1、 中国日一FL 5961 创50033/3994 conductor discrete device Detail specification for type 2CZ106 silicon rectifier diode 1994-09-30 中华人民共电子工1994-12-01 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CZ106型硅开流二极SJ 50033/39 94 详细规范Semiconductor discrete devic四Detail specification for type 2CZ 106 silicon switching r配tifierdiode 1 范围1.
2、 1 主题内容本规范规定了2CZ106型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和厅、州。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的等级按GJB33(半导分立器件总规范)1.3条的规定，提供的军三级，分别用字母GP，GT、GCT表示。2 引用文件GB 4023 86半导体分立器件。第2部分整流二极管 证GB 6571 86 小功率信号二极营、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 3. 1 详细要求
3、各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2. 1 引出端涂普军、超特 引出端表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实SJ 50033/39 94 3.2.2 器件结构玻璃钝化封装。在芯片的两面和引出端之间采用3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581有D210A型，见图10冶合结构。-、L G L LJ L , (D 司主, 也 1 2 吗 LZI) 尺代号飞、-四-10A仙一如-GZ-L一与主mm 自
4、lax0.72 川-M-M 25 1.5 12.5 图1外形图注:1)Lz为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。3.3 最大额定值和主要取特性3.3. 1 最大额定VR制VRLM 101) lF驯TOP T . 低气压TA =80t: lo=IA 型号tp= 10ms TA =80t: (Pa) (V) (V) (A) (A) 2CZI06B 75 50 2CZI06C 150 100 2CZI06D 300 200 2CZI06E 450 300 2CZI06F 600 400 l 30 -55- + 150 -55- + 175 1066.5 2CZI06G 750 500 2CZI0
5、6H 900 600 2CZI06J 1050 700 2CZI06K 1200 800 注:1) T A80t:时，按14.3mA/C的速率线性降额(见图2)2一 SJ 50033/39 94 叫 11111!l111l lo(A) 1 。TA( C) 150 120 80 40 曲图2电特性(TA=25t)3.3.2 VFM1 IR1 IR2 直rr IFM=3V VR= VRWM VR= VRWM IF= 50mA TA= 125t VF=10V 型号(V) (A) (A) RL =750 () max max max 口lax2CZI06B 2CZ106C 2CZI06D 2CZI06
6、E 2CZI06F 1. 65 3 50 3.0 2CZI06G 2CZI06H 2CZI06J 2CZI06K 电测试要求电测试应符合GB4023、GB6571及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标3.4 志:一3 一制造厂的识别;检验批识别代码;a. -hu SJ 50033/39 94 C. 型号命名中的2C部分。3.5. 1 极性器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4 定4. 1 抽样和检抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)
7、筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1限值的器件应予剔除。选(见GJB33表2)试试 虫叮百二叫低温为-55t外，其余不要求不要求条件FT A = 25t. VR = VRWM 10= 1A. f= 50Hz 9a 最后测试本规范表1的2分.1 Rl =初始值的100%或0.3A，取较大者E. VFW1 = :tO.lV。4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规程表2的规定进行。规范表4相应步聚的规定。4.4.3 C组检验C
8、组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量()的要求应按本植表4相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 稳态工作寿命在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180.不小于150.。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。试和变化量()的要求应按本一4一SJ 50033/39 94 4.5.3 浪涌电流在规定的温度下，对器件通以额定正向平均电流，然后施加规定的正向(不重复)浪涌电流。A1分组外观及机械A2 分组正向电压反向
9、电流A3 分组高作:反向电流正向电压.低工作z正向电压A4分组反向恢复时间A6分组浪涌电流最后试表1A组检GB 4023 方法|条GJB 128 2071 N-1. 2.3 I IFM=3V tp= 10ms 占空因数运二2%N-1.4.1 I VR= VRWM TA= 125t N-1. 4.1 VR = VRWM N -1. 2.3 IFM= 3A tp = 10m3 占空因数4二2%TA= -55t N-1. 2.3 IFM=3A tp= 10ms 占空因数运2%GB6571 IIF=50 mA 2. 1. 4.2.2 I VR = 10V RL =750 件脉冲前沿小子O.lt. 本规
10、范TA=80t 4.5.3 Io= A IF驯=30A脉宽10ms间隔lmin1次，共10次|按表4，步聚1和2 极值|单LTPD符号国位5 5 I VFM1 1 1.651v I Rl 3 A 5 IR2 50 A VF胞1. 65 V I VFM3 I 2.0 I V 5 t 3.0 IS I 10 5一 检Bl分组可标志的耐久性B2分组冲击最后测试:B3分组稳态工作寿命最后测试B6分组寿命(非工作状态)最后测试:检验或Cl分组外形尺寸C5分组(适用时)低气压试验期间测试6一方法2026 1022 、町50033/3994 表2B组检验GJB 128 条件 1051 I 除低混为-55t外
11、，其余件F-l按表4，步聚1和21027 I 10= lA; VR = VRWM 1=50日z正弦半波1832 I T A = 175t 按表4，步聚1、2和3表3C组检验15 10 5 7 GJB 128 方法|条LTPD I符号2066 1001 Z 见图1气压(见3.3.1)t =60s 件15 15 极最、单位、 单位SJ 50033/39 94 续表3GJB 128 LTPD 符号方法条件反向电流GB 4023 VR= VRWM lR1 1V-1. 4.1 c6分组= 10 稳态工作寿命1026 10= lA; VR = VRWM f=50Hz 正弦半波最后试g按表4.1、2和3表4
12、A、B和C组栓验的电测试步GJB 128 检验聚方法条件1 正向电压1V-1. 2.3 lFM=3A tp= 10ms 占空因数2%2 反向电流1V-1. 4.1 VR= VRWM 3 反向电流变化1V-1. 4.1 VR = VRWM 注:1)本测试中lR1超过AS且极限值的器件不应接收。5交5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的6.2 订货资料, 合同或订货单应规定下列内容za. 本规范的名称和编号:b. 等级(见1.3.1);c. d. , ，其他要求。符号VFM1 lR1 AIR11) 。极值单位3 A , l值单位最量是);:.值1. 65 v 3 P.A 初的100%戎0.3A.取较大者。一7一SJ 50033139 94 6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。 本规范由中国电子标准化研究所和八七三厂起草。本规范主要起草人z金贵永、刘东才。计划项目代号:B11006。一8一
