SJ 1130-1977 2DL51~56、2CL51~56型硅高压整流堆(暂行).pdf
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1、中华人民共和国第四机械工业部标2 DL 51 ., 56 2CL 51.,56 国暂行SJ 1130 77 1 977 中华人民共部准气Ila-4.11._-申呻回国回嗣-_.12CL51 56盟四周压1 .本标准适用于额定整流电流IFlA、最高反向工作电以V.35KV、最高二作频率fm乓3KHz的2CL51-2CL56系列和最高工作频率fmlI(_Hz的2DL51-2DL56累列的半导体睡离庄整流堆以下简称磁堆).该产品主要对于元线电通讯、电子仪报或其它电气设备的脉冲调制和高陆胡也咀阳-2.该产品除应符合SJ90874 30B L 号一图电极R H B L 14 25 1301 I 14 2
2、5 -2i I 12 14 25 I 55 二88 1 , 4 30 飞4 4 8 8 8 14 I 12 8 8 20 15、30 55 运二5、10 -一 , FO Hhu po 句,300 W 一M3 图深412 12 , 20 l 一二13 25 SJ 1130一77负26页_3m4.技术要求和世验方法z(1)硅堆的电参数应符合费5囊的鹰符合部颁标准S1189. 1蝇一65磕矗流(2). (3)款的规定.(2)额定反向工作电压(V.)、i莹的反向电流(Ia)的测试方法z试电原理国应符合困8.削试电参数的方法删试方法规及本条第高反向测试电压(VRM)及黄;中阿被满割去难30Hz x y
3、X , Y 接示被移除I3 测试条件及要求za、测量电压为单相工频正弦半搜,且为电阻性负辄1b、峰值电压麦上的读数与被测硅堆上的工频半搜峰ffl电用数值相差不大于3%; c、按电参数规蔼麦规定Ia值读最高反向栅试电压(VRMJ及定反向工作电压(Vn),并接示披器监视In特性的变化.VRI时,允许加以适当的(3)最高等效结温(TjM)的测试z用热敏法.试电原理图应符合图4.占时妒d程湾派4 朵 SJllO 17 试条件和要求:a、热瞟电施应不大于锢瘟藏流电疏值陶l锄主最大不超过5mA,并为稳定恒流撮,热敏电就应与额定接班电配相置)JW;b、正弦工频半波,电阻性负载(导通角不小于110度鱼),所加
4、的整流电流应符合下示温度集荷曲钱,温度锯持非问同志标准第5条付款表4规定,负荷恒温时间为半品阳.其最高等费生rdc;I25 为401-一一一-一_-一-1-一-一-_弈,费4量-蠢劈.tilt llllam 自40 /00 Tib 5 (硅撞的引出钱件第4条,其静负见半导体二极管(二类)总扳术条见表2 2 干引出线直径(ptllJ)0.6 i 0.8 十一一一一二十二一一15KV SJ1130 77 样数最:;!;:12期!高温75 10 5 10 45 5 5 5 共261iH事9页寝4备注余样品加倍试用。7.一种型号的硅堆例行试验结论适用于该硅堆电流系列的全部硅堆z若此型号的硅堆例行试验不
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