SJ T 10040-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4019型 CMOS 四2选1数据选择器.pdf
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1、rIL .J中华人民共和国电子工业行业标准s.i/T 10040-91电子元器件详细规范半导体集成电路CC4019型CMOs四2选1数据选择器1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CC4019型CMOs四2选1数据选择器Detail specification for electronic componentSemiconductor integrated circuit-CC4019CMOS Quad 2-line to 1-line data selectorSJ/T 10040-91本
2、规范规定了半导体集成电路CC4019型CMOS四2选1数据选择器质量评定的全部内容。本规范是参照GB 9424CCMOS数字集成电路4000系列电路空白详细规范制订的,并符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范及GB 12750+半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求.中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施一1一SJ/T 10040-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质童的依据:GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)SJ/T 10040-91CC 4019型
3、四2选1数据选择器详细规范订货资料见本规范第?章。1机械说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸.外形图按GB 7092DP圈引出端排列:一又夕一 _15匡一习、3D,匡习二3D,匡习A,2D,匡习4Y2D,区习3YID,区习2Y旧.匡IY、匡习.引出端符号名称见本规范第11.1条标志:按GB 4589. 1条第2. 5条及本规范第6章。2简共说明CMOS型数据选择器半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑图、功能表见本规范第11章.品种:理注意:静电徽感器件O型5.3及5.3.1J型5.4及5.4.1P型55及5.5.1从-40十85(E)一55ro十1251r(M)F型5.1.1肉瓷
4、直抽(D)CC4019EDCC4019MD黑瓷直抽(J)CC4019EJCC4019MJ D塑料直擂(P)CC4019EP多层陶瓷扁平(F)CC4019EFCC4019MF3质t评定类别1,A.11B.11C一2一SI/e 10040-914极限值(绝对.大额定值)若无其他规定,适用于全工作温度范围。基准电压为V.。条款号参数符号数值单位最小最大4.1电源电压V-0.518V4.2输入电压Vl-05Vm+O. 5V43输入电流(id10.A4.4工作环境温度范围MT-一55125-4085E4.5贮存温度范围Tstg一651504.6每个封装的功耗曰Pn500mW注:”P型封装在60以上,D,
5、J,F型封装在100以上时,PD按12.W/C线性降翻.5推荐工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。51推荐工作条件若无其他规定,适用于全工作温度范围.基准电压为V-。条款号参数符号数值单位最小最大5.几1电浑电压V加315V5.2电特性基准电压为V。一3一SJ/T 10040-91续表as7/T 10040-91续表6标志器件上的标志示例:CC4019 MD斗一一型号引出端识别标志自目2月口制造单位商标质t评定类别检脸批识别代码若受器件尺寸限制,允许将“检验批识别代码”、“质t评定类别”标在器件背面。了订货资料8.产品型号,b.详细规范的国家编号;c质量评定类别;d.其他。8试验条
6、件和检验要求若无其他规定,本章引用条款均为GB 4589. 1的条款。抽样要求:根据采用的质量评定类别,按GB 1275。第9章的有关规定。一5一SJ/T 10040-91A组检验的抽样要求分组AQL,类,类ILAQL几AQLA1I0.65l0.65人2I0.1I0.1A3I0.15I0.15MaS41.0S41.0A3bS41.0S41.0A4S41.0S41.0B组、C组和D组检验的抽样耍求分组LTPDx类.类ABCB115151515C120202020C2b(1) C2b(2)15、151515B315151515B4 C410101010B5 C510101010C620202020
7、C715151515B8 C8105710C9155715Cll20202020B2120101015C2320101520C2420101520D8105710一6一sJ/T 10040-91A组逐批全部试验均为非破坏性的(3.6.6)检验或试验引用标准 条件若无其他规定,Tb=25C检验要求规范值Al分组外部目检4.2.1.14.2.1.1厂标志清晰,表面无扭伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5.22.5_2.3和11.2按本规范5.2.2.5.2.3和11.2A3分组25下的静态特性GB 3834半导体集成电路CMOs电路测试方法的荃本原理按本规范5.2.1至5.2.9和10.1按
8、本规范5.2.1至5. 2. 9A3 a分组,最高工作盆度下的静态特性CB3834T.mb按本规范4.4条件:同A3分组同A3分组A3 b分组,最低工作谧度下的静态特性GB 3834Tb按本规范4.4条件:同A3分组同A3分组A4分组25下的动态特性GB3834按本规范52.n,5.2.12和10.2按本规范5.Zn和5.2.12注:1)允许相关mf.B组逐批标有(D)的试验为破坏性的(3.6.6)检脸或试验引用标准 条件若无其他规定T.o.b=25*C检验要求规范值B7分组尺寸42.2及附录B按本规范第1章B3分组引线强度弯曲(D)拉力(D)GB 4590半导体集成电路机械和气候试脸方法D:
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