1、1 范围1. 1 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG120型NPN硅高频小功率晶体详细规范内容Semiconductor discrete device Detail specification ror silicon NPN high rrequency low power trnsistor or type 3DG 120 SJ 20060 92 本规范规定了3120型NPN硅高频小功率晶体管以下简称器件的详细要求。件按GJB33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实 SJ
2、20060 92 1.2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581a x J 王子10.35;D 吧;b1 #J. 叫图l外形尺寸引出端极性21.发射极2.基极3.集电符号最小A 6.10 如#Jl 份z0.407 1D 8.64 ;D、8.01 J 0.712 K 0.740 L 12.5 L1 mm A3-02B 公称6.60 5.08 1.01 0.508 9.39 8.50 0.787 0.863 1.14 25.0 1.27 一一2 SJ 20060 92 1. 3 大额定值Ptotl) PtOt%) Vc皿型号TA=25C Tc=25C (W) (W) (V) 3DG120A 40 3D
3、G120B 60 0.5 1.8 3DG12OC 40 3DG120D 60 注:1) TA25C时，按2.9mW/，C线性地2) Tc25C时，按10mW/C线性地1.4 主要电特性(TA25C) hFE! hFE2 VCEO (V) 30 45 30 45 hFE(VcE=10V) VEBO Ic T.t，事和T;(V) (mA) (C) 5 150 一65-+200hFE3 hFE!) Ic=0.5mA Ic=3mA Ic=30mA Ic=100mA 型号最小值最大值最最大值最小值3DG120A 3DG120B 20 30 40 3DG12OC 3DG120D 极C.bo fT V CE
4、( . tl f=lMHz VcE=10V Ic=50mA Vc=10V lc=50mA l=5mA 型h嚣。f=100MHz 号(pF) (MHz) (V) 最小值最小值最大值最小值最大值3DG120A 150 3DG120B 6 3DG12低3300 3DG120D 注:1) 脉冲法(见4.5.1条).2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 81 GJB 33一85GJB 128 86 3 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规拖半导体分立器件试验方法0.4 最大值最小值最大值240 20 VBE(凰Gp Ic=50mA VcE=10V l=5mA Ic=3
5、0mA f=30MHz (V) . (dB) 最最大值最1.0 12 SJ 20060 92 3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定.3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出的选择或另有要求时，在合同或订3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定，、面涂层应中应明确规定.对引出料和涂层要求6章).4 保证规定4. 1 抽样和检验检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定
6、。下列的器件不应接收。试应按本规施表1进行，超过规定极限值选见GJB33表2)试或试叫一叫一叫Ic础和hFE3百 见4.3.1条按本规范表1的A2分组，t:Jc曲iz初始值的100%或5nA.取其较大者，l:lhFEa=初始值的士20%4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下zTA-25士3.CVCB 20VC3DG120A、C)V CB -30V (3DG 120B、D)Ptot-500mW 垃z不允许在器件上加散热器或强迫风冷。4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规4.4.2 B组检验1的规定进行。一-4 -一SJ 20
7、060 92 B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.表4的步骤进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128中3.3. 2. 1条的规定。表1A组检验测试和变化量()要求应按本规范测试和变化量()要求应按本规范极限GB 4587 方法GJB 128中71 条件A1分组外观和机械检验A2分组电极，基极击穿电压5 , 5 9. 2. 1 发射极-基极开路Ic=10A V(BR)Cl!O 3DG120A、C3DG120B、D集电极-发射极击穿电压40
8、60 V V A 发射极句基极开Ic=5mA 脉冲法见4.5.1条V(皿)CEO3DG120A、C3DG120B、D发射极基极击穿电压VVV 9.2.2 30 45 V倒四I5 1E=10A 发射极-基极开Vc8=30V Vc8=50V 电极-基极开路VE8=4V VcE=10V Ic=0.5mA VcE=lOV Ic =3mA VCE=10V Ic=30mA VCE=10V Ic=10OmA 脉冲法(见4.5.1条Ic=5伽nAIc皿10.05 1A 电极基极3DG120A、C3DG120B、D发射极-基极2. 1 2.2 IEI回0.05 A 正向电流传输比2.8 hFE1 20 正向电比
9、8 hFE2 30 一正向电流传输比2.8 hF;E3 40 240 I一正向电流传输比12.8 hFE4 1 20 一一电极-发射极饱和压降12. 3 基极-发射极饱和压降12.4 VCE俐一0.4 1 V 18=5mA Ic=5臼nA18=5mA V皿()I一1. 0 1 V 一-5 - A3分组作g止电流3OO120A、C3OO120B、D低温工作z 正向电比A4 出电容特征频率3OO120A、B30012忧、D功率增益A5、A6和A7分组不适用B1分组可焊性标志的耐久性B2 热冲击密封a. b.粗最后测试g循环方法2.1 2.11.3 A3 方法2026 1022 1051 1071
10、SJ 20060 92 续表1GB 4587 极限符号位条件最I 5 I TA=+150C 发射极基极开Ic皿2VcB=30V VcB=50V TA=-55.C I V.:E=10V I hFES I 20 Ic=30mA 5 VcB=10V，h嚣。I Cobo I pF f=lMHz I VCE=川，Ic=3OmI fT f=100MH I 150 I MHz , I 300 I MHz VcE=10V I Gp I 12 I dB Ic=30mA f=30MHz 表2B组检验 GJB 128 LTPD 条f牛15 10 见表4，1、3和4一-6一-检验部分组稳态工作寿命最后测试2B4分组内
11、部目检(设计验证度B5分组不适用B6分组寿命(不工作最后测试gC1分组外形尺寸C2分组热冲击引出密封a. b. 应力度外观及机械检最后测试gC3分组冲击振动试z一一7 SJ 20060 92 2 GJB 128 方法条件I 1027 I VcB=20V，P.ot=50臼nWTA=25士3(;不允许见表4，2和52075 自捡标准按鉴定时的设计2037 1032 I TA=200C 方法2066 1056 2036 1071 1021 2016 200日见表4，步骤2和5 表3C组检验GJB 128 条牛见图l见表4，见表4，步A 件E1、3和41、3和4LTPD 5 ，0失效20(C=0) 7
12、 LTPDI符号最小值!最大值15 10 I 10 SJ 20060 92 3 GJB 128 LTPD 符号方法条件最C4分组15 盐气适用时1041 C5分组, 不适用C6分组,=10 作寿命1026 TA=25士3C.VCB= 20V P.=50臼nW不允许件加散热或强冷最后测试g见表4.步2和5表4B组和C组的测试GB 4587 极限符号单位方法条件最最大值1 l集电极-基极止电流2. 1 发射极-基极开路11 CW:1i 1 O. 05 1 A 3DG120A、CVCB=30V 3DG120B、DVc=50V 2 电极基极止电流2.1 发射极-基极开路I 1c回10.1 A 3DG1
13、2OA、CVcB=30V 3DG120B、DVcB=50V 3 l集屯极-发射极饱和压降|2.3 1c=50mA 1 Vc 0.4 V 1B=5mA 4 1正向传输比2.8 VcE=10V 1 hFF.3 40 240 1c=30mA 5 !正向比2.8 VcE=10V I t:.hFE3!) 的1c=30mA 士25%注，1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收.5 交货准备包装要求应按GJB33的规定。6说明事项合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层见3.2.1条一一8 一一SJ 20060 92 A 电极-发射极击穿电压(补充件A1 目的试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电A2 测试电路测试电路见图Al.规定的最低极限.Rl , VCE 压电-iTV I Ic 图Al集电极-发射极击穿电压测试电路A3步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表.在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明z本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起干。本规范主要起草人:王长福、谢佩兰、王承琳.计划项目代号:BOI019.9 -
