SJ T 10061-1991 电子元器件详细规范 2CV3A,2CV3B和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管.pdf

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1、rJ中华人民共和国电子工业行业标准sJ/T 10061-91电子元器件详细规范2CV3A、2CV3G和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范2CV3A,2CV3B和2Cv3G型硅肖特基势垒混频二极管SJ/T 10061-91Detail specification for electronic componentsSilicon schottky barrier mixer diodesfor types 2CV3A,2CV3B and 2CV3G本标准适用于2CV3型硅

2、肖特基势垒混顿二极管，它符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB 12560半导体器件分立器件分规范的1类要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1一SJ/T 10061-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质t的根据:GB 4589. 1(半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 12560(半导体器件分立器件分规范SJ/T 10061-912CV 3A, ZCV 3B和2CV3G型硅肖特签势垒混颇二极管详细规范订货资料:见本规范第7章机械说明2筒略说明外形标准:符合S1 2005微波二极管外形尺寸中W-05型外形图肖特基势

3、垒混频二极管半导体材料:硅封装:金属陶瓷(空腔)应用在X波段苗达通讯接收机和电子仪器中做混频和检波用3质f评定类别卫类参考数据F2900Ia, 1000A2b分组FIYr,GB 6570,4.6GB 6570,4.1.2GB 6570,3.3.1几=9375MHz,P=1mWfB= 30M Hz, P.=1. 5dB2CV3A,2CV3G2C V 3BVa-2V/F1=0. 3-A一、一dRI dBI pAmV一一4一SJ/T 10061-91续表检脸或试验引用标准条件T.m6=25C(见总规范的第4章)检验要求数值单位LTPD最小值最大值A3分组ZuVSWRDVFCto,GB 6570,4.

4、3GB 6570,4.4GB 6570.3. 3. 1GB 6570,3.5f.=9375MHz,P=1.Wf.=9375MHa,P=1m WIv,=0. 3mAIr.=1mA1504501.6500.70nmVpF7B组逐批标注(D)的试验是破坏性(3.6.6)检验或试验引用标准条件Tt=25(见总规范的第4章)检验要求极限单位LTPD最小值最大值川分组尺寸4.2.215B5分组温度变化继之以密封GB 4937.3.1.1“GB 4937,3.7.4GB 4937,3.7.5TA=一55C , 7n= 125Ct,=30min,t,=2-3min循环次数:5次细检漏:方法1粗检漏:方法3试验

5、液体:氟油10Pacm s20B$分组电耐久性最后测试:F，1.1F本规范10.3GB 6570,3.3.1GB 6570,4.1.2GB 6570,4.5寿=4士0. 2.A时间168h1, =0. 3.AV. =2VJ. = 9375MHz, P=1-Wju=30MH.,Fim=1. 5dB2CV3A,2CV3G2CV 3B320207.76.6mVpAdBdB10CRRL分组B5,B8的属性资料注1) GB 4937半导体分立器件机械和气候试验方法一5一SJ/T 10061-91c组逐批标注(D)的试验是破坏性(3.6.6)检脸或试验引用标准条件Tomb=25C(见总规范的第4章)检验要

6、求极限单位LTPD最小值最大值c1分组尺寸4.2.230C2b分组1xzGB 6570,4.1.211,一2V , T.,nb=100C10011A15C2c分组脉冲烧毁最后测试:1.GB 6570,4.8GB 6570,4.1.2频率9375MH.,重复频率1kHz脉冲宽度0. 2p“,负载电阻100a,温度下，正向烧毁5s, P，二1W,V.=2V20pA15C3分组引出端强度弯力矩(D)本规范10.2弯力矩二75.N “ m无损伤15C6分组变频振动继之以恒定加速度最后测试:1.,4iGB 4937.2.3GB 4937,2.5GB 6570,4.1.2GB 6570.3. 3. 1加速

7、度最小196m/s频率范围100.2000H.耐振时间X,Y方向各进行四次循环，每次循环的时间为8. 5.i.在X,Y方向，加速度为196000.s:时间各lminV. =2V1., =0. 3mA10290f.An1V20C8分组电耐久性最后测试:F曰1.,F本规范10.3GB 6570,3.3.1GB 6570,4.1. 2GB 6570.4.51,=4.0士0. 2mA时间1000111. =0. 3.A1.=2V儿=9375MH.P= 1-W五f=30MH2Fi.=1. 5dB2CV3A,2CV3G2C V 3B320207. 76.6mV拜AdBdB10一6一SJ/T 10061-9

8、1续表检验或试验引用标准条件Tb=25C(见总规范的第4章)检验要求极限单位LTPD最小值最大值C9分组高温贮存(D)最后测试1.,FF1GB 4937,3.2GB 6570.4-1.2GB 6570,3.3.1T.g=150时间1000hV.今ZVIP=0. 3.A20320pAn注V15CRRL分组C2,C3,C6和C9分组的属性资料，C8分组试验前后(均测量豁据9 D组鉴定批准试验(不要求)附加资料，特性曲线a. F -I。关系曲线(见图1)b.2“几关系曲线(见图2)F(dB)八曰U八U，胜jl两阅冈、.勺、场坛，叹屯一场、口一尸份侧卜.-，卜种，叫一l1.02.0,.(m人)图1整机噪声系数与整流电流的关曲线一?一SJ/T 10061-913007001.(.A)图2中频阻抗与整流电流关系曲线10.2弯力矩试验方法将电极一端固定在支持器上，在另一端上沿与轴线垂直方向上加75mN “ m弯力矩，在加力矩后，支持器旋转三次，试验后管壳和瓷管连接处无断裂现象。10. 3电耐久性试验方法器件应在稳态直流条件下工作，环境温度为常温无散热器。附加说明:本标准由国营九七O厂负责起草。一s一