SJ T 10044-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54LS273／CT74LS283型4位二进制超前进位全加器.pdf

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1、L -i中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 1004210048-91SJ/T 10078.10086-91电子元器件详细规范半导体集成电路TTL电路(一)1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CT54LS283/CT74LS283型4位二进制超前进位全加器S7/T 10044-91Detail specification for electronic componentsSemiconductor integrated circuitCT54LS283/CT74LS283 4-bit

2、binary full adder本规范规定了半导体集成电路CT54LS283/CT74LS283型4位二进制超前进位全加器质量评定的全部内容。本标准符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB/T 12750K半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施一29一3,1/T 10044-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质t的依据:GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)SJ/T 10044-91CT54LS283/CT

3、74LS283型4位二进制超前进位全加器详细规范订货资料:见本规范第7章。1机械说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸。外形图:GB 7092奎,R 5. 3. 1 ;A 5.4.1srr, & 5.5. l s15A 5. 1.1一引出端排列:;:c;v，。习v+B,C2 IS二Bz:亡3，、)，F,C413习F,Q习A，B,q、门。C1.r7I。， FGNDL89JCD,引出端符号名称见本规范第11. 1条。标志:按GB 4589. 1第2.5条及本规范第6章。2简典说明双极型全加器电路半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、功能表:见本规范第11章.品种:众0-70 C (C

4、)一55-1250 (M)陶瓷直擂(D)IQT54LS283MD 肠J.1 Is.2盆534s la6 117 108 9黑瓷直擂(J)CT74LS283CJCT54LS283MJ塑料直擂(P)CT74LS283CP多层宵瓷扁平(F)CT54LS283MFl3质ja评定类别I，IA二B,.CSJ/T 10044-91极限值(绝对最大额定值)若无其他规定，适用于全工作温度范围。条软号参数符号数值单位最小最大4.1工作环境温度54T.b一55125070744.2贮存温度T,tg一651504.3电深电压V比7v4.4输入电压v,7v4.5多发射极晶体管输入端间的电压V.5.5V电工作燕件和电特性

5、电特性的检验要求见本规范第s章。电工作条件若无其他规定，适用于全工作温度范围。条款号参数符号数值单位最小最大5.1.1电饵电压54V+4. 55.5v4.755.25745.1.2输入高电平电压VIHzv5.1.3输入低电平电压54V让0. 7v0.s745.1.4输出高电平电流lox一400产A5.1.5输出低电平电流54/oamA8mA74电特性若无其他规定，适用于全工作温度范围。SJ/T 10044-91条款号特性和条件曰符号规范值单位 试验最小最大5-2.1输出高电平电压V。二最小V,=2VVa二最大lo二一400pA54V.2. 5vA3A3zA3b2. 7一5.2.2输出低电平电压

6、Vm=最小V,=2vVII二最大54Ioi =4mAVo,0. 4vA3A3aA3b0. 474Ioi=4mA0. 51- =8.A5.2.3输入钳位电压V=最小h.=一18mAV水一1.5vA3A 3aA3b524一-输入高电平电流Vc.。二最大协.-2. 7 V1.20pAA3A3.A3b5.2.5一输入低电平电流Vcc二最大Vu.=0.4V一0.4-AA3A3.A 3b5.2.6 最大输入电压下的输入电流Vcc=最大V】一7V/,一盯-一.I-A一A3A3aIA3b5.2.7一。出短，各电流v二二最大I-一20一100.A一一一厂一万砚一”“A3b5.2.8电源电流VC。二最大输出端开路

7、所有输入端接地了仪39一-一.A.A3A3nA 3b所有输入端接4.5V34所有b;接Vn其他输入接4. 5V345.2.9传输时间Cr, =15pF尺.=2k口Tamb=25Vcc=5VClu-Flr川24nS一A4一一t.24A、B-Ftrv.r,24t-2aClaCO,tv,.H17t-22A,B-CO.LPLI17t.,17注:1)条件中“最大”或“最小”指的是5.1条规定的值6标志一32一SJ/T 10044-91器件上的标志示例:认证合格标志(适用时弓.*端识别标二一J邵一口CF74L4283CP旦号一质量评定类匆制造单位商标检脸批识别代码由于器件尺寸的限制.允许将“检验批识别代码

8、”、“质t评定类别”标在器件背面。订货资料若无其他规定，订购器件至少需要下列资料:8.产品型号，b.详细规范编号，c.质量评定类别;d.其他。试验余件和检验英求抽样要求:根据采用的质f评定类别，参照GB/T 12750第9章的有关规定。A组检验的抽样要求分组AQLI类I类ILAQLILAQLA1l0. 65且0. 65A210.110.1A3l0.1510. 15MaS41.0S41.0A3bS41.0S41.0A4S41.0S41.0B组、C组和D组检验的抽祥要求分组LTYD.类，类ABCB1IS151515C120202020SJ/T 10044-91续表分组LTPDI类，类人BCC2b1

9、5151515B3 C315151515B4 C410101010BS C510101010C620202020C715151515B8 C8105710C9155?15C1120202020B2120101015C2320101520C2420101520D8105710A组逐批所有试验均为非破坏性的检验或试验引用标准条件若无其他规定Tams e 25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值Al分组外部目检GB 4589.1.第4.2.1.1条GB 4589.1第4.2.1.1条标志清晰.表面无损伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5.2.1条,5.2.2条和11.3条按本规

10、范5.2，1条、5.2.2条和11.3条A3分组25下的静态特性GB 3439半导体集成电路TTL电路侧试方法的荃本原理按本规范5.2.1条至5.2.8条和10.1条按本规范5.2.1条至5.28条A3a分组最高工作温度下的静态伶性GB 3439T,.6按本规范4. 1条规定的最大值.条件:同A3分组同A3分组一34一SJ/T 10044-91A组逐批(续)检验或试验引用标准条件若无其他规定，T.mb=25C(见GB 4589. 1第4.1条)枪脸要求规范值A3b分组最低工作温度下的静态特性A4分组25下的动态特性GB 3439T.mb按本规范4.1条规定的最小值。条件:同A3分组同A3分组G

11、B 3439按本规范5.2.9条和10.2条按本规范5.2.9条B组逐批标有(D)的试验是破坏性的检验或试验引用标准条件若无其他规定，T.mb=25C(见GB 4589.1第4.1条)检验要求规范值B1分组尺寸GB 4589. 1第4.2.2条及附录B按本规范第1章B4分组可焊性GB 4590半导体集成电路机械和气候试验方法第2.5条按方法b(槽焊法)怪润良好B5分组温度快速变化空封器件盆度快速变化随后进行:电测t密封:细检肠粗检偏b.非空封和环城封的 空封器件温度快速变化随后进行:外部目检橄态湿热电测tGB 4590第3.1条GB 4590第3.12条GB 4590第3.13条GB 4590

12、第3.1条GB 4589. 1第.2.1.1条GB 4590第3. 7条温度按本规范第4.2条规定循环次数:10次同A2,A3分组按规定按规定温度按本规范第4.2条规定循环次数:10次按规定严格度A时间:24h同A2和A3分组同A2,A3分组同A1分组同A2和A3分组B8分组电耐久性(168h)最后测t(同A2,A3和A4分组)GB/T 12750第12.3条Temb按本规范4.1条规定的.大值.其他按本规范10.3条.同A2,A3和A4分组同A2,A3和A4分组一35一SJ/T 10044-91B组逐批(续)检脸或试验引用标准条件若无其他规定.Temb-25C(见GB 4589. 1第4.1

13、条)检验要求规范值B21分组高压燕汽(D)(非空封器件)最后侧t(同A2和A3分组)GB4590第4.5条严格度C时间:24h同A2和A3分组同A2和A3分组CRRL分组就B4,B5,B8和B21分组提供计致检查结果。C组周期标有(D)的试验是破坏性的检验或试验引用标准条件若无其他规定，T.mb= 25 C(见GB 4589. 1第4.1条)位验要求规范值C1分组尺寸GB 4589. 1第4.2.2条及附录B按本规范第1章C2b分组最高和.低工作温度下的电特性GB 3439温度按本规范第4.1条同A4分组规范值为A4分组最大值的1.5倍C3分组引线强度拉力(D)弯曲(D)GB 4590第2.1

14、条GB 4590第2.2条外加力的值按2.1条表1外加力的值按2.2条表2按GB 4590第2.1.5条无损伤C4分组耐焊接热(D)最后侧t(同A3分组)GB 4590第2.条按方法1(260C槽焊)同A3分组同A3分组C5分组，温度快速变化(D(非空封和环氧封的空封器件)随后进行:外部目检祖态湿热电测t(同A3分组)GB 4590第3.1条GB 4589. 1第4.2.1.1条GB 4590第3. 7条Tq=一65C 7.=150C循环次数:500严格度A 241同A3分组同Al分组同A3分组一36一S)%T 10044-91C组周期(续)检脸或试验引用标准条件若无其他规定，T.mb- 25

15、C(见GB 4589.1第4.1条)检验要求规范值C6分组，粗态加速度(D)(空封器件).后侧t(同A3分组)C旧4590第2.10条加速度:按规定同A3分组同A3分组C7分组艳态湿热(D)a.空封器件1)b.非空封器件最后侧t(同A2,A3分组)GB 4590第3.条GB 4590第3. 7条严格度D严格度A.时间:1000h同A2,A3分组同A2,A3分组C8分组电耐久性(1000h)最后侧t(同B8分组)GB 4590第4. 7条同B8分组同B8分组同B8分组C9分组高祖贮存(D)最后侧t(同B8分组)GB 4590第3.3条沮度按T.,e(max)时间:1000h同B8分组同iB8分组

16、C31分组标志耐久性GB 4590第4. 3条按方法2溶液:A型按4. 3.2条C23分组抗溶性(D)(非空封器件)GB 4590第4.4条按GB 4590第4.4.2条按GB 4590镇44.2备C24分组易嫩性(D)(非空封器件)GB 4590第4.1条按GB 4590第4.1.2条按GB 4590镇4.1.7各CRRL分组就C26,C3,C4,CS,C6,C7,C8,C9,C11,C23和C24分组提供计数检查结果.注:1)连续三次通过后，周期可放宽为一年一次。9 D组37一s7/T 10044-91D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次.检脸或试脸引用标准条件若无其他规

17、定.T.6-2510(见GB 4589. 1第4章)位脸要求规范值D8分组电附久性(D)最后侧t(同B8分组)GB/T 12750第12.3条1类,2000h，类,3000h其他同B8分组同B8分组同88分组10附加资科10.1静态特性的测2静态特性的测I按GB 3439半导体集成电路TTL电路侧试方法的基本原理.10.2动态特性的测盆10.2.1动态特性的测童按GB 3439.10.2.2负载线路目试点搜被目枯出端一甲JeeesFsP10.3电耐久性试验线路v.二3V f.=100kHz V。二5V R=2kf1s,/T 10044-911日几l5L4131211，.J.10令、朴型号说明1

18、逻辑符号1111.引出端符号名称A,-A, B,-B,运算数翰入Cl,进位翰入CO,进位输出F,-F,和翰出39S)/T 10044-9111.2逻辑图40SJ/T 10044-91们3功能表输人输出cl。二L/以,=1cl=日/Co,=HA,/A, /B,/B, Az/A, B,/B,F,/F, F,/F, CO,/COF,/F, F州F, CO,/CoL L工11, 1. 1H L IHL L LH L L1. H 1.L H L tH 1. IIH1H H L L1, H IHH1L L H LIHIHHI_H L H LH H IL LHL H H LHHLL L HH H H LL

19、L HH L HL L LHL H LH H IH L L HH H IL L HLH1.HH H IL L HH H L HL IHH I_ HL L H H一一一一H I. HI_ H HHIHHH L HL H H HH I_ HI_ H HH H HHL H HHHH41SJ/T 10044-91附录A筛选(补充件)，类器件:生产厂自行规定筛选条件。，类器件:筛选项目和条件如下:等级A等级B内部目检GB 459046条稳态加速度”GB 45902.10条老化GB45904.7条。T.mb最大、16811一l老化后电测t同A3分组刻除不合格品.若不合格品率大子5%.则该批拒收.等级C内部目检GB 45904.6条老化前电测t同A3分组易q除不合格品老化GB 45904.7条，T.mb最大、16811老化后电测t同A3分组易组除不合格品一习注:1)不适用于非空封器件。一42一SJ/T 10044-91附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由北京八七八厂负贵起草。本标准主要起草人:孙人杰。