欢迎来到麦多课文档分享! | 帮助中心 海量文档,免费浏览,给你所需,享你所想!
麦多课文档分享
全部分类
  • 标准规范>
  • 教学课件>
  • 考试资料>
  • 办公文档>
  • 学术论文>
  • 行业资料>
  • 易语言源码>
  • ImageVerifierCode 换一换
    首页 麦多课文档分享 > 资源分类 > PDF文档下载
    分享到微信 分享到微博 分享到QQ空间

    DIN 50455-1-2009 Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1 Determination of coating thickness with optical methods《半导体技术用.pdf

    • 资源ID:658280       资源大小:216.14KB        全文页数:8页
    • 资源格式: PDF        下载积分:10000积分
    快捷下载 游客一键下载
    账号登录下载
    微信登录下载
    二维码
    微信扫一扫登录
    下载资源需要10000积分(如需开发票,请勿充值!)
    邮箱/手机:
    温馨提示:
    如需开发票,请勿充值!快捷下载时,用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号,方便查询和重复下载(系统自动生成)。
    如需开发票,请勿充值!如填写123,账号就是123,密码也是123。
    支付方式: 支付宝扫码支付    微信扫码支付   
    验证码:   换一换

    加入VIP,交流精品资源
     
    账号:
    密码:
    验证码:   换一换
      忘记密码?
        
    友情提示
    2、PDF文件下载后,可能会被浏览器默认打开,此种情况可以点击浏览器菜单,保存网页到桌面,就可以正常下载了。
    3、本站不支持迅雷下载,请使用电脑自带的IE浏览器,或者360浏览器、谷歌浏览器下载即可。
    4、本站资源下载后的文档和图纸-无水印,预览文档经过压缩,下载后原文更清晰。
    5、试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓。

    DIN 50455-1-2009 Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1 Determination of coating thickness with optical methods《半导体技术用.pdf

    1、Oktober 2009DEUTSCHE NORM Normenausschuss Materialprfung (NMP) im DINPreisgruppe 6DIN Deutsches Institut fr Normung e.V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise, nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e.V., Berlin, gestattet.ICS 29.045!$XT,“1534909www.din.deDDIN 50455-1Prf

    2、ung von Materialien fr die Halbleitertechnologie Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen MessverfahrenTesting of materials for semiconductor technology Methods for characterizing photoresists Part 1: Determination of coating thickness with opt

    3、ical methodsEssai des matriaux pour la technologie des semiconducteurs Mthodes de caractrisation des vernis pour photos Partie : Dtermination de l paisseur des couches par mthode optiqueAlleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 BerlinErsatz frDIN 50455-1:1991-06www.beuth.deGesamtumfang

    4、 8 Seiten1DIN 50455-1:2009-10 Inhalt Seite Vorwort . 3 Einleitung 4 1 Anwendungsbereich 4 2 Normative Verweisungen. 4 3 Kurzbeschreibung 4 4 Einheiten 4 5 Gerte und Materialien . 5 6 Durchfhrung 5 6.1 Allgemeines. 5 6.2 Probenherstellung 6 6.2.1 Umgebungsbedingungen 6 6.2.2 Herstellverfahren 6 6.3 M

    5、essung der Schichtdicke 6 7 Auswertung . 7 7.1 Allgemeines. 7 7.2 Absolutverfahren 7 7.3 Differenzverfahren 8 8 Przision 8 9 Prfbericht. 8 Bilder Bild 1 Beispiel eines Messstellenplanes 7 2 DIN 50455-1:2009-10 Vorwort Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA Prfung von Prozesschemi

    6、kalien fr die Halbleitertechnologie“ im Normenausschuss Materialprfung (NMP) erarbeitet. DIN 50455, Prfung von Materialien fr die Halbleitertechnologie Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken, besteht aus: Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Messverfahren Teil 2: Bestimmung der

    7、Lichtempfindlichkeit von Positiv-Fotolacken nderungen Gegenber DIN 50455-1:1991-06 wurden folgende nderungen vorgenommen: a) Titel leicht gendert; b) normative Verweisung aktualisiert; c) Wert fr die Mindestauflsung des optischen Schichtdickenmessgertes von 1 nm auf 0,4 nm reduziert; d) Abschnitt Ge

    8、rte und Materialien ergnzt; e) Messstellenplan (Bild 1) berichtigt und dementsprechend Mindestanzahl der Einzelmesswerte von 27 auf 24 reduziert; f) Kriterium fr Wiederholungsprfung (siehe Abschnitt Auswertung) gendert; g) Inhalt redaktionell berarbeitet. Frhere Ausgaben DIN 50455-1: 1991-06 3 DIN 5

    9、0455-1:2009-10 Einleitung Die Charakterisierung von Fotolacken erfolgt nach den in diesem Dokument festgelegten Verfahren durch Messung der Schichtdicke von unter bestimmten Bedingungen auf Siliciumscheiben aufgebrachten Fotolack-Schichten. Fr die Anwendung eines Fotolacks ist seine Schichtdicke ein

    10、 wichtiges Merkmal. 1 Anwendungsbereich Dieses Dokument legt Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken mittels Bestimmung der Dicke von Fotolack-Schichten fest, die unter in dieser Norm festgelegten Bedingungen hergestellt werden. Das Verfahren der Schichterzeugung gilt fr Siliciumscheiben mit

    11、den handelsblichen Durchmessern im Bereich von 100 mm bis 200 mm. Die Anwendung auf andere Substrate oder Scheibendurchmesser ist nach vorheriger Prfung im Einzelfall prinzipiell mglich. 2 Normative Verweisungen Die folgenden zitierten Dokumente sind fr die Anwendung dieses Dokuments erforderlich. B

    12、ei datierten Verweisungen gilt nur die in Bezug genommene Ausgabe. Bei undatierten Verweisungen gilt die letzte Ausgabe des in Bezug genommenen Dokuments (einschlielich aller nderungen). DIN EN ISO 14644-1, Reinrume und zugehrige Reinraumbereiche Teil 1: Klassifizierung der Luftreinheit 3 Kurzbeschr

    13、eibung Eine Siliciumscheibe wird unter definierten Bedingungen unter Verwendung einer geeigneten Dosier-einrichtung und Lackschleuder mit dem zu prfenden Fotolack beschichtet. Nach anschlieender Trocknung des Lacks erfolgt die Messung der Schichtdicke durch ein optisches Verfahren. Die Angabe der Me

    14、sswerte erfolgt entweder als SchichtdickePd fr die Messprobe mit dem zu prfenden Fotolack (Absolutverfahren, 7.2) oder als Differenz d der SchichtdickenPd der Messproben mit dem zu prfenden Fotolack und der Schicht-dickenVd der Vergleichsproben mit einem Referenzfotolack (Differenzverfahren, 7.3). 4

    15、 Einheiten Die Schichtdicken und bzw. die Schichtdickendifferenz d werden in Mikrometer (m) oder Nano-meter (nm) angegeben. PdVd4 DIN 50455-1:2009-10 5 Gerte und Materialien 5.1 polierte Siliciumscheiben mit handelsblichen Durchmessern im Bereich von 100 mm bis 200 mm, Oberflchen vorbehandelt nach V

    16、ereinbarung zwischen den Vertragspartnern. 5.2 Dosiereinrichtung fr automatisierte Scheibenbelackung bzw. Belackung von Hand. 5.3 Lackschleuder (en: spincoater) mit einer Drehzahl von mindestens 100 s1und mindestens zwei bezglich Beschleunigung und Drehzahl unabhngig voneinander einstellbaren Aufsch

    17、leuderzyklen. 5.4 Heizplatte, in der Lage, die Temperatur bei 100 C auf 1 K konstant zu halten (siehe 6.2.2,Trocknungs-verfahren A). 5.5 Umluftofen, in der Lage, die Temperatur bei 90 C auf 2 K konstant zu halten (siehe 6.2.2, Trock-nungsverfahren B). ANMERKUNG Die Gerte zur Herstellung der Lackschi

    18、cht und die Umgebungsbedingungen (siehe 6.2.1) beeinflussen entscheidend die Schichtdicke und deren Reproduzierbarkeit. Mit modernen Belackungsgerten werden zustzlich, beispielsweise ber thermostatisierte Khlplatten, die Substrattemperatur vor der Belackung und nach dem Trocknungs-prozess, die Tempe

    19、ratur des Fotolacks sowie die Abluftmenge berwacht. Die in 6.2.1 genannten Anforderungen werden als Minimalanforderungen angesehen. 5.6 optisches Schichtdickenmessgert mit einem Dickenmessbereich von 400 nm bis 2 000 nm, einer Auflsung von 0,4 nm und einer Wiederholgrenze von maximal 3 nm (bestimmba

    20、r aus der Wiederhol-standardabweichung beim Ausmessen eines Punktes auf der belackten Siliciumscheibe fr die Lackdicken des Anwendungsbereiches). ANMERKUNG Geeignet sind Schichtdickenmessgerte, die nach interferometrischem, spektralphotometrischem oder ellipsometrischem Prinzip arbeiten. 5.7 Einrich

    21、tungen zum staubgeschtzten Arbeiten, mindestens Reine Werkbank, Klasse 5 nach DIN EN ISO 14644-1. 5.8 Gelblicht-Strahlungsquelle zur Raumbeleuchtung. 5.9 Referenzfotolack, bestehend aus einem Fotolack mit vergleichbarem Lsemittelsystem und Brechungsindex, der zu Vergleichszwecken zur Probe gleichart

    22、ig prozessiert wird, oder nach vertraglicher Vereinbarung. 6 Durchfhrung 6.1 Allgemeines Die Messung der Fotolack-Schichtdicke muss entweder nach dem Absolutverfahren (7.2) oder dem Differenz-verfahren (7.3) durchgefhrt werden. Beim Absolutverfahren sind nur die Schichtdicken der Messproben zu besti

    23、mmen, wogegen beim Differenz-verfahren die Schichtdicken der Messproben und die Schichtdicken von Vergleichsproben zu messen sind. ANMERKUNG Die absolute Schichtdicke eines Fotolacks hngt stark von den Umgebungs- und Belackungs-bedingungen ab. PdMit dem zu prfenden Fotolack und dem Referenzfotolack

    24、mssen jeweils mindestens drei Messproben bzw. Vergleichsproben hergestellt werden. 5 DIN 50455-1:2009-10 6.2 Probenherstellung 6.2.1 Umgebungsbedingungen Die Probenherstellung muss in klimatisierter Luft mit einer Temperatur zwischen 18 C und 23 C, die auf 1 K konstant zu halten ist, und einer relat

    25、iven Feuchte zwischen 40 % und 50 %, die auf 5 % konstant zu halten ist, vorgenommen werden. Die Arbeiten sind bei Gelblicht durchzufhren. 6.2.2 Herstellverfahren Die Lackschleuder muss auf zwei Drehzyklen programmiert sein, die nacheinander anzuwenden sind: Zyklus 1: Drehzahl (8,33 0,17) s1whrend 5

    26、 s; Zyklus 2: Drehzahl (66,66 0,17) s1whrend 30 s mit einer Drehbeschleunigung von 33,33 s2. Die Siliciumscheibe ist zentrisch auf den Drehteller (en: chuck) aufzulegen, mittels Vakuum zu fixieren. Dann ist das Lackschleuderprogramm zu starten. Der Fotolack ist zentrisch, entweder automatisch auf di

    27、e rotierende Siliciumscheibe oder von Hand auf die stillstehende Siliciumscheibe, aufzubringen. ANMERKUNG Geeignete Volumina des Fotolacks sind bei automatischer Belackung (3 1) ml bzw. bei manueller Belackung (4 1) ml. berschssiger Fotolack wird von der Scheibe abgeschleudert. Das anzuwendende Bela

    28、ckungsverfahren ist zwischen den Vertragspartnern zu vereinbaren. Das Belackungsverfahren muss eine Lackschicht mit einer ausreichenden Gleichmigkeit der Schichtdicke liefern (Angabe als Wiederholstandardabweichung, berechnet aus den Einzelwerten einer Siliciumscheibe i, siehe 6.3), und darf die in

    29、7.1 festgelegten Werte nicht berschreiten. Andernfalls ist die gesamte Prfung zu wiederholen, gegebenenfalls muss das Belackungsverfahren optimiert werden. Nach Abschluss der Lack-schleuderzyklen muss die Lackschicht getrocknet werden. Die Zeit zwischen Lackauftragung und Trocknung darf 1 h nicht be

    30、rschreiten. Es ist eines der beiden folgenden Trocknungsverfahren anzuwenden: a) Trocknungsverfahren A: die mit Fotolack beschichtete Siliciumscheibe ist auf der Heizplatte (5.4) (en: hot plate) 60 s bei 100 C zu trocknen; b) Trocknungsverfahren B: die mit Fotolack beschichtete Siliciumscheibe ist i

    31、m Umluftofen (5.5) 0,5 h bei 90 C zu trocknen. 6.3 Messung der Schichtdicke Die mit Fotolack beschichtete Siliciumscheibe (en: silicon wafer) muss vor der Messung auf Umgebungs-temperatur, auf 1 K exakt, abgekhlt worden sein. ANMERKUNG blicherweise reichen 10 min Abkhlungszeit aus. Die Messung ist m

    32、ittels optischem Schichtdickenmessgert (5.6) nach der Bedienungsanleitung des Gerteherstellers durchzufhren. Die Schichtdickenmessungen sind an mindestens acht Messstellen auf der Siliciumscheibe durchzufhren. Die Messstellen sind so anzuordnen, dass keine der Messstellen innerhalb des Scheiben-Rand

    33、bereiches mit der Breite von einem Zehntel des Scheibendurchmessers liegt. In Bild 1 ist ein Beispiel eines Mess-stellenplanes dargestellt. 6 DIN 50455-1:2009-10 Beispiel fr Koordinaten der Messstellen einer Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 100 mm, in Millimeter: x 0 0 0 0 40 20 20 40 y 40

    34、20 20 40 0 0 0 0 Bild 1 Beispiel eines Messstellenplanes Fr jede Fotolackprfung mssen mindestens drei mit Fotolack beschichtete Scheiben gemessen werden. 7 Auswertung 7.1 Allgemeines Aus den Einzelmesswerten der mindestens drei Messproben sind fr die einzelnen Proben getrennt die Mittelwerte der Sch

    35、ichtdicken und die Wiederholstandardabweichungen zu berechnen. Die gesamte Prfung ab 6.2.2 muss mit mindestens drei Scheiben wiederholt werden, wenn a) die WiederholstandardabweichungirsPder drei Messproben bzw. die WiederholstandardabweichungirsVder drei Vergleichsproben grer 10 nm oder grer 1,5 ir

    36、sPbzw. 1,5 irsVbetrgt; b) die Schichtdicke einer einzelnen Probe vom Mittelwert der drei Messproben bzw. Vergleichsproben um mehr als 2,8 irsPbzw. 2,8 irsVabweicht. ANMERKUNG Zur Berechnung der Wiederholstandardabweichung, siehe DIN ISO 5725-2. 7.2 Absolutverfahren Aus den mindestens 24 Einzelmesswe

    37、rten der Messproben sind der Mittelwert der Schichtdicken und die Wiederholstandardabweichung zu berechnen. PdPrsANMERKUNG Die Ergebnisse des Absolutverfahrens sind umgebungsbedingt in der Regel mit groen Unsicherheiten behaftet (siehe 6.2.1). 7 DIN 50455-1:2009-10 8 7.3 Differenzverfahren Aus den m

    38、indestens jeweils 24 Einzelmesswerten der Messproben und der Vergleichsproben sind die Mittel-werte der Schichtdicken dPund dV, die Wiederholstandardabweichungen und , jeweils ermittelt aus der gesamten Anzahl der entsprechenden Messungen, sowie die Schichtdickendifferenz d = dP dVzu berech-nen. Prs

    39、Vrs8 Przision Die Przision des Verfahrens wurde durch Ringversuche ermittelt. Beim Absolutverfahren lagen die ermittelten Vergleichstandardabweichungen der fnf beteiligten Laboratorien im Bereich von 20 nm bis 25 nm fr Schichtdicken dPim Bereich von 0,8 m bis 1,3 m. Beim Differenzverfahren wurden Ve

    40、rgleichstandardabweichungen der Schichtdickendifferenzen der fnf Laboratorien im Bereich von 3 nm bis 9 nm fr Schichtdickendifferenzen d von 50 nm bis 300 nm und Schichtdicken dPund dVvon 0,8 m bis 1,3 m erreicht. 9 Prfbericht Der Prfbericht muss die folgenden Angaben enthalten: a) Probenbezeichnung

    41、; b) Hinweis auf diese Norm, d. h. DIN 50455-1:2009-10; c) Gertetypen und -parameter, soweit bekannt; d) Umgebungstemperatur; e) relative Feuchte der Umgebung; f) verwendetes Belackungsverfahren (automatisiert oder von Hand); g) verwendetes Trocknungsverfahren; h) verwendetes Auswerteverfahren (Abso

    42、lut- oder Differenzverfahren); i) bei Auswertung nach dem Absolutverfahren Anzahl der Messwerte nP, Mittelwert der Schichtdicke dP, und Wiederholstandardabweichung sRP; j) bei Auswertung nach dem Differenzverfahren Anzahl der Messwerte nPund nV, Mittelwerte der Schichtdicken dPund dVund WiederholstandardabweichungenPRs und VRs sowie Schichtdickendiffe-renz d; k) Name des Prfers, Prfort und Datum.


    注意事项

    本文(DIN 50455-1-2009 Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1 Determination of coating thickness with optical methods《半导体技术用.pdf)为本站会员(eventdump275)主动上传,麦多课文档分享仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知麦多课文档分享(点击联系客服),我们立即给予删除!




    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1 

    收起
    展开