GB T 9532-1988 铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法.pdf

1、1 DC 62:. S S 592.9: 001.4 中华人民共和国国家标准专尼酸锤、钮酸锤、错酸秘、硅酸秘压电单晶材料型号命名方法Designations for LiNb03 ,LiTa03 ,Bi12Ge020 ,Bi12Si020 piezoelectric crystals 1988-06-28发布1989-02-01实施回来标准局发布中华人民共和国国家标准专尼酸锤、钮酸铿、错酸锐、硅酸秘压电单晶材料型号命名方法GD 9532-88 DI,signatons for LiNO l .Lil a(人，i12Ge020.BiJ2Si020 piezoelcctriC crystals :

2、乍标准适用于声表面坡和体披器件用钝酸惶、钮酸铿、错酸销、硅酸钝等单晶材料的型号命名.钝酸键、钮酸惺、错酸钝、硅酸锡等压电单晶材料型号由五部分组成，如方框图所示z短体生旦旦代表垂直于晶体生长方向的晶体尺寸代表材料的主要性能特征代表材料的掺杂成分代表材料的主要组分2 第一部分，材料的主要组分，以化学元素的缩写符号表示，如下表规定。.撞.，.的第一部分材料的中文名称材料的化学分子式NT泪如LLK民i 锯酸键钮自变银锁商量协硅踉锵LiNb 上:Biu B1u!丑:10203 第二部分，材料的掺杂成分，用掺杂的元素符号表示导忌素符号前，用标点符号z飞若不使用掺杂材料，此部分可省略。4 第三部分，材料的才

3、要性能特征，用;y表示压电性能。5 第四部分，垂直于晶体生长方向的尺寸，用阿拉伯数字表示。截面为圆形，用直径表示若为方:J.则用长宽相乘表示。单位为毫米，但不住出。8 第五部分，晶体生长方向，用直角坐标系表示。7 第二部分制第三部分之间以及第四部分相第五部分之间均用一分开e8 举例中华人民共和国电子工业部1988-04-26批准1989-02-01实施GB 9532-88 iTL 8.2黯9一峰主羊错酸钳单晶I I L 生长方向I 1 材料尺寸为30mm兴30mmL 压电性能l 二豆面要组些企挝8. 3 :_F-Y50-Z 镜酸惺单晶TT L一-挫础川直径为50mmI Ik电性能惨益与性离子材料的主要细分为镜、惺附加说明2本标准由电子工业部第二十六研究所和标准化研究所负责起草。本标准主要起草人:毕四英，刘承钧。ilN町的筒。华人民共和国家标准铝酷程、钮酸理、错酸锚、硅酸锦压电单晶材料型号命名方法GB 9532-88 国中电子工业出版社出版(北京万寿路27号)河北省清河县印刷厂印刷中国电子技术标准化研究所发行版权专用不得翻印 开本:88川2301川印张字数:4千字1990年7月第一版1990年7月第一次印刷印数:1一1000册定价:0.40元晤TSBN 7-5053-1070-4/TB. 165