QJ 2875-1997 半导体集成电路CMOS数字门阵列详细规范.pdf

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1、Q.I 中国航天工业总公司航天工业行业标准QJ 2875 97 半导体集成电路CMOS数字门阵列详细规范1997-03-03发布1997 06 30实施中E航天工业总公司发布中国黠天工业总公司院天工业行业标准半导体集成电路CMOS数字门阵到详细规范QJ 2875-97 1范围1.1 主题内容本翅范规定了硅单片半导体集成电路CMOS数字门阵JIJ器件以下街称器件的详细要求1. 2适用范围本规范适用于器伶的研制、生产和采购a1.3 器件编号（PIN)器件编号应按GJB597的规定1. 3. l 器件型号器件型号按如下规定z1. 3. 2 器件等级器件型号01 02 03 04 05 06 07 0

2、8 09 10 电路0吸1JDUT I CP 烈ii 。t -0-11-0-.OPEN GND 图1老化电路（器件规定表3GJB 54吉级到项吕方法S级B级Bl级老化雷电测试5004 1,7 1 1 势态功率老化I1015 要求中间电测试t二变化量极限1, 7 静态功率老化z1015 要求要求要求中间电量睡试; 卒1.7 l 动态功率老化1015 要求老化后电泌试6 l 1.7 1.2 ,3,4.7. 1.2 ,3, 最终电测试5004 7 ,8,9.10,11 向左8,9,10,11 A组电测试1,2,3,4,7,g,9, 5005 10.11 ！可左同左E组终点电测试1,2,3,7，居害5

3、005 1 I ，10,11（） C组终电宅测试5005 l,2（） I主，2(A)D组终电电测试5005 1.2,3 1,2 1.2 E组终电电测试5005 1,7,9 J,7,9 1,7,9 注：1).:lo变化量极限晃麦102）计算PDA用QJ 2875 97 3）器件制造单位，应在老化结束去掉健压后的96h内完成所要求的参数测量eV田 s, _;., R1 Voo；， J_ ,J, R, 17 传i、工i s, 正态输出三态输出nnlt?X. 3.ov 猿人10% I ,. iv，串o.ov I ,c百iT.。m2Z翠输出Vo : v，z 10% : Vm = ,., 被理5图Z开关时

4、间试验电路和被形图5 QJ 2875 97 3. 8 标志门陈列器件标志应符合GJB597第3.6条的规定。3.9 其他检验要求门阵列器件的研制生产单位应有如下监控检测手段za.设计布局规范，b.宏指令库应包括宏指令表、宏操作数据、宏模拟检源数据等事设计过程中使湾的软件包zd.检测应包括设计规范检测、电子规范检测、软件检测、设汁与图解检测、故障模拟质量检测等等。4质量保证规定4.1 抽样和栓验除本规范另有规定外，拍祥和检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4. 1. 1 品片抽样验收方法研制生产量苦件的单位应按晶片抽样进行羡量检测，确定是否接收e此方法包括下述内容ga.对S

5、级器件的品片抽祥验收方法，按GJB548方法5007对B级及Bl级器件品片喷镀、保护层及金镀层的物理检部应按GJB548的方法5007;h.使用工艺监控部电测量gc.在光学检查的条件下，应根据样品选用高倍放大镜进行检查，应保证光学检测装置的精度。4.2镑选在鉴定检验和质量一致检验之前，全部器件应按GJB548方法5004或本规范的表4豹规定进行筛选。表4筛选程序GJB 548 F号l 筛选项吕S级器件E级器件Bl级器件说明方法条件和要求方法条件和要求方法条件和要求I 品片批草量收5007 所有批 5007 要求5007 要求2 非破环性键合拉力试验2023 按规定按规定2023 按规定3 内部

6、目栓2010 条得A2010 条件E2010 条宁B封帽前稳定性烘熔条件C条件C条件C4 1008 1008 1008 150，24主150，24也150亡，24h0 温度循环21010 l 条件C1010 条件C1010 条件C6 QJ 2875-97 续表4GJB 548 号序筛选项目S级器件B级器件Bl级器件i挂号E方法条件和要求方法条件和要求方法条件和要求6 僵定加速度2001 条件E,Yl方向2001 条件D,条件D,2001 Yl方向Yl方向lI 1010的按1白10的i t量刊10约7 目栓n自检方法自检方法吕控方法8 注子碰撞噪声检测（P!ND）2020 条件A2020 条件A

7、2020 按合只要求自编颠序号10 老化前电君睡试5004 I 1,7 ! 5004 l 5004 l 11 静态功率老化I1015 i 要求12 中网电测试且受量极限；1.7 13 静态功率老化E1015 要求1015 要求1015 要求品A 14 中闵电测试1,7 l 15 动态功率老化1015 要求t;. 16 i老化后电测试1 , 7 允许不合籍品S%Al分组5%Al分组IO%AI分组17 率CPDA）计算的18 最终也事曾试5】AIA2A3A7 AIA2A3A7 AlA2A3A7 密封Al或A2Al或A2Al或A219 驾E栓漏1014 1014 1014 程淦漏Cl或C2Cl或C2

8、Cl或C220 X射线照稳2012 两个极因2012 有要求对作2012 有要求时作鉴定或质量21 一致性检验5005 3. 5条I soos 3.5条I 5005 3.5条样品的摘取22 外部吕检”2009 3. 1条2009 3.1条: 2009 3. 1条7 QJ 2875 97 注l)可用方法1011试验条件A05次循环替代2）可在密封筛选后迸行，寻！线断落3）可在温度裙环之后，丰罔（老化后y电测试之前的径何工序迸行e4）用老化失效包括超过Al分组魏范值和且极限的器件数，除以该老化批所提交器件的总数BP为该批的不合格品率，若不起过规定的PDA，照该报应接收，5）本项筛选后，若引线涂覆改

9、变或返工，应再进行Al分组或A2、A7分经测试，C可在发货前接批进行7) fl的变化量见表3的注e4.3鉴定检验鉴定检验应按GJB548方法5005和本规范A、B、C、D和E经检验见4.4. 1至4.4. 5 条的M1.定进行此外还要增补如下检查ga.控制和稳定性zb.工艺可靠性3c.宏设计和模拟sd.CAD走线和布局模拟ge.设计检测软件检验。4.4质量一致性检验质量一致性检验应按本规范A、B、C、D和E纽检验（见4.4. 14.5条的旅定e所进行的检验方法应符合GJB548的短定e4.4.1 A组检验A纽检验应符合表5的规定，筛选及B、C,D、E组检验所要求的A组电测试，按表3的规定，各分

10、组的具体电参数测试按表3的规定。A级检验各分经费测试可用同一祥本进行当要求的样本大小超过批的大小时，允许百分之百检验。各分组的测试可按任意颇序进行。合格判定数CC）最大为2o表5A纽检验分组测试LTPD S级、B级丰富Bl级Al 25下静态参数nA2 125下静态参数A3 -55下静态参数A4 25下动态输入电容ClA7 25下功能按QJ269号规定AS 125和55下功能A9 25下开关参数AlO 125下开关参数All 55下开关参数8 QJ 2875 97 注：1)静态参数含输入茜电平（Vrn）、输入级电平（VIL）、离态猿人电流Grn）、慑态输入电流（l1L）辛苦静态电源宅流(I皿，2

11、）仅在初始鉴定或工艺、设计改造时才进行该分组测试4.4.2 B组检验B组检验应符合表6的规定。若无其他统定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。不要求终点电测试的分组可采用同一检验批中电位能不合格的器件作为样本。表1 S级器件B组检验GJB 548 祥本大小试验项目接收数或说晓方法条件和要求LTPD BI分组内部水汽含量试验物理尺寸2016 按规定仅适用于陶瓷络封内部水汽含量1018 在100对最大水汽2（白外壳的器件，先试验含量为50号Oppm3(0）或5(1)3个器件，若一个失效，再追加2个器件，不允许失效部分组就浴注2015 接主主定i B2分组的样品必须内部吕检和机械2013 按

12、规定或自供货合40(0) 经过B6分组的温度检查或！毒规定合格如j据2（白循环和恒定加速度2014 试验键合强度z2011 超声缉试验条件C或D3 LTPD系对键合数芯片抗剪强度2019 按芯片尺寸确定合3（口商言，至少3个器格判据得部分经15 可缚住2003 焊接温度gLTPD系对引线数或245士5商言，至少3个器2022 件B4分组2(0) 引线牢噩住2004 试2量条件B2密封1014 细检漏试验条件Al或A2租撞击毒试墨盘条件Cl或C29 QJ 2875 97 续表6-1GJB 548 祥本大小试验项目接收数或说明方法条件和要求LTPD BS分组按QJ2690规定电器睡这Al,A2,

13、A3分经读可采用A组栓整部数并作记数据，不另行测试。稳态寿命1005 试验条件C来后图2或其等效温度，J25部试革盘线路时间，1oooh电泌试ALA2,A3分经和应按4.5. 2条规定，表汩的A变化量极冷却后再作电部试限部分组按QJ2690规定电事曾试ALA2、A3分组可采恩A组淦验告告读数并ft;记录数据，不另行测试温度循环1010 试验条件C循环10号次侄定加速度2001 试验条件EYl方向密封1014 当E捡摞试验条件Al或AZ粗检漏试验条件Cl或C2电涎试Al,A2、A3分组读数并ft;记录表62 B级和Bl级器件B组检验GJB 548 样本大小试验B级器件Bl级器件接收数或说明方法！

14、条件和要求方法条件和要求LTPD Bl分组2(0) 物理尺寸I 2016 按规定2016 按规定B2分组20151按规定4(0) 抗溶性按施定10 QJ 2875 97 续表6-2GJB 548 祥本大小试验E级器件Bl级器件接收数或说明方法条件和要求方法条件和要求LTPD 1 部分组15 可焊性2022 I焊接温度g2022 焊接温度LTPD系对弓线数或245土5或245土5市言2003 2003 B4分组3(0) 内部自栓和机镜2014 按规定或由2014 按规定或自检查订货合同规；订货合同规定合格判据定合格判据部分组E级，s键合强度2011 试验条件C2011 试建条件CI 叫，7LTP

15、D系对键合数超声得；或D；或D而言4.4.3 c纽检验8级和Bl级器件的C组检验应符合表7部规定S级器件不要求进行C级检验e表7c组检验GJB 548 试验项目B级器件Bl级器件方法条件和要求方法条件和要求Cl分组电量曾试AL A2、A3AL A2. A3 i 分组渎数并i分组读数并作记录作记录，稳态寿命1005 试验条件C试草盘条件C温度，12s温度.125时间，1000时阿，lOOOh 电事睡试AL A2, A3 分组和表10的A变化量极限LTPD 说明E可采用A组检重量必数据，不另行测试按采居留1或其等效QJ 2690 ！街试淦线路规定应按4.5. 2条旗定，冷却后再作电溅这11 QJ

16、2875-97 续表7GJB 548 试验项BB级器件Bl级器件LTPD 说呢1方法条件和要求方法条件和要求C2分组温度绪环1010 试验条件C1010 试验条件Cm定加速度2001 试验条件E2001 试验条件DYl方向Yl方向密封1014 1014 细检靠着试事盘条件Al试验条件Al或A2或A2主主租淦漏试草童条件Cl试验条件ClQJ 2690 或C2或C2规定目栓接方法1010按方法101号的吕捡到提的巨检#IJ振终点电测试Al. A2, A3 Al. A2, A3 分组读数并分组渎数并作记录，作记录4.4.4 D组检验D组检验应符合表S的规定。Dl,D2、D5,D6、D7分组可采用同一

17、检验批中电性能不合格约器件作为样本，表SD组检验GJB 548 试验项目B级器件Bl级器件LTPD 说明方法条件和要求方法条件和要求Dl分组. 物理尺寸2016 I按规定2016 按规定D2分组寻i线牢固性2004 试撞条件B220白4试验条伶B2按密封1014 1014 QJ 2690 细检漏试验条件Al试验条件Al规定或A2或A2桓检漏试验条件Cl试撞条件Cl或C2或C2lZ QJ 2875 97 续表8GJB 548 试验项吕B级器件Bl级器件LPD 说呢方法条件和要求方法条件和要求D3分经热冲击1011 试草盘条件B1011 试验条件B至少15次缩写至少15次循到温度循环1010 试验

18、条件C1010 试验条件C至少100次稽至少100次循抗翔湿i 1004 环按规定，片1004 环接生E定，片式载体不要求式载体不要求弓i线弯曲应力寻i线弯曲应为的预处理的预处理主量密封1014 1014 细淦漏试革盘条件Al试验条伶AlQJ 2690 或A2或A2! 规定租检漏试验条件Cl试整条件Cl或C2或C2自检接方法1004按方法1004幸Q1010的吕和i。”的目淦判据检判据终点电测试Al. A2、A3AL A2、A3可在抗漉湿试验后；分重E分组密封住检喜盘前进行终点电测试以分组用在D3分组中“热机械：中击2002 试验条件B2002 试垂条件A接稳定性和抗潮温”中变频振动i 200

19、7 试整条件A2007 试墨量条件AQJ 2690 的器件可用在D4分运定加速度2001 试验条件在2001 试验条件D短的“机械试验”中YI方向I Yl方向密封1014 1014 缀捡漏！试验条件AI试5盘条件Al或A2或A2程栓漏试墨量条件Cl试墨盘条14Cl 或C2或C2自捡主量方法2002按方法2002和2007的g和2007的吕检判据撞到据终点电测试AL.A2.A3分笙ALA2、A3分量13 QJ 2875 97 续表SGJB 548 试验项目B级器件Bl级器件LTPD 说哥哥方法条件和要求方法条件和要求D5分组按盐雾I 1009 试验条件AQJ 2690 Bl级器件若要求，可规定在

20、订货协议上统定。密封1014 方法要求条件lilJB 结检喜喜试验条得Al级器件或A2理检漏试验条伶Cl或C2吕检接方法1009？的吕检判摞D6分毯3(0) 当试验3个器件，若内部水汽含量i 1018 在100时最或一个失效再加试2大水汽含量5(1) 个器件，试主量不失效为，5000pp回到通过，若第一次及追加试盛未渥过时，可在鉴定机构认可的另一试验室进行第二次试验，若第二次试淦透过，则该批器件应接牧D7分组按引线涂覆粘露营强2025 接方法20252025 接方法约25QJ 2690 度第3.1条的第3.1条的规定失效究提失效!j!JJ据DS分主呈5(0) 仅适用于隐瓷熔封封盖担矩2024

21、按规定2024 按规定的外交4. 4. 5 E组检验E组检验仅对有辐射强度保证的器件接表9的规定进行。RHA的等级应符合GJB597 约规定每E组检验不合格的器件不得作为被试等级的器件，但可用作非RHA器件，当器件符合较低等级要求时，也可作为较低等级的RHA器件14 。J2875 97 表9E组检验GJB 548 样本大小接收数试验项 方法条件和要求S级B级和Bl级E分组试草盘毒草电草草试肿规范4.5. 3 *fll扣的AlA7,A9分组稳态总剂量辐射1019 T.25，最大电源电压鉴定捡验4(0) 15(0) 质量一致性检验4(0) 11 (0) 终点电测试按表5的Al,A7、A9分组4.S

22、 检验方法4. s. 1 电压和电流检验中规定，所有绘出电压值均以器件的GND端为参考点，电流以流入器件的引出端为正。4.5.2老化及寿命试验始冷却过程当老化或寿命试验完成后，去掉偏置电压之前，被试器件（OUT）应冷却至能量稳定状态温度在1oc之内，然后进行最终电参数测试在老化或寿命试验前后对表10中规定的电参数进行测试并记录，以得出其变化量Cb.参数名称静态电源电流号型量一伶变一萄下一C一号，、2寸iiA 唱i表一号符ho 所有型号变化量卒极限士10%35严A4. s. 3静态电源电流（loo）的测试进行静态电源电流测试时，电袤的安置应使全部电流过该电表。s 交货准备5.1 包擎着苦件按GJ

23、B597第5.1条的规定包装，保证器件不受损害。6说明事项6. 1订货资料6. 1. 1获取必要资料获取资料规定如下za.完整的器件编号事b.需要时，对器件制造厂每次交付的器件，需要提供相应检验批的质量一致性检验数15 。J2875 97 据要求各需要时，对合格证书的要求：d.需要时，对器件或工艺更泼的情况，除了通知鉴定机构外，还要通知订货单位se.需要时，对失效分析（包括按GJB548方法5003要求的试验条件，纠正措施和结果提供报告的要求gf.对器件保证要求5g.需要砖，对特殊载体封装、弓线长度或引线形式的要求sh对认证标志的要求Fi需要时，其他要求ti. 2操作须知CMOS器件必须采取防

24、护措施避免积聚的静态电荷的辐射z这些CMOS器件以一种硅门电路技术创造约，包括输入保护，用来减少危害。推荐下列操作措施za.器件应安置在防静电工作台上操作$如试验设备和器具应接地；c.不能触摸器件引线3d.器件应存放在导电材料或导电材料制成的容器内ge.在CMOS区域的应避免使用能引起静电的塑料，橡皮和丝织物zf.若可能相对湿度应保持在50%以上e6. 3缩写湾、符号和定义本规范使用的缩写词、符号和定义，均应符合GB3431.1,GB 3431. 2,GB 4728,GJB 597和QJ1971的规定。6.4替代性本规范规定的器件，其功能可替代普通工业用器件。普通工业用器件在军用温度范围不具有与军用器件等效的工作性能和特性e16 附加说明g本规范由中国航天工业总公司七0人所提出e本规范囱中国航天工业总公司七O六所等单位负责起草本规范主要起草人z卡宗义、计贤春。卜aimhrN。中建航天工业总公司航天工业行业标准半导体集成电路CMOS数字门阵列详细规范QJ 2875-97 中国航天工业总公司第七。八研究所出短发行七OJ.所排版印刷1997年S月出版定价，4.50元