【考研类试卷】西安交通大学《电子技术基础》考研真题2008年及答案解析.doc
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1、西安交通大学电子技术基础考研真题 2008 年及答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B单项选择/B(总题数:10,分数:20.00)1.关于稳压管,下列说法哪个是正确的?_ A.只有锗管可以作为稳压管 B.稳压管的反向击穿电压必须大于 6V C.发生热击穿,稳压管不会被损坏 D.与普通二极管相比,硅稳压管的动态电阻较小(分数:2.00)A.B.C.D.2.在半导体二极管中,可以用于高频开关电路的是_。 A.硅稳压管 B.点接触二极管 C.面接触二极管 D.整流管(分数:2.00)A.B.C.D.3.对于单晶体管放大电路,下列描述哪个是正确的?_ A.共基极放大电路的高频性能优
2、于其他两种电路 B.静态工作点的改变,只会影响动态范围,不会影响放大电路的其他指标 C.对任何形式的单晶体管放大电路,晶体管的改变,不会影响静态工作点 D.共射极放大电路的输入电阻最大(分数:2.00)A.B.C.D.4.由两个三极管组成的双端输入差动放大电路_。 A.具有较高的差模电压放大倍数和较低的共模电压放大倍数 B.能够有效降低输出电阻和增大输入电阻 C.具有较高的差模电压放大倍数和较高的共模电压放大倍数 D.具有较高的功率放大倍数和较低的失真(分数:2.00)A.B.C.D.5.关于场效应管,下列描述哪个是正确的?_ A.N 沟道 JFET 的输入电阻小于 P 沟道 JFET 的 B
3、.MOSFET 的输入电阻一般小于 JFET 的 C.场效应管是电流驱动型的 D.场效应管是电压驱动型的(分数:2.00)A.B.C.D.6.在放大电路中引入深度负反馈,一定可以_。 A.增加输入电阻 B.提高增益稳定性 C.降低输出电阻 D.提高共模抑制比(分数:2.00)A.B.C.D.7.关于隔离放大器,下列描述哪个是正确的?_ A.变压器可以用于低频信号的隔离放大 B.隔离放大器的共模抑制比很低 C.只要是小信号放大,都必须用隔离放大器 D.隔离放大器的电压放大倍数很高(分数:2.00)A.B.C.D.8.关于迟滞比较器,下列描述哪个是正确的?_ A.迟滞比较器有两个比较点 B.在一般
4、比较器中引入延时输出环节,就构成了迟滞比较器 C.迟滞比较器的灵敏度很高 D.迟滞比较器能抑制交越失真(分数:2.00)A.B.C.D.9.在功率放大器中,当输入信号为正弦波,输出幅度足够大时,_。 A.甲类最高效率为 78.5% B.甲乙类最高效率大于 78.5% C.乙类比甲类、甲乙类的效率都高 D.甲类效率最高(分数:2.00)A.B.C.D.10.集成三端稳压器_。 A.有三个管脚及分别是外部稳压基准输入,外部电压输入和输出 B.有正输出和负输出两类 C.可以将 220V 交流电压作为输入 D.效率很高(分数:2.00)A.B.C.D.二、B/B(总题数:1,分数:25.00)电路如图
5、 1 所示。已知晶体管 VT 为硅管,U BE=0.6V,=50,r bb=200。电阻参数标注在图中。C 1=C2=47F,C E=100F,C L=4700pF。(分数:25.00)(1).求晶体管 VT 的静态工作点 ICQ、U CEQ的值。(分数:6.25)_(2).求晶体管 VT 的 rbe的值。(分数:6.25)_(3).当开关 S 置于 A 时,求放大电路中频的 Au=uo/us1、输入电阻 Ri、输出电阻 Ro、下限截止频率 fL和上限截止频率 fH(分数:6.25)_(4).当开关 S 置于 B 时,定性说明 Au=uo/us1、R i、R o、f L和 fH有何变化?(分数
6、:6.25)_三、B/B(总题数:1,分数:15.00)三角波-方波发生器电路及参数如图 1 所示,双向稳压管的稳压值为5V,运放电源电压为15V,运放可视为理想的。(分数:15.00)(1).A1是比较器吗?R 1的作用是什么?A 2和 R4、C 组成了什么电路?(分数:3.00)_(2).整个电路功能是什么?图中 A 点输出什么波形?C 点输出什么波形?(分数:3.00)_(3).定性画出当 US=0V 时,B 点波形(仅需画出波形形状)。(分数:3.00)_(4).估算当 US=0V 时,C 点输出波形的频率?(分数:3.00)_(5).解释 US发生改变对输出波形的影响。(分数:3.0
7、0)_四、B/B(总题数:1,分数:15.00)在下图所示的电路中,假设运放是理想的,且电路正常工作。(分数:15.00)(1).写出 A 点电压 UA和输入电压 U1、U 2、U 3的关系式。(分数:3.75)_(2).写出输出电流 Io与 A 点电压 UA的关系式。(分数:3.75)_(3).晶体管 VT1和 VT2的作用是什么?(分数:3.75)_(4).指出电路中存在的反馈类型(正/负,电压/电流,串联/并联)。(分数:3.75)_西安交通大学电子技术基础考研真题 2008 年答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B单项选择/B(总题数:10,分数:20.00)1.关于
8、稳压管,下列说法哪个是正确的?_ A.只有锗管可以作为稳压管 B.稳压管的反向击穿电压必须大于 6V C.发生热击穿,稳压管不会被损坏 D.与普通二极管相比,硅稳压管的动态电阻较小(分数:2.00)A.B.C.D. 解析:解析 稳压管一般是硅管;反向击穿电压低于 6V 的稳压管,发生热击穿时,超过一定电流值,稳压管会被损坏。因此正确答案为 D。2.在半导体二极管中,可以用于高频开关电路的是_。 A.硅稳压管 B.点接触二极管 C.面接触二极管 D.整流管(分数:2.00)A.B. C.D.解析:解析 点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路3.对于单晶体管放大电路,下列
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