1、中二，、FL 5961 SJ 50033. 52 94 / 旦目曰目semiconductor discrete device Detail specification for type CS0529 GaAs microwave Power field effect transisto 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS0529型碑化嫁微波功率场效应晶体详细规范semiconductor discrete device Detall specification ror type CS0529 GaAs
2、microwave Power field errect transistor 1. 1 主题内容本规范规定了CS0529型碑化锦微波功率场效应晶体管以下1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采用。1.3 分类 植根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1 器件的等级按GJB3325C时按9.33mW/C -2一SJ 50033. 52 94 3.3.2 主要电特性(T= 25.C) 符1,.,5 V GS(offl 10ss g . V国=3V，V田=3V，V出=-6V，V出=3V，极号Vos盟oV，, 10=1臼nAVos=OV , 10=0.5/1)s5 限(mA) (V) (mA
3、) (mS) 旦最小值最大值量小值最大值最小值最大值最小值最大值CS0529A 10 400 一1.5一5.5200 50 CS0529 吃R(.hll- P.(ldBI Gp(ld剧符守oddP.=l.OW V田=8-10V,10=0.51059, 极、号加热时间101.=8.仪Hz，Pi盟12dBm(CS0529A), 限、lOOms lor=16 GHz、P.= 15dBm(CS0529B) C(/W) (dBm) (dB) (%) 型号最小值最大值最最大值最小值最大值标称值CS0529A 8 105 20 20 CS0529B 5 3.4 测试要求电测试应符合GB4586及本规范的规定
4、.3. 5 标志本器件极性标志见图1.器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定.4 4. 1 抽样和检验抽样和检验按GJB33和本规范的规足.4. ,. 1 关于结构相似器件抽样的规定在同一生产线上，采用相同材料，相同工艺，同一套光刻版同一版上可有不同图形制造的CS0529、CS0530、CS0531和CS0532型器件，除A2，A3，A4、B3和B5分组外，相同芯片批的器件可作为结构相似器件进行逐批检验z除C6分组外相同检验周期的器件可作为结构相似器件进行周期检验.在这种情况下从某一个型号或几个型号的器件中抽取的一组样品的试验结果，对这四个型号的器件均有效。4.2 鉴定检验定检验应按GJB3
5、3的 4.3 筛选仅对GT和GCT级 按GJB33表2和本规施的规定.其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔仰。一3一一选见GJB33表23 热冲击SJ 50033. 52 94 试验方法GJB 128 1051 -65C-十150CI醋、VGS阳，。及1GSS 试和试7 中间测试8 功率老化9 最后测试1039 1c = 70C ，V田=9.5V ,POI= 1. 2W 表1的A24.4 质量一致性检验4.4.1 A组检验t黯=VGS阳的EI础4100AA组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行.4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行.4
6、.4.3 c组检验C组按GJB33和本表3的规定进行.4.5 检验和幢联和试验方法应按本规范相应的4. 5. 1 .测试方法下列规定.士15%, 的士10%或O.5V，取较大者z直流参数测试按GB4586相应方法范附录的规定方法.用晶体管图示仪测试，热阻及试按本规俭试A1分组A2分组VGS=O 电流电压电流跨导A3 作g止电压-4一GB 4586 方法GJB 128 2071 3 5 2. 1 10 5 2 表1A组检验极 条件LTPDI符号最小值|最大值单位5 5 I Vos=3V, I Joss 150 400 mA VGS=OV Iv田=3V.I VGS归曲I -1.5 I -5.5 I
7、 v 、110=1臼nAVGs=-6V, 200 A V田=OVV国=3V，50 mS 10=0.51oss 5 TA=125 C IV出罩3V，I VGS阳的I -1. 5 I -6 V Jo=10mA I VGs=一3V，2 mA 试电流 电压检验或试Bl B2 热冲密封B3分组工作寿命最后B4分组开帽内部目检设i核实)环GB 4586 方法5 SJ 50033. 52 94 续表、条件LTPDI符号V田=ovTA- 55(; V田=3V.V倡(011】1D国1伽nAE I 表2B组检验GJB128 极最小值|最大单位 I -. 0 I一5.5 I . v 极限方法|条件LTPD I符号单
8、位 2026 阳I-65C -+150C 1071 1027 . 2075 H .一. C 见表4步1.2和3Tc=70C .V回=8.5V. P.= l. OW 见表4步骤1.2和415 10 5 每批一个器件.0失效-5一 SJ 50033. 52 94 续表GJB128 值一最单位或试验l I I LTPD I符号条件I I I最B5 15 附录BP.o.=1.0W 时间100ms R(剧j-.105 I C /W B6 7 r 不工作最后测试1032 I 340h. TA =175 C 见袭4步骤1.2和4一表3C组检验GJB 128 捡或试验LTPD 方法条f牛C1分组15 | 见图
9、1外形尺寸2026 C2分组冲击(玻璃应力引出山一中10 1056 2036 f牛A条件E拴重0.83士0.09N封密细粗综1071 1021 H 条件C环数4，前2恢复时间4ho进行步骤7.外观及最后测试2071 见表41，2和3C3分组冲击10 动2016 2056 2006 恒最飞见表4步骤1.2和3 、，们一用一，后莓t-i 和一何一附她何一她一旭附眠4;-5-6RUU C句一C一C是EK盐一稳最15 1041 =10 1026 1000h.同B3分组见表4步骤1.2和4一6一SJ 50033. 52 94 表4B组和C组检验的电测试试lIVGs=O时的电流变化量5 交货准备5. 1
10、包装要求E GB 4586 条件3 I V1国=3VV=OV 包装要求应捞GJB33的规定。5.2 贮存要求GJB 33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定.6 说明事项6. 1 预定用途符号/:J黯极最1) 初始值的土30%符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用.6.2 订货资料6. 2. 1 合间或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和拥亏Fb. 等级见1.3. 1) ; C.雹:x.:m:;d. 需事时，其阻:.J、.6.2.2 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定见3.2.1). 6.2.3 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或
11、订货单中规定.6.3 型号对照本产品企业原用型号为WC67. 单位mA 一7一SJ 533.52 94 一， ,._,._ 附录A体管1分贝唱益压铺输出增1分贝唱补充件A1 目的场效应晶体管在规定条件下的1分贝益Gp(ldB)及功率附加效率1JIM.出功率PO(l伽利1分贝A2 测试可变器定向置网络入阻扰匹配网络离，比口1 A B , 定网络匹配同吨，D-uw 由功A ) ID + V -图Al场效应晶体管POOdBJ和GpOdB)及1J.dd测试框圈、A3 见图Al.器件出功率矶和输入功率PO由下述关出zP1 - Pl Ll . . . (Al) Po - P2 + L2 . . . (A2
12、) 此处Pl和P2分别为功率计1和功率计2指示的数值.Ll和L2分别是从A点到B点SJ 50033. 52 94 及C点到D点的电路损耗。由(1)式和(2)式导出功率增益Gl: Gp = 10LogPo/P1(A3) A4 测试框图说明和要求隔离器的作用是使加到被测器件土的功率在其输入端阻扰失配时保持恒定。装在散热良好的测试夹具中，电路损耗L1和L2被预先测得，在测量L1和L2时输入和输出阻抗匹配网络应尽可能处于匹配状态A5 测试步把射频信号源的频率调整到规定值，将被测器件的栅一源电压V由加到接近栅一惊截止电压VGS(o!f)的数值，调节漏一摞电压到规定值，改变VGS使漏极电流10句O.51脯
13、，将输入功率加到接近削试P叫)时的需要值。节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计2指示最大。把输入功率增加到规定值，并阻抗匹配网络。将输入功率降低至一较低值Pl(rcf川测量输出功率Po (rcf) ，此时功率增益Gp(目。=PO(rcf)/P山cf)应基本上与输入功率无关。增加输入功率直到功率增益下降到比GP(rel)低1分贝时的输出功率为1分贝增益压缩输出功率，而此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增益。把输入功率加到规定值，测量输出功率，并测量对应的漏摞电压和漏电流。功率附加效率按下J: I异:A6 规定条件环境温度TA; 源电压VDS;漏极电流10;工作频率fop; 入功率P，0 剧目的T.
14、dd = (P P1)/(Vns 10) .100,% 附录B场敢应晶体管热阻的测试方法(补充件效应晶体管在规定条件下沟道至管壳的热阻R(th)J-C。B2 电路图. (A4) 一9一、SJ 50033.52 94 JIJ 83 A 一I。D 82 A G S 81 + v V皿VDD VOO! 立Iv曲R / + VOOI 一一图B1场效应晶体管热阻测试电路图的测试原理以漏极开路，施加固定的栅正向电流IGF时的温度的敏感恃性。向电压VGSF为测量场效应晶体的沟道B3. 确定校准曲线VGSP - f(TJ) ，见图B2，该曲线上Tj- TA ，直线的斜率是压的温度系数:正向偏a = LlV G
15、SF/ LlTj(B1) V鱼圄、。丰D.Tj (0. 1 V /格 2,. V GSF , 图B2计算用校正曲线B3- 2 将一个固定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，(LlVGSF)，测热阻扎灿-c由下式计 与(10-C/格)栅一摞正向偏压的变化R(h)J-c LlVGSF/(.V凶.ID)(2)一10一 SJ 50033. 52 94 B4 电路说明电路R相对于静态栅一源输入电阻要足够大，以保证正向电流。Vl和R也可用恒流源取代。的测试步B5.1 测重源正向电压时栅极有恒定的将被测器件安装在加热块上或放在恒温箱里)，按图l所示与电路连接。开关Sz、S3断开，SI闭合，调整V1使栅摞正向电
16、流为一特定值!O(础，该值应较小，以使因其引起的TJ升高可以。标准曲线VGSF - f(7J) ，见图B2.加热块的温度对应Tj。在达到热平衡后，开关SI闭合，记下每一温度下的栅一源正向电压。画出直线，由直线的斜率算出z. = .1V GSF/ .1TJ(B3) B5.2 测量凡th)尸C被测器件连接于图B1所示电路中，待热平衡后开始测量。测量过程中应保持管壳温度不变.tl t, ta t. s 2 图B3脉冲时序示意图t = t1 ，SI闭合，测量栅一摞正向电压VGSF1。t t =tz ，SI断开，Sz、S3闭合，测量Vos和ID，(VDD和VGGS预先调好，使Vos和ID为规定值。l1过
17、后，即t-t3，达到热平衡。Sz、S3断开。l1通常为几百个毫秒。经过延时时间巧，即t=h时SI闭合，测量此时的栅源正向电压VGSFZ.改变lz保持其它条件不变，重复上述测试步，并测量VG的。根据测量值，建立曲线VGSFZ = f( Cz)，见图B4.V . , (O.IV/.) VGSP1 V帽町(0)0.6 0 - -+ V咽ml z( ms 革嚣3图B4延时时间lz与VGSF2关系曲线由图B4，推出lz= 0时，VGSFZ-VG吕F2(O)，则R州j-e由下式求得:R(.h)j叫=(VGSFZ(O) VGSFlJ/(.Vos.ID)(B4) 一11一B6 规定条件环境温度TA;管壳温度Tcz向电流1G(rc/) ; 极电流10一摞电压Vns。附加说明:SJ 50033. 52 94 本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人:黄玉英、李祖华、王长福。计划项目代号:B21078.一12一
