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    CNS 13059-9-2002 Photovoltaic devices Part 9 Solar simulator performance requirements《光电伏打组件(第九部:太阳仿真器之性能要求)》.pdf

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    CNS 13059-9-2002 Photovoltaic devices Part 9 Solar simulator performance requirements《光电伏打组件(第九部:太阳仿真器之性能要求)》.pdf

    1、1 光電伏打元件 (第九部:太陽模擬器之性能要求) 印行年月 94 年 10 月 本標準非經本局同意不得翻印 中華民國國家標準 CNS總號 類號 ICS 621.385.5 13059-9 C6346-9 經濟部標準檢驗局印行 公布日期 修訂公布日期 91 年 12 月 5 日 年月日(共 3 頁) Photovoltaic devices Part 9 : Solar simulator performance requirements 1. 適用範圍 本標準適用於陸上平板(非集中式)光電伏打元件與光譜匹配基準元件相結合之室內測試用太陽模擬器的要求條件。太陽電池的輸出為入射光譜照射光分布波長

    2、之強函數 (a strong function)。為減少量測誤差,本標準規定對基準光譜照射光分布的可接受匹配,惟需注意誤差之幅度亦受基準電池與測試樣本間光譜響應不匹配之影響。 本標準適用於脈波式與穩態式模擬器。 2. 參考 本標準參照 CNS 13059光電伏打元件等系列標準,尤其是第三部的具光譜照射光基準數據之陸上光電伏打( PV)太陽元件量測原理。 3. 模擬器型式 光電伏打性能測試用模擬器有二種型式可在商場中獲得。穩態式模擬器(例如濾波過的氙氣燈,經雙色濾波過的鎢燈ELH 或為改良過的汞蒸氣與鎢電極燈)適用於單一電池及小電池模組。脈波式模擬器(由一或二個長弧氙氣閃光燈泡組成)由於能均勻地

    3、照射大面積故較適用於大電池模組。脈波式另有優點為因對待測電池之輸入熱可忽視,故其在環境溫度能維持均勻性而使測量容易及準確。脈波式模擬器一般提供脈波形成網路和資料取得與處理設備之配套裝置。 備考:目前太陽電池模組( solar cell module)的種類越來越多,其響應時間也不儘相同,太短脈衝( pulse)的光源,並不適用於太陽電池模組測試。 4. 模擬器要求條件 4.1 總照射光 模擬器應有能力在測試平面上產生 1000W m-2(由基準元件測量到)之標準照射光,並視需要提供高一點或低一點之照射光位準。 4.2 光譜匹配 模擬器之光譜照射光分布應與基準光譜照射光分布相匹配,且符合表 1

    4、中模擬器相關分類級別之內容指示。 4.3 均勻度 在測試平面上對指定測試面積之全域其照射光(由合適之檢光器測量到)應均勻且符合表 1 中模擬器相關分類級別之分級程度的規定。 2 CNS 13059-9 , C 6346-9 對單一電池及次組件測試,檢光器之最大尺寸應小於電池最小尺寸之一半。 在模組之情況,檢光器應不大於其中單一成分電池。 不均勻度 100 其中最大及最小照射光係由檢光器在指定測試面積上所測量到之值(將為暫時不穩定度而修正)。 4.4 暫時穩定度 在資料取得時間中,檢光器應穩定且符合表 1 中模擬器相關分類級別之分級程度的規定。 暫時不穩定度 ( ) 100 其中最大及最小照射光

    5、係在資料取得時間中,由檢光器在測試平面上之任何特定點所測量到。 備考:為脈波式模擬器之特定狀況,暫時穩定度要求條件僅適用於 在真正量測每個資料點時,檢出照射光位準。 4.5 特性檢驗 描述於第 4.1 至 4.4 節中之特性,當 A 級或 B 級模擬器(含老化)有任何改變且影響此等特性超過可接受之限度時應加以檢驗。所使用之檢光器在測試平面上任何點應有足夠的視角以接受所有的入射光。 5. 資料表單 每個模擬器,其資料表單須記錄下述資訊: (1) 資料表單填寫日期 (2) 量測日期 (3) 製造商 (4) 型式 (5) 分類級別(由個別特性之最低分類決定) (6) 測試平面地點 (7) 標稱測試面

    6、積 (8) 標稱燈泡電流 (9) 標稱照射光 (10) 光譜照射光分布 (11) 在標稱面積上照射光之不均勻度 (12) 在測試平面上任何點向光源(含反射光)對向之最大角度 (13) 暫時不穩定度 (14) 脈波式模擬器之脈波特性 最大照射光 最小照射光最大照射光 + 最小照射光最大照射光 最小照射光最大照射光 + 最小照射光3 CNS 13059-9 , C 6346-9 (15) 脈波式模擬器資料點間之時間間隔 表 1 模擬器分類 特 性 A 級 B 級 C 級 光譜匹配(每個波長間隔的真正總照射光百分值與規定於表 2 中所需百分值之比率) 0.75 1.25 0.6 1.4 0.4 2.

    7、0 照射光之不均勻度 2 5 10 暫時不穩定度 2 5 10 表 2 基準光譜照射光分布( *) 波長()間隔 m 總照射光百分值 介於 0.4 與 1.1 m 之間 0.4 至 0.5 18.5 0.5 至 0.6 20.1 0.6 至 0.7 18.3 0.7 至 0.8 14.8 0.8 至 0.9 12.2 0.9 至 1.1 16.1 備考( *):參照 CNS 13059-3光電伏打元件(第三部:具光譜照射光基準數據之陸上光電伏打( PV)太陽元件量測原理)中全盤基準太陽光譜照射光分布之規定。 引用標準: CNS 13059-3 光電伏打元件(第三部:具光譜照射光基準數據之陸上光電伏打( PV)太陽元件量測原理) 相對應國際標準: IEC 904-9 Photovoltaic devices Part 9 : Solar simulator perform-ance requirements


    注意事项

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