1、中FL 5961 ，、，自曰曰电SJ 50033/68 1995 非帚 守, Semiconductor discrete device Detail specification for type BT51 NPN silicon small power difference matched pair transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件BT51型NPN硅小功率差分对体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for
2、 type BT51 NPN - silicon small Power difference matched - pair transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/68 1995 本规范规定了BT51型NPN硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研究、生产和采购。1. 3 分类本规范1. 3. 1 器件的等级证等级进行分类。按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军级三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导
3、体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施1一 SJ 50033/68 1995 引出端材料为可伐，引出端表面涂层应为镀金，镀锡或择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.4)。3.2.2 器件结构器件采用NPN硅外延平面双极型结构。3.2.3 外形尺寸。对引出端材料和涂层要求选外形尺
4、寸应符合GB7581的A6一02A型及如下规定。见图1。90. 4S. I、飞./圃，飞、1 _h 1.矗且r.!、1.F4、，二b.3sCM】x(M)1 I I 吨，.;b-J 吨，龄2: 图1外形图3.3最大定和主电特性3.3. 1最大定值P tot(mW) 1) V Vo VEBO 型i号Tc=25t: (V) (V) (V) BTSl BTSIA 100x2 30 20 5 BT51B ,_ 注:1) Tc2St:时按0.57W/t:的速率3.3.2 主要电特性(TA=25t) 一2一1m A6-02A 最小值|最大值A 6.10 6.60 10. S.08 #J1 1. 01 #J
5、z I 0.407 I 0.450 I 0.508 ;D 8.64 I 9.39 E ;D主8.01 8.50 0.712 0.787 0.863 K 0.740 1. 14 L 12.5 25.0 Ll 1. 27 引出端极性1.发射极17.发射极22.基极18.基极23. 电极15. 电极2Ic Tjm T.幢(mA) (t: ) (t: ) 30 175 -55-150 SJ 50033/681995 参数极限值符号(单位)测试条件h F VcE=5V, 1c= 10mA V酣(V) 1c= 10mA, 1B= l mA fT (MHz) 1C = 10mA, V= 10V, f=30M
6、Hz V=5V h FElI h p国1) 1c= 10mA C曲(pF) V CB = 10V, f= lMHz 注:1)较大的数为分母。3.4 标志器件的标志应符合GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)号最小值最所有型号40 200 + 所有型号0.5 所有型号100 BT51 0.95 BT51A 0.90 BT51B 0.85 所有型号5 筛选应按GJB33和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行。超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选试和7.中间电参数
7、和A参试1cro, hF, h FElI hfF2 8.功率老化TA=25士3t:，V= 10V, Ptot = 100mW x 2 9.最后试按本规范表1和A2分组M=初始值的100%或0.5A取其较大者6.hF =土20%4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。11 A VB= 10V 2 集电极基极截止电流2 1 发射极基极开路I到:12 A VB= 10V 3 基极发射极电压(非2 5 V=5V，I=10mA Iv脏1-VBE2 l 饱和)绝对差值(见45 2) 10 mV 4 正向电流传比2 8 V=
8、5V I = 10A h FElI h n ;z (增益比)BT51 o 95 BT51A i 0 90 BT51B o 85 5 正向电流传输比2 8 VE=5V I=lOA h FEI I h F1i:2 (增益比)BTSl o 80 BT51A o 75 BT51B o 70 6 基极发射极电压2 5 V CE = 10V, I= lmA IMVBE1- VBE21 1 5 mV (非饱和)温度变化TA = 25C和-55C t:. TAll 的绝对差7 基极发射极电压2 5 VE=5V, I= lmA I t:.( V BEI - V BE2 1 2 0 mV (非饱和)温度变化TA
9、= 2SC和125Ct:. TAI2 的绝对差7一 臼50033/681995 5 交货5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运渝要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级;c. , d. 需要时，其他要求。6.3 定义6.3.1 hFEdhFE2正向电流传输比(增益比)，每个管芯的稳态正向电流传输比绝对于。6.3.2IVBEl-VBE21各管芯之间基极一发射极电压差的绝对值。
10、6 . 3 . 3 I Ll V BEl - V BE2 ) Ll T A I两个不同温度下各管芯之间基极一发射极电压差之间代数差的绝对值。6.4 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。8一A( 附录)-发射极击穿电压测试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路电路见图Al51 Rl + VCE 图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 Rl为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则器件为合格。一一加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七0厂本规范主要起草人:黄世杰、李校运、王长福。计划项目代号:B21010。幡电、1-甲
