GB T 5238-1995 锗单晶.pdf
《GB T 5238-1995 锗单晶.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GB T 5238-1995 锗单晶.pdf(6页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、ICS 29.040.30 H 81 远昌中华人民共和国国家标准错GB/T 5238-1995 单Monocrystalline germanium 目目目1995 -10-17发布1996 - 03-01实施E司第乏主交才这亚窄辛茹毒发布中华人民共和国国家标准GB/T 5238 -1995 错单晶代替GB5238-85 Monocrystalline germanium 1 主题内容与适用范围本标准规定了错单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于制作半导体器件等用的错单晶。2 引用标准GB 5251 错单晶电阻率直流四探针测量方法GB 5252 错单
2、晶位错腐蚀坑密度测量方法GB 5254 错单晶晶向X光衍射测定方法GB 5255 错单晶晶向光反射图像测定方法GB 5256 错单晶导电类型测量方法GB 5257 错单晶少数载流子寿命直流光电导衰退测量方法3 产品分类3. 1 分类错单晶按导电类型分为n型和p型。根据电阻率允许偏差大小单晶分为三级,用英文大写字母A、B、C表示。3.2牌号3.2.1 错单晶的牌号表示为:- Ge- UC )- 了一E其中:1一一表示错单晶的生产方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法。2一-Ge表示错单晶。3一一用n或p表示导电类型,括号内的元素符号表示掺杂剂。4一一用密勒指数表示晶向。3.2.2 示例:a. Cz
3、-Ge-nCSb)-(lll)表示晶向为(lll)n型掺锦直拉错单晶。国家技术监督局1995-10-17批准4 3 2 1 1996- 03-01实施1 GB/T 5238-1995 b. Cz-Ge-p (Ga)-(111)表示晶向为(111)p型掺嫁直拉错单晶。3. 3 规格错单晶的规格应符合表1规定。表1导电类型掺杂剂直径,mm直径允许偏差,%不大于t是度,mmGa 10-50 p In 10-50 10 40-100 Au+Galn) 二20n Sb 10-50 注2直径允许偏差指同一单晶段的最大直径和最小直径之差与其平均直径的比值的百分数。4 技术要求4. 1 物理参数4. 1. 1
4、 错单晶的电阻率参数应符合表2规定。表2导电类型掺杂剂电阻率范围电阻率允许偏差,%不大于断面电阻率不均。cmA B C 匀度,%,不大于Ga 0.1-45 p In 0.1-45 15 20 25 10 Au+Galn) 0.5-5 n Sb 0.1-45 4. 1. 2 错单晶的少数载流子寿命应符合表3规定,高速开关管和功率开关管用的掺金单晶,少数载流子寿命分别为不大于0.2s和0.2-0.5间。表3电阻率范围,0.cm n型0.1-0.9 0.9-2.5 100 2.5-4.0 150 4.0-8.0 220 8.0-16 350 16-45 600 4.2 晶向4.2.1 错单晶的晶向为
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- GB 5238 1995 锗单晶
