GA T 1651-2019 法庭科学 真空镀膜显现手印技术规范.pdf
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1、 ICS 13.310 A 92 中 华 人 民 共 和 国 公 共 安 全 行 业 标 准 GA GA/T XXXX-XXXX 平面粉尘足迹发现和提取方法 Method of Locating and Lifting Dust Footprint (送审稿) (本稿完成日期: 2007.8.28) - -发布 - -实施 中华人民 共和国公安部 发布 法庭科学 真空镀膜显现手印 技术规范 Forensic sciences Technical specifications for fingerprint development by vacuum deposition system (报批稿
2、) GA/T XXXX XXXX I 前 言 本标准按照 GB/T 1.1 2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国刑事技术标准化技术委员会指纹检验分技术委员会( SAC/TC179/SC3)提出并归口。 本标准起草单位:上海市公安局物证鉴定中心、公安部物证鉴定中心。 本标准主要起草人:张伟方、孙胜军、刘寰、梁彦林、曲会英、李孝君、薛静。 GA/T XXXX XXXX 1 法庭科学 真空镀膜显现手印 技术规范 1 范围 本标准规定了真空镀膜显现手印 技术 的原理、适用对 象、设备、镀膜材料、实验室环境要求、显现 准备
3、、操作步骤及注意事项等。 本标准适用于显现大多数非渗透性及部分半渗透、渗透性客体表面潜在手印,包括部分“ 502”胶 熏显后的客体等。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GA/T 144 指纹专业名词术语 3 术语和定义 GA/T 144 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 镀膜 真空度 degree of deposition vacuum 镀膜显现手印时,显现容器内所需达到的真空度。 3.2 镀膜 deposition 在客体表面镀上
4、介质薄膜的工艺。 3.3 蒸发源 melting pot 将镀膜材料蒸发成气体的高温加热装置。 3.4 显现角度 development angle 所显客体手印遗留面与水平方向的夹角。 3.5 显现距离 development distance 所显客体手印遗留部位与蒸发源的距离。 3.6 蒸发时间 melting time 镀膜材料受热挥发的时间。 GA/T XXXX XXXX 2 3.7 蒸发电流 melting electric current 蒸发源加热时的电流。 4 显现原理 在镀膜显现手印所需的真空度环境条件下,镀膜材料受热气化镀于客体表面,由于客体表面有手印 与无手印部位对镀膜
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