GB T 5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法.pdf
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1、中华人民共和国标准一7G Test methods for properties of structure ceramic used In electronlc components Test method for dielectrlc loss angle ta略entvalue UDC 62 1. 315. 612 : 621. 382 1.387: 620. 1 GB 5594.4 85 本标准适用于测定电子元器件结构陶在材料在频率1MHz,温宦从室温至500C条件下的介质损耗角正切值。1 定义资材料的介质损耗角正切值(tan们是表示在某一频率交流电压作用下介质损耗的参数。所谓介质损耗即
2、是单位时间内消耗的电能。由陶姿材料制成的元器件,当它工作时,交变电压加在陶瓷介质上,并通过交变电流,这时陶瓷介质连同与其相联系的金属部分,可以看成有损麓的电容器,并可用一个理想电容器和一个纯电阻并联或串联的电路来等效,如图1所示。电压和电流的相位关系可用图2表示。1c Cs Rs Cp . .11 1R Uc UR Rp U U a.并联等效电路b.串联等效电路图1有损耗电容器的等效电路国家标准局1985-11-27发布1986-12-01实GB 5594.4 85 Ua I 11 l U b u IR a.开旺电路矢量图b.串联电路矢量图图2有损耗电容器的矢量图由图可知,角的意义可描述为z有
3、损耗电容器电流和电压之间相位差与理想、电容器(无损耗电容 电流和电压之间相位差(2 )比较相差的角度,由图2a得到z由图2b得到:后,tan的意义可归结为Et叫=iE c tan =有功功率-无功功率根据定义,在1MHz测量tan,可利用谐振电路、平衡或不平衡电桥以及其他原理。2试样2. 1 试样应符合GB5593 85 (电子元器件结构陶瓷材料的规定。2.2试样应进行清洗干燥处理。2.3试样在正常试验大气条件下放置不少于24h。3测量仪器和设备3. 1 测量仪器可采用直读式损耗表、高频Q表、高电桥及高频介质损耗等仪于200。3.2加热炉路的Q值应大炉内温度应均匀。可用自动或手动方式进行控温,
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