1、中华人民共和国国家标准GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法代替GIl6619. 86 Test methods for bow of silicon slices 第-篇方法A接触式测试方法1 主题内容与适用范围本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为2001000囚的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体肉片弯曲度。2 方法原理将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。3 测量仪器3. 1 基准环基准环是由基
2、座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具，如图所示囚国家技术监督局1995-04-18批准1995-12-01实施3 L l GB/T 6619-1995 , 一1.5110.12mm r-., 佳Itx !.lG .8 tM .45 76.2 G9. 1: 5 rJI. fJ 03.GG E5.D II 8. 134 图基准环滋地吨俑手Lt_片喧(t3个且lF为3.18mm附暗质含立咔U_2O排刮，l ,l 距离的直让为z 川、尼龙琐事E器uIO排刊，其中距嚣的直哇为3 .U 1士0.0巳mm, 63同5011. G 83啕。127. 0 J 12. 78 1!)2. :37.G 177.
3、& 3. 1, 1 基座是由温度系数小于6X10-6jC的金属材料制成。基座外径比被测硅片直径大50.8 mm 1, 右，幕w厚度大于19mmo主主座底面应光滑，平整度应小于0.25!mo 3. 1. 2 3个支撑球由碳化鸽或其他硬质合金制成，等问距分别置于基座的一定圆周i二，高度误左应小于，0m，表面光滑，粗糙度应小于0.25mo3. 1.3 3个定位柱由硬质塑料制成，位于3个支撑球对应的位置上，用以保证被测砖片中心与3个支点的几何中心相重合，偏差小于).0mm。定位柱对硅片不能有任何作用力。3.2 忱移指示器3. 2. 1 位移指示器应能上、下垂直调节，并指示出硅片中心点与基准面之间的距离
4、。3. 2. 2 指示器指针应处于基准环中心，移动方向垂直于基?在于面，偏差小于1003. 2. 3 指针头部呈半球状，球体半径在LO2.0mm之间。3. 2. 4 指针头部对被测硅片的压力应不大于0.3N。3. 2. 5 位移指示器分辨率为1mo3.3 读数仪表读取位移数值的电动仪表，显示有效数字3位以上，单位为m。4试样4. 1 试样表面向清洁、干燥。G/T 6619- 1995 4.2 )c参号面的砖片，测量前在硅片边缘应做出标记。5 测量程序5. 1 根据硅片试样的直径，大小，选用或调节基准环的3个支点R硅片边缘jmmo 5.2 将硅片试样的IE面(或规定面)朝上，放入基准坏中。5.
5、2. 1 硅片试样如有参考雨.fZ使参考面与基准环仁的标线平行。5.2.2 元参考面的位片试样.测量时在认IE位置做出标记。5.3 移动基准环，使硅片试样中心处在指示器指针之下。5. 4 调节位移指示器，使硅片试样的正反两面都在测量量程之内。5. 5 测量陈片试样中心所在位置.以读数仪表上快取数值，并记作/1 5.6 顺时针转动硅片试样，每转9()测量次，从读数仪表上读取数值，分别记竹F，、F3、，1也5. 7 翻转硅片试样，反面朝上放入基准lf、中，重复5.2、5.3、5.5各条测量步骤，读取测结数俏，记作扎，并考虑数值的正负符号。5. 8 逆时针转动硅片试样咽母转动90。，对应于F，、凡、
6、F，的值，测量出相应的矶、矶、凡之悦。6 j11量结果计算6. 1 按照公式计算硅片弯曲度D，式中:Dl弯曲度，m;i= 1、2、3、4; FI一硅片正面测量数值，m;13, 硅片反商测量数值，fLtll., D = IF, - B, I 一z 6. 2 取D，、D，、矶、D，4个数值中的最大值作为该硅片的弯曲度。7 精密度本方法单实验室标准偏差为土3.。m(R1S)。B 试验报告试验报告同包括干列内容ga. 硅片试样批号、规格gb. 测量仪器名称和型号;C. 测量结果$d. 本标准编号:e. 测量单位及测量者; 测量日期。9 主题内容与适用范围第二篇方法B一非接触式测试方法丰标准规定了硅片弯
7、曲度的非接触式测量方法。JtU C/T 6619 1995 牛二标准的适用范罔n第一篇方法A第l弯b10 方法原理将硅片置于基准f的3个支点i:，3支点形成-个基准、F面，川l今只元接触的测茸挠头，洲U硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯iHl度。1 1 测量仪器11. 1 苇准环同第篇方法A第3.1条。11. 2 测量仪测量仪由测量探头、显示器、花岗岩平台三部分组成。11. 2. 1 测量探头是一对无接触位移传感器，上、下探头处在同一轴线上，能够上、lj直调节.轴线与基准平面的法线之间的夹角应小于20，每只探头能独立地测量与陆片最近表丽的距离，探头分辨半优于0.25mo11.2.2
8、 显示器具有将测量探头输出的讯号进行数字处理，计算、存储功能，并用数字显示出探头号硅片灰面的距离。11.2.3 花岗岩平台是一块结构细密、表面光滑的石板，面积大于305mmX 355 mmo测量民表面平整度小fO. 25 I咽，并装有限制基准环移动范围的限位器。11. 3 厚度校准片测量仪应备有的附件，用以校正测量仪。12 试样同第一篇方法A第1.11.2条。13 测量程序13. 1 仪器校正13. 1. 1 根据硅片试样在径和厚度的大小，选用相应规格的基准环和厚度标准片，标准片与陆片试样的厚度之差小于50mo13. 1. 2 将选好的基准环置于花岗岩平台上的限位器处，放入厚度标准片，使基准环
9、中心M#捆，吐探头。13. 1.3 将测量仪拨到设定位置，调整测量探头使其在有效测tt范围内。再把测鼓仪拨到测肆位置，转动厚度调节旋钮，使显示值达到标准片的厚度假。13. 1.4 取出厚度标准片。13. 2测量13. 2. 1 从测量仪上取出上探头，以使用下探头测量。13. 2. 2 将硅片试样正面向上放入基准环，使硅片的主参考而(戎标记7与慕准环上的标线千行13. 2. 3 移动基准环，使F探头对准硅片试样中心位置。13.2.4 思示苦苦复位。13.2.5 测量下探头至硅片下表面的距离，读取数值，记作1，13.2.6 顺时I转动硅片，每转900lJ!量次.从读数仪表i二读取数值，并分别记作忆
10、、l川和J，-1 13.2.7 翻转佳片试样，反而朝上，放入基lfE环巾，重复5.2. 3G. 2. 5各条mJt.l步骤电读取测站数值，k:作丸，并考虑数值的lE负符号。13. 2. 8 逆时毛|转动硅抖试样，每转90，对应矶、矶、川之值，回监出扎、H;和H，之ltloG8!T 6619- 1995 14 测量结果计算同第篇方法A第6.1 6. 2条。15 精密度本方法的精密度是经5个实验室巡回测试确定的，测试硅片试样共25片，硅片直径为76.2 mm , 100 mm和125mm3种规格，精密度的2倍标准偏差的平均值为土4.0问叫R2S)。16 试验报告同第一篇方法A第8章。附加说明本标准由中罔有色金属工业总公司提出。木标准由洛阳单晶硅厂负责起草。本标准主要起草人王从赞、郭瑾、袁景怡。本标准方法A等效采用美国材料与试验协会标准ASTMF534-9l硅片弯曲度测试方法儿3 lS
