . . 、L、亵1性能:半导体发光二板曾用辑酸盐荧光粉主要性.描幡光谱性能性能名称激发被长Ae发财主蜡. 半宽度外量子效率1.1 激发放快牌号G36-YG l G36- YG2 G3&-YG3 G3-Yl G36-Y2 430-479 526.535 536-545 546-555 556-565 flIII 100 105 110 115 120 0. 6 0.7 0. 8 0. 75 0. 75 ( 440 nm) (450 nm) (4归国(460晒(4佣帽).(1. 46.0.

8、48 色品提标X y 相对亮度温度特性粉体在:bl热到120C并稳定10分钟时、密度、温，由供需现方协商s. - .- 3 . SJ斤11397-2009囊2半导体发光二极管用硅隘盐荧光粉主要性能指标性能牌号性能名称单位G36-Y创G36- YG5 G36-Y臼G36-YG7 G36-Y3 G36- Y4 G36-Y5 激发波长. nlD 400-47。发射主峰.nlD 505515 516- 525 526- 535 536-545 546-555 556-565 5ti&-575 光谱性能半宽度nlll 60 60 70 80-90 80 10 I d 外量于肇事激一- 0. 5 0. 5

9、 0. 5 0.5 0. 5 0.5 0.5 1i波快450阳, 、I 0. 20- O. 25- 0. 32-0.37 0.42- 0.46-0.49- I . , r 。.25). 32 0.37 0.42 0.46 0.49 0.52 色品坐标o. fig- 0; 65- 0.61- 0. 58- 0. 55- 0. 52- 0.50 . 飞-y . r町, 0. 1)5 0.61 0.58 0.55 O. 52 0.50 0.46 相对亮度也按供需方要求温度特性RS、恤nm 士5粉体在加HS. llII 土5热到120CU5. 2500 pH值-68 电导*-6I函1 件袋敏的平方根取

10、正应数5. 11 外现检验:随机取3(X，样品，每次取样质量在0.5g. 1. 0 g之间，均匀地平摊在自戴上，在光照下自测检查。检验规则6. 1 通则产品应由供方雄验部门进行检验，保证产品质量符合本标准就订货合同的规定，井填写质量保证书.6. 2 缉挝产品应成批提交检验，每批应由同一牌号的产品组成.6. 3检验项目检验项目和方法见表3.量，6. 4 取样和制样仲裁取样按表4的规Il 12 序号10 4 2 3 5 6 7 8 9 7 5 SJ/ T 11397一297. 3 每批产品应附质保证书，注明:a) 供方名称:b) 产品名称和牌号:c) 批号:d) 挣量和件数:的分析检验结果和检验印

11、记:f) 本标准编号:g)丁出厂日期.6 . _ _ , . . , , 工., _ . -。吧, . . , . . _ , , , . ., , r . J庐_ . .! - . , , . -. -一、. . SJ月11397-29 . . , 、.附景A. (规范性附景半导体在先二银曾用费光粉试验方法:发射光谱和激发先谱的测定 . . ，. . . . -.飞. . A. l A. 2 方法原理Jt源发出的光激发样品在哩的用某被怪的激发1同理，固定荧光粉得荧光粉发出的该A. 3. 1 A.3. 2 光小0.l. A.3.3 荧光分A.3.4稳压.1 nro，杂散A. 4. 1 仪器校正

12、A. 4. 2 测试A. 4. 2. 1 把样粉装好A. 4. 2. 2 逃走一个激A. 4. 2.3 给定发射光谐的A. 4. 2.4 重新装样，测试3次，各A. 5 测试结果襄述A. 5. 1 激发yt谱的崎值波长用n表示.A.5. 2 发射光谱的峰值波长发射主峰)用A蛐表示.A.6 允许羞争.分析结果的允许差值为:A.、.土2nDl. 、干. . -_ . , -. 7 SJ/T 11397-2009 , , ,. . o_ - J , l ,_ . . .r _ . ;,/ .0 d 、附景B规范性附最)半导体发光二钮用荧光粉试验方法外量子效率的测定- -、-E飞8. 1 范围，本附录

13、规定了半导体发光二极管用荧光粉外量子敷率的测定方法。本附录适用于半导体发光极管用荧光粉外量子效率的测定.8.2 方法原理-二币、_.一-一吨-.,. ,_ ,_, 撒，;先癫-. .一一卢-撒发单色仪，乱:./ , , . _. ,0 .川，, . . . 旷.- . . . -11:1曹探测器_./ , ; -、-. , .、.、-自试荧光唱图B.1 外量子艘军测试原理固如图B.1所示，激发光源经激发单f5仪分光，出射的单包光注入试样室光学系统，一部分经过分光器反射到参考探测器上，用于监测散发光源的光功率变化，另一部分照到样品上。经单色光激发的荧光粉发射光被传输到2t射光谱分析仪中，从丽测得

14、荧光粉在某一被长激发下的发射光谱功率分布。:停发射光谱功率分布特快为发射光子数，再除以激发j(:.子敬，即得到荧光粉在选定激发波段下的外量子效率-. : B. 3 仪西与巍置/ . i-.: ;- 8. 3. 1.: .激发光惊:连续光谱光源，波长范围不小于350run- 600 nm，稳定度优于0.3.8. 3. 2 .激发光单色仪;被长远目不小于350nm.,.600 nm;波长准确度0.2阳，被怯重复性0.1nm，如散光小于O.1%. B.3.3 光锵辐射分析仪z准确度为土0.5阳，光谱范围为3Snm-780 -nm. ,: B.3. 4 稳压电源t交流t220 V, 50 Hz，电压稳

15、定度优于O.讯.8.4 测试步骤B. 4.1 仪器枝?E8.4.2 测试B.4.2.1 把样粉装好后，放到样品室里。A、。、二、-、.i、飞、J ,u mr .飞、8 、-二.吁画，二之二!-. .:二zJhT8.4: 2. 2 选定个激发披长J激发荧光揭发光，利用光谶辐射分析仪测试得到荧光粉的发射光谱功率分布.8. 4. 2. 3 计算荧光粉在该激发波长下的外量宇效率.8. 4. 2. 4 重新装样，测试3)各次之间的相对整值不大于l，取算术串均值.测试结果囊遮荧光粉在选定激发波长F的外量r敢尊为1SJIT 11397-2009 8.5 . . . .亨-, , , . . . , . .

16、、EJa nu ，、r飞(儿，四)/(孚)d.帽可ert(回)=?代(九)吃式中:一一激发放*;_一一发射波长:飞.(_，n )一一荧光粉在波长为k国的光激发下的发时光谱功率分布t$ . (J一一撒发光谱功*;步一一瞥朗克常数:俨一光速，允许整分析结果相对允许差值不大于拢，B. 6 1 , , 9 法芳r验Jh试、粉E定。最时测附型的景性阴度范，亮附规艰对汇相发体导半SJ/T 11397-29 FA龟，与荧光粉样品法线值，然后与参比样, , , , . 民吨!., 旷-1 -田、-EIi二 、-E、-bEi、.臼、-、予F，a.-飞J，.、-i.，.-i-i-ea-Ei-de-哩-.，Il-，

17、 FzI.e-.1M.、d.，、il-!,.-t i-Ef-伞-LJ, . i，46 ，目, . J qp, 、毛吨-.-vA- -F一-ruEE-Ee-esl .i-、-1、.，I、 、-d、Ft飞、飞aJ，-ii，-、，4、 牛唱、.，自-1、E. 、-u、，EJ带-L需-飞E-哩也.、e-FVJ哩，-v-u-J-EV-Een-. -J -d，viv古今，年，EV4i pE v 14 hEE-. .!-、d-龟电.-、 . ._分别技公式CE.1)和(E.2)计算:HSlI=. . . . . . . ( E. 1) -mh=A嗣A啤. . . . ( E.2) 式中zHSe、9S1.-一

18、荧光粉试样激发、发射主峰波长的温度特性.单位Inlll; 酬川太回一二先光粉试样室温F_的激发、发射主崎波辰，单位:nm: A刷、田二-一荧光精试样加热后处于预定温度时的激发、发射主峰波段，单位:nm. E.5: 2 相对亮度的温度特性(H5.)按公式(E.3)计算:HS忌=(/J:)- B.) /晶X1001.111 ( E.3) 式中tH品，-一相对亮度的温度特性:且一一荧光粉试样室温下的相对亮度情); 品一一荧光粉试样加热后稳定在预定温度时的相对亮度C%) E.5.3 色品坐标的温度特性(l:;.x和l:;.y)分别按公式(E.4)和(E.5)计算z.X= xo- Xh. . . . .

19、 (E.4) .y= Jo-y,. . . . (E. 5) SJIT 11397-29 、式中zx, l:;.y-一色品坐标的温度特性:x.,. yo-一荧光粉试样室温下的色品坐标:Xj )1;一一费光勒试样加热后稳定在预定温度时的色品坐标.E. 6 允许羞分析结果的允许差值分别为t激发、发射主峰波长温度特性允许差值均不超过土2nm;相对亮度温度特性允许差值不超过士:色品坐标温度特性允许差值不超过土O.2., , . 13 SJ/ T 11397- 2009 .牛, . 、飞、. . .、.，、民附录F规范性附景). 半导体发先二顿曾用费先精试磕方法.pH值的测定 -、,-. . 砚( .

20、. 二二.二.F本附录规定了半导体发光二极管用荧光粉p州H值的测定万浩.本附录适用于半导体发光二极管用莞举蒂-卒. 豆范围:0-140 F.2 方法原理二. 在恒寇的温度下，.-、F.3装置与试剂. -_ - _.:, F.4.1.才2F. 5 测试结果囊边二. _pH计读数的算术平均值即表示被测荧光粉的pH值.F. 6 允许董分析结果的允许盖值为土O.1. -.二二L二士二 气、f 俨 ，一合. . . J. . , . - . ., 一-、14 . , SJ/T 11397-29 G. l 范围_ _. , 一I附录G规范性附景学异体发先二极管用费光粉试验方法电导擎的测定本附录规定了半导体

21、发光二极管用荧光粉电导率的测定方法.本附录适用于半导体发光二极管用荧光精电导率的测定.测定毡国:0-100S/cm. G. 2 方法原理在一定的温度下.一定量的荧光粉含有可溶性杂质的含量与荧光粉在一定水中的电导率成正比.G. 3 装置与试剂G. 3. 1 去离子水2电导率小于111 S/cm. G.3 , 2 天平:感量为0.01g. G.3. 3 电导率仪:准确度为士0.2S/cmoG.3.4烧杯:25 mL. G. 3.5 耐力搅拌器，带磁力子-G. 4 测试步骤G.4.1 溶液制作G. 4. 1. 1 取荧光精2.00g撞到25mL的烧杯中，加入15mL的去离子水，并放入磁力子.G. 4

22、. 1. 2 将烧杯放在磁力搅拌器上搅拌20min后静置1h以上.。4.1. 3 用快速定性滤纸滤出澄清液体，进行测量.G. 4. 2 测试G. 4. 2. 1 仪糟标定。G. 4. 2.2 设定仪器常数和温度补偿系数。G.4. 2.3 把温度传感器和电极放入样品溶液中，摇动液体，当显示稳定时，读取数据.G. 4.2. 4 样品连续测试3次，各次之间的差值不超过土O.1S/cm，取其平均值.G. 5 测试结果表述G. 5. 1 去离子水的电导率为800G. 5_2 试样溶液的电导率为ti., G. 5.3 试样的电导且在8=玩-50. G, 6 允许差分析结果的允许差值为士0，5I.1 ,S/cm. :.，、L一._ .、-._ -、了、飞.啕. . . _ 、一二., 、 ._年一- -. - . - _ . - . . .-.- 一一. . 、一. IS -. . 附录H资料性附录)本标准步加单位SJ/ T 11397-2009 . a . . . 、. -. . . 、-. . -. . , . . , . 、.、. -. . . , . - .、, . . , 16