GB T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法.pdf

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1、中华人民共和标半导体分立器件型名方法The rule of type designation for discrete semiconductor devices 本标准规定了半导体分立器件型号的命名方法。本标准适用于各种半导体分立四II。2型半导体分立器件的型号五个组成部分的义如下z第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用汉语拼音字母表示规格号用阿拉伯数字表示序号用汉语拼音字母表示器件的类别用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用阿拉伯数字表示器件的电极数目GB 249 89 代替GB249 74 一些半导体分立器件的型号由一五部分组成，另一些半导体分立器件的型号仅由三五部分组成。3 及3.

2、1 由一五部分组成的器件型号符号及其意义中华人民共和子工业部1989-03-18批准1990-04-01实第一部分用阿拉伯数字表示的电极数目用汉语拼和极性第二部分符号|意义l符号|意义2 I二极管AIN型，错材料3 B IP型，错材料C IN型，硅材料D IP型，硅材料三极管A叫，B I NPN型，错材料c I PNP型D I NPN型，硅材料E I化合物材料GB 249 89 材料表1第三部分用汉字母表示符号|意义P I小信号管v I 银频检波管WI电压调整管和电c 1;变容管z I整流管L I整流堆S K I开关管x I低频小功率晶体管类别管J.3MHz,P,lW) G D A 功率晶体管

3、J.):3MHz, P,lW) 晶体管J.3MHz, P,):lW) 大功率晶体管J.):3MHz, p，二注lW)T I闸流管y I体效应管B I雪崩管J I阶跃恢复管第第五部分用阿拉伯|用汉语拼音数字表示序号字母表示规格号GB 249 89 示例1:错PNP型高频小功率晶体管3 A G 11 C 规格号序号高频小功率晶体管PNP型，三极管3. 2 由三五部分组成的器件型号的符号及其意义表2第三部分第四部分第五用汉语拼音字母表示器件的类别用阿拉伯数字表示序号用汉语拼音字母符号意义CSI) I场效应晶体管BT I特殊品体管FH I复合管PIN I PIN管ZL I整流管阵列QL I硅桥式整流器SX I双向三极管DH I电流Sy I I凝态抑制二极管GS I光电子GF I发光二极管GR I红外发射一GJ I激光二极管DTH GGG 晶体管GK I光开关管GL I摄象线GM I摄象面阵注:1) 4CS表示双绝缘栅场效应晶体管.示例2:场效应晶体管GB 249 89 CS 2 B 下明:序号场效应晶体管规格号本标准由全国半导体器件标准化技术委员会提出。本标准由机械电子工业部电子标准化研究所负本标准于1964年首次发布，1974年第1次IY.J。