GB T 4728.5-2005 电气简图用图形符号 第5部分;半导体管和电子管.pdf
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1、华GB/T 4728.5 2005/IEC 60617 database 代替GHT .1 ,)8. :)-)_l口口可王图形11: -、元=-飞ICS 29. 020 K 04 2005-08-01实Graphical symbols for electrical diagrams, Part 5: Semiconductors and electron tubes (lEC ()( 17 dat日base,IDT) B T 部5 2005-03-03发布发布中华人民共和11il国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会量高黯洒目。GB/T 4728(电气简图用l¥l形符号包括13个部
2、分2第l部分:般要求第2部分:符号要素、限定符号和其他常用符号第3部分=导体和连接i1第4部分.基本无源、L件第5邱分半导体管和电子管第6部分屯能的发生与转换第7部分:开关、控制和保护器件!fj8部分:测量仪表、声l相信号l!件第9部分电信交换和外国设备第10部分:电信:传输第11部分:建筑安装平面布置l苦l第12部分z二进制逻辑元11第13部分=模拟兀件GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database 本部分为GH/l、4728的第5部分,等|司采用IFC60617databasc (电气简罔用图形符号数据库标准(英文版)的相应的内容u中4部分代持rC H/T 1728
3、. 5-2000(电气简附用图形符号本部分与GH/丁4728.5-2000刷ll,第5部分:半导体管和电子管。所有符号为拨专业进步分类,均校IEt、60617数据库巾给lli的符号标识号山小到大排列;(;B/T 4728.2 2005中各符号列:1IE(、60671数据阵中包含的各项信息,较18版增加f多项内容。牛L部分由全网电气信息结构、文件编制和阿形符号标准化技术委员会提出并归口。卒部分主要起草单位机械科学研究院中机生产力促进中心。参加起草的单位还有,I叫电华北电力设计院工程有限公司、中国航空综合技术研究所、巾因航:(科集冈二院、中11iJ电子l业标准化所、邮电l业标准化所、中国电力企业联
4、合会等。本部分主要起草人=郭汀、沈只、高惠氏、李旭先、武冰梅、谅泳、陈泽毅、王素英、李道本、武品、于l肉、李萍、季慧E、徐E驰、李海波、李志勇、周鹏、品J.一般符号Light emitting diode (LED. general symbol 状态标准发布日期2001-07-01 上版标准序号,GB.T 4728. 5(ed. 2. 0)05-03-02 关键词二极管.LED.光电发射设备,半导体用于S00380.S00691.S00692采用符号S00127.S00641形状类别:箭头,等边三角形,直线功能类别E提供辐射能或热能应用类别:电路图采形功应名11 GB/T 4728.5-20
5、05/IEC 60617 database LvfL S00643 称热敏二极管remperature sensing diode 状态:标准发布H期.001-07-01 上版标准序号,GB/T 4728. 5(ed. 2. 0)05-0:,-03 关键训:二极管,半导体,热采用符号S00641形状类另1.,严符,等边三角形.直线功能类别Il把变量转换为信号应用类别:电路图13 名S00644 中称:变容二极管Variable capacita口cediode 状态标准发布H期2001-07-01上版标准!于号,(;B!T 4728. 5(ed. 2. 0)0)-03-01 关键扣d,电容器,
6、二极管.半导体采用符号:白00067.S00641形状类别等边三角形.直线功能类Ij.K处理信号或信息应用类别电路图称隧道二极管Tunnel diode 状态,标准发布口掉J,2001-07-01 上版标准序号,GB/T 4728. 5(ed. 2. 0)05-0:1-05 别名:江崎二极管关键词二极管,江崎,半导体,隧道采用符号S00613.S00619.S00637形状类另Ij.等边三角形,直线功能类别.K处理信号或信息应用类别电路图S00645 名名中GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database S00646 称2单向击穿二极管名Hreakdown diode
7、, unidirectional 态:标准状发布日期,2001-07-01 t版标准序号GB/T4728. 5Ced. 2. 0)05-03-06 别名z齐纳二极管,电压调整二极管关键词:-t极管.半导体,电压调整管,齐纳于.臼)0651号臼)0613.S00619. S00638 别:等边二角形,直线别:It限制或稳定别电路用符类类类用状能用S00647 f1r :双向击穿工极管名Breal毛downdiode. bidirectional 状态.标准发市日期,20010701上版标准序号,GB/T 4728. 5Ced. 2. 0)05-03-07 关键词:二极管.申导体采用符号S0061
8、9.S(l()639:中:别等边二角形,直线别R限制E)i:稳定别,电路阁类类类状能用S00648 称反向二极管(单隧道二极管)Backward diode (unitunnel diode) 名状态:标准发布日期,200 i-()7-01 上版标准序号,GllT 4728. 5Ced. 2. 0)05-03-08 用采形功应形功应14 关键i司z二极管,半导体采用符号:500613 ,500619 ,500640 形状类别等边三角形,直线功能类别K处理信号或信息应用类别电路图800649 名称:双向二极管Bidirectional diode 状态:标准发布日期2001-07-01上版标准序
9、号:GB!T 4728. 5(ed. 2. 0)05-03-09 关键词二极管,半导体用于500652采用符号:500613 形状类别z等边三角形,直线功能类别.K处理信号或信息应用类JJIJ:电路图800650 名称:反向阻断二极闸流晶体管Reverse blocking diode thyristor 状态:标准发布日期:2001-07-01 上版标准序号:GB/T 4728. 5(ed. 2.的05-04-01关键词:二极管,半导体.闸流晶体管采用符号:500613 ,500619 形状类别:等边三角形.直线功能类别:Q受控切换或改变应用类别电路图800651 名称逆导工极闸流晶体管Re
10、verse conducting diode thyristor 状态:标准发布日期:2001-0-01 GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database 15 GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database t版标准序号GR/T4728. 5(cd. 2. OJ05-04-02 关键词二极管,半导体,闸流晶体管采用符号S00613,SO创刊,S006:l8.切0646形状类别等边三角形,自线功能类别Q受控切换或改变应用类别电路图S00652 丰名称:双向二极闸流tibi丰管:双向二极晶闸管Bidirectional dinde thyritor;
11、 Diac 状态:标准发布日期,2001-07-01 上版标准序号,GB/T 4728. 5(cd. 2. ()J05-04-03 关键词z双向交流71关lLH.半导体,闸流晶体管采用符号创0613,Soo1WJ形状类别z等边三角形.线功能类别,Q受控切换li:改变应用类别:电路图S00653 平名称:反向阻断一极IJI流晶体管.J栅(阳极侧受控)Reverse blocking trode thyritor. N-gate (anode-side control1cd) 状态2标准发布日期,2001-07-01 上版标准序号,GR/T 4728.叭叭l.2. oJ05-01-05 关键词2半
12、导体,闹流晶体管采用符号,S00613,别OG1形状类别:等边三角形,线功能类别,Q受控切换DX:改变应用类别:电路图S00654 生名称:反向阻断二极tillJ流ilh体管.r栅(阴极侧受控)Rever:-;e blocking triode thyri=-tor. P-gatc (cathode-side controllfd) 状态标准16 GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database 发布日期20010701 上版标准序号GB;T4728. 5(ed. 2. 0)050406 关键词.半导体,闸流晶体管采用符号,S00613 , S00619 形状类别:等边三
13、角形,直线功能类别,Q受控切换或改变应用类别:电路图800655 ?丰名称.可关断三极闸流晶体管,未指定栅极Turn-oH thyrstor. gate not specified 状态.标准发布日期20010701上版标准序号GB/T4728. 5(ed. 2. 0)050407 关键词半导体,闸流晶体管采用符号S00613.S00619形状类别:等边三角形,直线功能类别,Q受控切换或改变应用类别:电路图800656 平名称:可关断三极闸流晶体管,)J栅(阳极侧受控)Turn-oH triode thyristor. :-J-gate (anode-side) 状态:标准发布日期,20010
14、701 上版标准序号,GB. T 4728. 5(ed. 2. 0)050408 关键词:半导体,闸流晶体管采用符号,S00613 , S00619 形状类别:等边三角形.直线功能类别,Q受控切换或改变应用类别:电路图800657 3 名称可关断三极闸流晶体管,P栅(阴极侧受控)Turn-oH triode thyristor. P-gate Ccathode- side controlled) l GBjT 4728.5-2005jIEC 60617 database 状态=标准发布上版标准序号,GBjT 4728. 5(ed. 2. 0)05-04-09 键期22001-0701日词半导体
15、,闸流晶体管关号,S00613 , S00619 :立j别z等边三角形,直线另IJ,Q受控切换或改变jIJ ,电路图符类用采状能类类S00658 称反向阻断囚极闸流晶体管名Reerse blocking thyristor. tetrocle type 态z标准状布日期,2001-07-01 上版标准序号,GI3 /T 4728. 5(ed. 2. 0)05-04-10 发词:半导体.闸流晶体管键关号,S00613.S00619 符用采另1,等边三角形.直线辑:另IJ,Q受控切换或改变别电路图类类状形类能S00659 称:双向三极闸流晶体管名Bidirectional triode thyri
16、stor; Triac 态标准状期2001-07-01日布发l版标准序号GI3/T4728. 5(ed. 2. 0)05-04- 词半导体,闸流晶体管,三端双向可控硅开关元件键关号,S00613 符用采别2等边三角形,直线类状)j jjlJ , Q受控切换或改变能类功另1,电路图用形功应用功1市)11类Jji 18 GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database 500660 名称:逆导兰市政闸流晶体管,未指定栅极Rfvfrse conducting triode thyrstor. gate not日pecified状态标准发布日期200107-01 上版标准序号(;
17、13T 1728. 5(ed. 2. 0)05-04-12 关键词半导体.阐流晶体管采用符号日Oll613,S00619,S00638形状类别:等边二角形,直线功能类别,Q受校切换或改变应用类别电路附S00661 名称:逆导二极闸流晶体管.N栅(阳极侧受控)Rc飞cr把conductingtriode thy口时or.-gate (Ilode-side controlled) 状态标准发布日期0(1l-(1,-01 上版标准序号,C H/T 4728. 5 (ed. 2. 0) 05-04-13 关键词:半导体,闸流晶体管采用符号.S00613 , S00619 , S00638 形状类别等边
18、二角形,直线功能类别Q受拧切换或改变应用类别:电路图500662 名称:逆导二极闸流晶体管,P栅(阴极侧受控)IEverse conducting triode thyristor, P-gate (cathode-side controlled) 状态:标准发布日期,2001 07-01 上版标准序号,(;B!T 1728. 5Ced. 2. 0)05-04-14 关键词,1导体,闸流晶体管采用符号,S00613 , S00619 ,S00638 形状类别:等边二二角形,直线Ul GB/T 4728.5-2005/IEC 60617 database 功应能类用类S00663 名别:Q受控切
19、换或改变别:电路图称PNP晶体管PNP transistor 状态.标准发布日期:2001-07-01 版标准序号:GB!T H28. 5ed. 2. 0)05-05-01 关键i司:PlP. i导体,晶体管采用符号:别0613.S00625,S00629形状类别:箭头,直线功能类别zk处理信号或信息应用类别.电路图S00664 1ulated gate field effect transi.tor IGFET enhancement typc.引inglegate. P-typt chanTl c! with substrateonnection brought out 状态标准发布日期,
20、200! 07-01 l一版标准序号Gll T j,?吕5Ccd.? O)OS-(lS-l :1 关键词增强电.场效应晶体管.(;FET.绝缘栅,PZFJf句道.半导体.晶体付采用符号,SO仆。18.S00623. S00621 .500673 形状类别:箭头.直线功能类别:K处理信号戎信息向用类别z电路|¥lS00676 斗民;名称:绝缘栅场效应晶体管(;FE门,增强型,单栅.N型沟道,衬底与源极内部连接Insld川edgate field effpct transistor IGFET enhancement type. single gate, N-typc ch川111叶飞sith、u
21、btra!liJ11 ern,:-d h Con口ectedto source GBjT 4728.5-25jIEC 60617 database 状态:标准发布日期2001-07-01上版标准序号,GB/T 4728. 5(ed. 2. )05-05-14 关键词:增强型.场效应晶体管.IGFET.绝缘栅.N理沟道.半导体.晶体管采用符号,S00618.S00622.S00624.S00674 形状类别箭头.直线功能类别:K处理信号或信息应用类别:电路图S00677 J 名称绝缘栅场效应晶体管(IGFETl.耗尽型.单栅.刊型i句道.衬!点x:创lil交In:-.ulated gate fi
22、eld effect transi引orIGFET. depletion type.只ingle且att. tyw chan nel without substrate connection 状态:标准发布日期,2001-07-01 上版标准序号,GB/T 4728. 5(ed. 2. 0)05-05-15 关键词:耗尽型,场效应晶体管IGFET,绝缘棚.N型沟退.半导体,晶体节采用符号,S00617 , S00622 , S00624 形状类别z箭头,直线功能类别:K处理信号或信息应用类别:电路图S00678 HFJ 名称绝缘栅场效应晶体管(IGFETl.耗尽型.单栅.1型沟道.衬!民无1)
23、111 线In5. ulated gate field effect transistor H;FET. dcplction typc.民inglcgatl. P-typf chan nel wthout 5. ubstrate connection 状态标准发布日期2001-07-01上版标准序号GB/T4728. 5(ed. 2. 0)05-05-16 关键词耗尽型.场效应晶体管.IGFET.绝缘栅.P型沟道.半导体.晶体特用于,S00679 采用符号,S00617电S00623.如0624形状类别:箭头,直线功能类别:K处理信号或信息应用类别电路图25 GB/T 4728.5-2005/
24、IEC 60617 da!abase 500679 J 二j名称:绝缘栅场效应晶体管C1GFETJ.耗尽型.双栅.P 11沟道.衬底有引出线lnsulalcd gate field effect transistor IGFET. dcplction type. two gates, P-type chan ncl wth suhstrate connection brought out 状态标准发布日期2001-07-01上版标准序号,GI3/T -1 728. 5(ed. 2. 0)05-05 17 关键词耗尽咽.效应晶体管,IGFET,绝缘栅.P型沟道.半导体,晶体管采用符号SOIlIi
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