SJ T 10079-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54182/CT74182型超前进位产生器.pdf
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1、L -i中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 1004210048-91SJ/T 10078.10086-91电子元器件详细规范半导体集成电路TTL电路(一)1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CT54182/CT74182型超前进位产生器SJ/T 10079-91Detail specification for electronic componentsSemiconductor integrated circuitCT54182/CT74182 look-ahead carry ge
2、nerator本规范规定了半导体集成电路CT54182/CT74182型超前进位产生器质量评定的全部内容。本标准符合GB 4589. It半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB/T 127501半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求.中华人民共和国机械电子工业郎1991-04-08批准1991-07-01实施一119一SJ/T 10079-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的依据:GB 4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路”SJ/T 10079-91CT54182/CT74182型超前进位产生器详细规范订货资料
3、:见本规范第7章。机械说明简要说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸。外形图,GB 7092D型5.3条及5.3.1条J型5.4条及5.4.1条P型5. 5条及5.5.1条F型5. 1条及5.1.1条双极型运算器半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、功能表见本规范第11章。品种:引出端排列:CNDv代P2C之Ct,Coco,FCo共0-70C (C)一55-125C (M)陶瓷直插(D)CT54182MD黑瓷直擂(J)CT7418ZCJCT54182MJ塑料直擂(P)CT74182CP多层肉瓷扁平(F)CT54182MF一氏一叭氏-仇-气-凡引出端符号名称见本规范第11.4条。标
4、志:按GB 4589. 1第2. 5条及本规范第6章.质量评定类别。,A.,B.,C一118一SJ/T 10079-914极限值(绝对.大颇定值)若无其他规定,适用于全工作沮度范围。条款号参数符号数值单位最小.大4.1工作环境温度54T.mb一55125740704.2贮存温度几.一65ISO4.3电谭电压V-7v4.4输入电压Vl515v4.5多发射极晶体管输入端间的电压v5. 5v5电工作亲件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1电工作条件若无其他规定,适用于全工作温度范围。条款号参数符号数值单位最小最大5.1.1电浪电压54V-4.55.5v744.755.255.1.2输入高电
5、平电压v,2v5.I3输入低电平电压v0.8v5 14输出高电平电流lox一800尸A5.1.5输出低电平电流I.,16mA2电特性若无其他规定,适用于全工作温度范围.119SJIT 10079-91条歌号特性和条件”符号规范值单位试验最小最大5.2.1输出高电平电压V。二最小V,二2VV,L=0.8V lox=-800pAVox2.峨VA35-2.2箱出低电平电压v“二最小V.=2vV,=0.8V lo,.=16mAV既0今VA35.2.3愉入钳位电压V-=最小1,二一12mAVu一1.5vA35.2.4一输入高电平电流v-=最大Vw = 2.4VCl.1,H80ILAA3120P,p:16
6、0Po P,石,200百oC,360C4005.2.5翰入低电平电流v二二最大v二二。.4VCl.L,一3.2.AA3一4.8p:一6.4p,Pa F,己:一8一14.41o己,一16乙5.2.6最大输入电压下的输入电流Vcc二最大V,=5- 5V1.1.AA35.2.7输出短路电流Vcc二最大lo,一40一100.AA35.2.8电深电流Vc。二最大G-G石:接4. 5 V输出端开路其他输入端接地54了以165.AA372745.2.9传输时间C二15pF 2,.=4000了6=25C Vcc=5V1“,H17nSA4l-,22注:1) V-为最小或最大,按本规范第S. 1.1条。标志一12
7、0SJ/T 10079-91器件上的标志示例:认证合格“适用时卜一t.一口厂p_。174182CP7fth端W别你志一r十-一口8916,一型号质必评定类别制造单位商际检验批识别代码若受器件尺寸限制时,允许将“检验批识别代码”、“质量评定类别”标在器件背面。订货资料若无其他规定,订购器件至少需要下列资料a.产品型号;b.详细规范编号;c.质2评定类别;d其他。试验条件和检验要求抽样要求:根据采用的质A评定类别,参照GB/T 12750第9章的有关规定.A组检验的抽样要求分组AQI.I类.类IL人Ql.ILAQLA1!0.6510.65A210. 1I0.1A3I0.15l0. 15A3aS41
8、.0S41.0A3bS41.0S41.0人4S41.0S41.0121SJ/T 10079-91B组、C组和D组检骏的抽样要求分组LTYU.类,类ABCB1IS15IS生5Cl20202020C2b15151515C3ISISI515B4 C4IO10IO10B5 C510101010C620202020C715151815B8 C8105710C9155715Cll20202020B2120101015C2320101520C2420101520D8105710A组逐批全部试验均为非破坏性的(见GB 4589. 1第3,6. 6条)检脸或试验引用标准条件若无其他规定7b= 251C(见GB4
9、589.1第4. 1条)检脸要求规范值A1分组外部目检GB 4589. 14.2.1.1条标志清晰,表面无损伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5. 2. 1条、5. 2. 2条和11. 3条按本规范5.2.1条、S.2.2条和1113条A3分组25下的静态特性GB 3439(半导体集成电路TTL电路侧试方法的基本原理按本规范5. 2. 1条至5. 2. 8条和10.1条按本规范5.2.1条至52.B条122SJ /T 10079-91A组逐批(续)检验或试验引用标准条件若无其他规定,T.mb-25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值A3a分组.商工作盘度下的静态特性GB
10、3439Tb按本规范4.1条规定的最大值.条件:同A3分组同A3分组A36分组最低工作盆度下的静态特性GB 3439T.mb按本规范4.1条规定的最小值.条件:同A3分组同A3分组A4分组25下的动态特性GB 3439按本规范5. 2. 9条按本规范5.2.9条B组逐批标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589. 1第3.6. 6条)检脸或试脸引用标准条件若无其他规定,T.mb-25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值BI分组尺寸GB 4589.1,4.2.2条及附录B按本规范第1章B4分组可焊性GB 4590半导休集成电路机械和气候试验方法)2.5条按方法b(/焊法)一一,
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