SJ 767-1974 3DD53型和3DD54型NPN型硅外延平面低频大功率三极管.pdf

1、中华人民共和国第四机械工业部标准3DD53和3DD54NPN型硅外延平面低频大功率三极一一一正1、本标准适用于提散功率为5W的3DD53和3DD54型NPNlil外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还).:，:符合半导体三极管总技术条件SJ614一73的规定。3、外型结构和尺寸应符合部标准SJ139一70，:1DD 53为G1 型1.3DD54为F1型。4、技术要求和试验方法z( 1 )电参数应符合参数规范表的规匙。电参数的测试方法所符合部标准SJ30072SJ314一72的规定。( 2 )环境试验后考核反向击

2、穿电压BVCEO，BVEBO，反向电流ICEO，饱和压降VCES和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。( 3 )高温贮存试验后考核反向电流ICEo，饱和压降VCES和电流放大系数HEF。要求ICEO增大不超过规范的2倍，V CE s:!:t1大不超过坝范的1.2倍，HFE相对变化率小于士35%。5、说明z( 1 )生产单位应在产品目录或说明书巾提供频率参数和下列特性曲线za、Ic一-VCE的关系曲线，b. lB VBE的关系曲线，c、HFEIc的关系曲线，-九七四年十月-日共第4页2页SJ767-74 d、HFET (低温的关系曲线Fe, ICEo T (高温的关系曲线pf、直流(

3、或脉冲安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。( 2 )功率管的使用z应在生产单位提供始安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温接下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75。COPCM = TjM一TcRTj 共4页第3页5J767-74 3 DD53和3DD54型NPN硅外延平面电极限电F 数直流型参一一一-BVEBolICEO 数PCM ICM TiM RTj BVCEO 号l rnA W A 。C。cjwV V 3 DDA 54 二:30 3 DDB 54 二:50 3 DDC 54 5 2 175 20 主80二:，.3

4、0.5 ADDD 54 与1103 DDE 54 与150Tc ICE = lEB = 1 V CE= 试750C lmA 2 mA ! 2 0 V 条件试验类别C J5 注:1、色标点)位匮:管帽顶瑞(G型);管帽边缘(F型)0 2、测试环境温度:Taz25。c参HFE 主10VCE 5V Ic 0.5A SJ767-74 共4页第4J1i数寇功率试验考核标准VCES Ic ICEO VCES 6HFE HFE色标分档V A mA V /HFE 相对棕变1 化10J J20 ;1 ,; 1 兰1.2率小于土35%红20FJ30 试验条件zIc 功率为PCM值IB 0.5A 电压VCE(或VCB)=10V橙z TC-750C O.lA 二吨。