【考研类试卷】重庆大学《电子技术一》考研真题2010年及答案解析.doc
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1、重庆大学电子技术一考研真题 2010年及答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B概念题/B(总题数:10,分数:40.00)1.简述 PN结在外加电压作用下,载流子的运动特点。(分数:4.00)_2.如果在 NPN型三极管放大电路中测得发射线为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为 1状态。(分数:4.00)填空项 1:_3.在由偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_,由奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_。(分数:4.00)填空项 1:_4.在放大电路中,为什么要设置静态工作点?(分数:4.00)_5.放大电路引入负反馈后,放大倍数
2、变为原来的_倍,上限频率变为原来的_倍,下限频率变为原来的_倍。(分数:4.00)填空项 1:_6.差分放大器有_三种类型,其中用于单端输出的最好为_型。(分数:4.00)填空项 1:_7.正弦波振荡电路的组成部分有哪些?(分数:4.00)填空项 1:_8.有源滤波器与无源滤波器的区别是在电路中引入了_环节,这是为了_。(分数:4.00)填空项 1:_9.负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件为_,正弦波振荡电路的相位条件为_,放大器都工作在_条件下。(分数:4.00)填空项 1:_10.运算放大器的输出失调电压是如何定义的?(分数:4.00)_二、B/B(总题数:1,分数:15.00)如图 1
3、所示放大电路,已知晶体管的 =100,U BE=0.7V,r bb=300,r ce可忽略,R E=3k,I 1I 2=10IBQ,C 1、C 2和 Ce均可视为中频交流短路。(分数:15.00)(1).欲使 ICQ=1mA,I CEQ=6V,试确定 RB1、R B2和 RC的值(分数:5.00)_(2).画出放大电路的微变等效电路(分数:5.00)_(3).设 RL=4.3k,计算放大电路的中频电压放大倍数及输入、输出电阻。(分数:5.00)_三、B/B(总题数:1,分数:10.00)在如下图所示电路中,A 为理想运算放大器,问:(分数:10.00)(1).图(a)和图(b)所示的电路是什么
4、类型的信号运算电路?(分数:2.50)_(2).它们分别属于什么类型的反馈电路?(分数:2.50)_(3).它们的输入电阻有什么不同?(分数:2.50)_(4).它们的电压放大倍数各是多少(写出表达式)?(分数:2.50)_四、B/B(总题数:1,分数:10.00)如下图(a)和(b)所示电路(运放为理想运放)求:(分数:10.00)(1).分别判断题图(a)和(b)能否产生自激振荡(分数:5.00)_(2).求出可以振荡的电路中的 R1与 R2的关系(分数:5.00)_重庆大学电子技术一考研真题 2010年答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B概念题/B(总题数:10,分数
5、:40.00)1.简述 PN结在外加电压作用下,载流子的运动特点。(分数:4.00)_正确答案:(当 PN结加正向偏压时,外电场的方向与内电场方向相反,外电场削弱内电场,耗尽层变窄,扩散运动大于漂移运动,多子扩散形成正向电流。当 PN结加反向偏压时,外电场的方向与内电场方向相同,外电场加强内电场,耗尽层变宽,扩散运动小于漂移运动,少子漂移形成反向电流。)解析:2.如果在 NPN型三极管放大电路中测得发射线为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为 1状态。(分数:4.00)填空项 1:_ (正确答案:饱和)解析:3.在由偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_,由奇数
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