GB T 8757-1988 砷化镓载流子浓度等离子共振测量方法.pdf
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1、中华人民共和国国家标准碑化镇中载流子浓度等离子共振测量方法Determination of carrier concentration In gallium arsenide by the plasma resonance minimum 本标准适用于掺杂呻化嫁单晶中载流子浓度的测量。测量范围n GaAs l 0 X .I。”1OX!O cm s p-GaAs 2. 0 X 101.0X!Ocm。1 原理UDC 661. 868. 1 . 46 620. 1 GB 8757 88 在红外光谱区域,重掺半导体材料的反射率为波长的函数,载流子浓度和反射率极小值波长具有对应关系,测得反射光谱的等离子
2、体共振极小值波长,根据校准公式,计算载流子浓度。2 试梅要求2. 1 半导体材料样品表面需经机械或化学抛光确保其具有良好的光学表面。2.2 样品的导电类型应是己知的。3 仪器及附件3. 1 仪器3. 1. 1 用波K或波数显示的双光束红外分光光度计或傅立叶变换红外光谱仪。3. 1. 2 波长范围2.5 50 m (4 000200 cm ) 如果波长范围较窄,则测量范围相应减小,3. 1. 3 波长重复性和波长精度至少为0.05队mo3. 1. 4 在1000 cm 处,光谱分辨率为2cm或更小。3. 2 附件3. 2. 1 与分光光度计相匹配的反射附件,入射角不大于300 3. 2. 2 光
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