DB32 T 3594—2019 晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法.pdf
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1、ICS 27.160 F12 备案号: DB32 江苏省 地 方 标 准 DB32/T 35942019 晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法 Test method for hot-spot endurability of crystalline silicon solar cells 2019 - 04 - 08 发布 2019 - 04 - 30 实施 江苏省市场监督管理局 发布 DB32/T 35942019 I 前 言 本标准依据 GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由 无锡市 市场监督管理局 提出 并归口 。 本标准起草单位:国家太阳能光伏产品质量监督检验中心,江苏彩虹
2、永能光伏科技有限公司。 本标准主要起草人:王美娟、胡旦 、 王亿、钦卫国、周挺。 DB32/T 35942019 1 晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验 方法 1 范围 本标准规定了晶体硅太阳电池热斑耐久性能的试验方法。 本标准适用于单晶硅、多晶硅太阳电池,也可用于经过封装,但电池的电路单独引出的样品。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 IEC 60904-1 光伏器件 第 1部分:光伏电流 电压特性的测量( Photovoltaic devices-
3、Part 1: Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics) IEC 60904-9 光伏器件 第 9部分:太阳模拟器性能要求( Photovoltaic devices-Part 9: Solar simulator performance requirements) IEC 61215-2 地面用晶体硅光伏组件( PV)设计鉴定和定型 第 2部分:试验程序( Terrestrial photovoltaic (PV) modules Design qualification and type approval Pa
4、rt 2: Test procedures) UL 1703 平面光伏电池板( Flat-Plate Photovoltaic Modules and Panels) 3 术语 下列术语和定义适用于本文件 。 3.1 太阳电池电压 电流象限 the I-V quadrants of solar cell 以电压为 x轴、电流为 y轴,以光照条件下太阳电池吸收光功率对外输出电功率的工作区域为第一象 限的二维平面,见 图 1。 图 1 太阳电池电压 电流象限 V I I V 一 二 三 四 一 二 三 四 a)光照条件下 b)无光照条件下 DB32/T 35942019 2 3.2 额定串联 电池
5、 数 rated series cell number (s) 光伏组件中一个旁路二极管并联的电池数量最大值。 3.3 额定反向电压 rated reverse voltage ( Vrr) 在标准测试条件下,光伏组件中一块电池被完全遮挡时承受的最大反向电压值。这个值和组件的开 路电压 Voc有关。在全串联组件中,总电池数量为 n,则定义 Vrr = Voc/n(s-1)。 4 试验原理 根据 IEC 61215-2, 当组件中 的 一块或一组 电池被遮光或损坏时, 它能产生的最大光生电流(该片 电池的短路电流)小于所在串联电路的 工作电流 。若此时该 电池 的某一部分温度高于周围正常工作的电
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