YD T 2618.1-2013 40Gbs相位调制 光收发合一模块技术条件 第1部分:差分相移键控 调制.pdf
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1、ICS 33.180.20M33丫J中华人民共和国通信行业标准YD/T 2618.1-201340Gb/s相位调制光收发合一模块技术条件第1部分:差分相移键控(DPSK)调制Technical specification of40Gb/s phase modulation formats optical transponderPart 1:Differential Phase Shift Keying (DPSK) modulation2013-10-17发布中华人民共和国工业和信息化部2014-01-01实施发布丫D厅2618.1-2013目次前言m1范围.12规范性引用文件.13缩略语14
2、术语和定义. 25技术要求。.35.1分类,。.35.2光接口技术要求一35.3电接口技术要求95.4光模块极限条件要求。”二”.105.5 40Gb/s DPSK光模块封装形式要求105.6环保符合性。106测试方法。106.1测试环境要求。,106.2中心频率、边模抑制比、眼图、-20dB谱宽、输出平均光功率的测试.116.3星座图的测试116.4光回波损耗测试.126.5 OSNR容限测试”126.6 DOD容限测试126.7色度色散容限测试”136.8接收灵敏度和过载光功率测试”146.9抖动测试146.10高速电接口测试147可靠性试验147.1可靠性试验环境要求”147.2可靠性试
3、验要求。147.3不合格判据.157.4电磁兼容试验要求”.“”“158检验规则。168.1检验分类。168.2出厂检验.168.3型式检验179标志、包装、运输和贮存。18I丫D厅2618.1-20139.1标志.189.2包装。189.3运输189.4贮存。18附录A(规范性附录)40Gb/s DPSK光模块标称波长定义.19附录B(规范性附录)40Gb/s DPSK光模块电接口规范.21附录C(资料性附录)40Gb/s DPSK光模块抖动测试.26YD厅2618.1-2013月Ii胃(40Gb/s相位调制光收发合一模块技术条件分为三个部分:第1部分:差分相移键控(DPSK)调制;第2部分
4、:差分正交相移键控(DQPSK)调制;第3部分:相干接收和双极性相移键控调制。本部分为40Gb/s相位调制光收发合一模块技术条件第1部分。本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。本部分主要参考ITU-T G.693局内系统光接口、ITU-T 6825基于同步数字体系的数字网抖动和漂移的控制、ITU-T 6825基于同步数字体系的数字网抖动和漂移的控制增补文件1. ITU-T G 8251光传送网(OTN)内抖动和漂移控制、ITU-T G.8251光传送网(0Th)内抖动和漂移控制增补文件1.ITU-T 6959.1光传送网物理层接口和MSA (300PIN 40Gb/s收发合一光模
5、块的参考文档等文件编制。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中国通信标准化协会提出并归口。本部分起草单位:中兴通讯股份有限公司、武汉邮电科学研究院、工业和信息化部电信研究院、无锡市中兴光电子技术有限公司。本部分主要起草人:张琦、尚冬冬、邹晖、赵文玉、李现勤、李蒙、武成宾。YD汀2618.1-201340Gb/s相位调制光收发合一模块技术条件第1部分:差分相移键控(DPSK)调制范围本部分规定了40Gb/s(指的是从39.813Gb/s-44.584Gb/s )差分相移键控(DPSK)调制光收发合一模块的缩略语、术语和定义、技术要求、测试方法、可
6、靠性试验、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本部分适用于40Gb/s差分相移键控(DPSK)调制光收发合一模块,以下简称为40Gb/s DPSK光模块。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序GB 9254-2008信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法GB/T 17626.3-2006电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验YD/T1111.1-2001 SDH光发送/光接收模块技术要求一2.488320Gb
7、it1s光接收模块YD/T1111.2-2001 SDH光发脚光接收模块技术要求一2.488320Gbit1s光发送模块YD/T 1991-2009 NX 40GbitJs光波分复用(WDM)系统技术要求YD/T 2492-2013 40Gb/s强度调制光收发模块技术条件SJ/T 11363-2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求SJ/T 11364-2006电子信息产品污染控制标识要求SJIT 11365-2006电子信息产品中有毒有害物质的检测方法ITU-T G.694.1 WDM应用的光谱栅格:DWDM频率栅格(Spectral grids for WDM applications
8、:DWDM frequency grid)IEC 61000-4-2:2008电磁兼容性第4-2部分:试验和测量技术静电放电抗扰度试验(ElectromagneticCompatibility (EMC)一Part 4-2: Testing and Measurement Techniques一Electrostatic Discharge Immunity Test)MIL-STD-202G电子和电气元件试验方法标准(Test method standard electronic and electricalcomponent parts)MIL-STD-883H微电子器件试验方法标准(Te
9、st methods standard microcircuits)OIF-SFI5-01.0串并及并串转换与成帧器的5级接口:40Gb/s物理层设备接口协议(Serdes FramerInterface Level 5 (SFI-5): Implementation agreement for 40Gb/s Interface for Physical Layer Devices.)Telcordia GR-468-CORE:2004用于通信设备的光电器件通用可靠性保证要求(Generic reliabilityassurance requirements for optoelectroni
10、c devices used in telecommunications equipment)3缩略语下列缩略语适用于本文件。丫D厅2618.1-20133RAPSCBRCSRZDODDPSKDWDMEOLFECFSRLOSMSANRZORLOSNROTNOUTPMDPRBSRZSDHSTMSFI-54术语和定义Regenration,Reshaping,RetimingAuto Power SupplyConstants Bit RateCarver Suppressed Return to ZeroDifferential Group DelayDifferential Phase Shi
11、ft KeyingDense Wavelength Division MultiplexEnd of LifeForward Error CorrectionFree Spectrum RangeLoss of SignalMulti-Source AgreementNone Return to ZeroOptical Return LossOptical Signal-to-Noise RatioOptical Transport NetworkOptical Transponder UnitPolarization Mode DispersionPseudo Random Binary S
12、equenceReturn to ZeroSynchronous Digital HierarchySynchronous Transfer ModuleSerdes Framer Interface Lever 5重生,重整形,重定时自动电源供给固定码率载波抑制归零差分群时延差分相移键控密集波分复用寿命终了前向纠错自由光谱范围信号丢失多源协议非归零光回波损耗光信噪比光传送网光转发单元偏振模色散伪随机二进制序列归零同步数字体系同步传输串并及并串转换与成帧器的5级接口YD/T 1111.1 2001. YD/T 1111.2-2001和YD/T 1991-2009界定的以及下列术语和定义适用于本
13、文件。4.1相移键控Phase Shift Keying一种用载波相位表示输入数字信号信息的调制技术。相移键控调制分为绝对相移键控调制和相对相移键控调制两种。绝对相移键控调制指以未调载波的相位作为基准的相位调制。相对相移键控调制指用前后码元的相对载波相位差传送数字信息的相位调制。4.2差分相移键控 Differential Phase Shift Keying一种经过DPSK差分预编码的相移键控调制技术,其中DPSK差分预编码方式的定义见式(1):峨=ak峨一:1.0dB(寿命实验为1.5dB )。7.4电磁兼容试验要求7.4.1电磁兼容试验分类模块的电磁兼容试验分为两类:一一射频电磁场辐射抗
14、扰度试验;一一射频电磁场辐射发射试验.7.4.2射频电磁场辐射抗扰度试验:YD厅2618.1-2013射频电磁场辐射抗扰度试验如下:a) 40Gb/s DPSK光模块的射频电磁场辐射抗扰度应符合GB/T 17626.3-2006试验等级2的要求,其试验频率、电场强度和幅度调整见表130表13射频电场辐射抗扰度试验要求名称规范频率范围80MHz簇解1000MHz试验场强3W山幅度调制80%幅度调制(1kHz正弦波)b)试验合格判据:每次独立作用期间,比特误码数应为Oo7.4.3射频电磁场辐射发射试验40Gb/s DPSK光模块的射频电磁场发射试验按GB 9254-2008中B级信息技术设备要求进
15、行,包括1 GHz以下辐射发射限值试验和1 GHz以上辐射发射限值试验。7.4.3.1 1 GHz以下辐射发射限值发射试验1 GHz以下辐射发射限值发射试验如下:a) 1GHz以下辐射发射限值见表140表14 B级信息技术设备在,GHz以下测量距离3m处的辐射发射限值频率范围f(MHz)准峰值限值dB 5 V/m30f23040230挥100047注1:当出现环境干扰时,可以采取附加措施b)试验合格判据:辐射强度小于准峰值限值。7.4.3.2 1 GHz以上辐射发射限值发射试验1 GHz以上辐射发射限值试验如下:a) 1GHz以上辐射发射限值见表150表,56级信息技术设备在,GHz以上测量距
16、离3m处的辐射发射限值频率范围f (GHz)平均值dB 5 Wm峰值dB 5 V/m1挥350703斧654746声40待研究待研究b)试验合格判据:辐射强度不应该超过平均值、峰值。8检验规则8.,检验分类40Gb/s DPSK光模块检验分为出厂检验和型式检验。8.2出厂检验出厂检验分为常规检验和抽样检验-8.2.1常规检验YD厅2618.1-2013常规检验应百分之百进行,检验项目如下:a)光电性能检验。按第6章要求,对光接口参数输出平均光功率、中心波长和接收机OSNR容限进行检测,检测结果应满足表1的规定。b)高温电老化。在最高工作温度下,模块正常工作状态,老化时间至少24h。恢复:在正常
17、大气条件下恢复lh后测试。失效判据:输出平均光功率、中心波长和接收机OSNR容限不满足表1的规定。8.2.2抽样检验从批量生产中生产的同批或若干批产品中,按GB/T 2828.1-2003规定抽样,取一般检查水平II,接收质量(AQL)和检验项目及方法如下。a)外观AQL取1.5;检验方法:目测,表面无明显划痕,无各种污点,产品标识清晰牢固。b)外形尺寸AQL取1.5;检测方法:用满足精度要求的量度工具测量,符合产品5.5的规定。c)光电性能检测AQL取0.4;检测方法:按6章的规定对光电参数进行测试,其结果应符合表1的规定。8.3型式检验8.3.,检验条件40Gb/s DPSK光模块有下列情
18、况之一时,应进行型式检验:新产品定型或老产品转场时;正式生产后,如结构、材料、工艺有较大改变,可能影响产品性能时;产品长期停产12个月后,恢复生产时;出厂检验结果与鉴定时的型式检验有较大差别时;正常生产24个月后;国家质量监督机构提出进行型式检验要求时。8.3.2型式检验前要求在进行型式检验前,按第6章的规定对样品的光电特性进行测试,其结果应符合表1的要求,并记录测试结果。8.3.3检验项目及抽样方案型式检验的检验项目及抽样方案见表12要求进行可靠性试验。8.3.4样品处理凡经受了型式检验的样品,一律不能作为合格品交付使用。8.3.5产品不合格的判定可靠性试验不合格的判定按7.3条规定执行,各
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