1、ICS 27.120.01 F 04 =H工-、一一一一一GB/T 4960. 6 1996 器Glossary of terms: nucl ear science and technology -Nuclear instrumentation 1996-06-17发布1997-07-01实施国家技才生监局发布目次1 主题内容与适用范围 . . . . . . . . 1 2 核辐射探测器 . . . . . . . . . l 3 通用核仪器及其主要特性. . 12 4 反应堆仪表. . 18 5 辐射防护仪器27 6 核辐射应用仪器. 30 附录A中文索寻I(补充件. . . . . .
2、 . 34 附录B英文索引(补充件). . . . . . . . 42 L 中华人民共和国国标准核科学技术术语核仪器仪表Glossary of terms:nuclear science and technology Nuclear instrumentation GB/T 4960.6-1996 主题内容与适用范围本标准规定了核仪器仪表领域有关的术语及其定义。本标准适用于核辐射探测器、通用核仪器、反应堆仪表、辐射防护仪器及核辐射应用仪器领域内编写标准、技术文件、翻译文献及国内国际技术交流等。2 核辐射探2.1 2. 1. 1 2. 1.2 2. 1. 3 2. 1. 4 2. 1. 5 2
3、. 1.6 2. 1. 7 2. 1.8 2. 1. 9 核辐射探测器radiation detector 核辐射测量设备中对被测的入射核辐射提供有关信息的器件。线性探测器linear detector 输出信号与入射核辐射有关的一个量一般指入射核辐射在探测器灵敏体积中损失的能量)成正比的核辐射探测器。非线性探测器non-linear detector 输出信号与入射核辐射有关的一个量不成正比的探测器。模拟探测器analogue detector 以模拟量形式提供核辐射信息的探测器。脉冲探测器pulse detector 以脉冲信号形式提供核辐射信息的探测器。自给能探测器self-powere
4、d detector 无需外加电源，探测器内部的发射体在中子作用下生成活化核而发射缓发粒子，或俘获瞬发Y射线而发射电子。由发射的粒子和电子形成电流，用于探测中子或Y射线的探测器.中子热电堆neutron thermopile 通过吸收中子诱发反应产生的粒子而变热的材料与热电偶的热结相接触而构成的核辐射探测器.电荷发射探测器charge emission detector 在核辐射作用下所产生的带电粒子从一个极板转移到另一个极板而改变极板|可电位差的电容器式探测器.4核辐射探测器制radiationdetector 在4立体角范围内，可探测到由放射源发射的射线的探测器。例如井型探测器为近似于阳的
5、探测器。2. 1. 10 2核辐射探测器2rr radiation detector 国家技术监督局1996-06-17批准1997-07-01实施1 2. 1. 11 2.1.12 2. 1. 13 2. 1. 14 2. 1. 15 2. 1. 16 2.1.17 2. 1. 18 2. 1. 19 2. 1. 20 2. 1. 21 2. 1. 22 2. 1. 23 2. 1.24 2.1.25 2. 1. 26 2 GB/T 4960.6-1996 在2立体角范围内，可探测到由放射源发射的射线的探测器。化学探测器chemical detector 利用致电离辐射在探测器的灵敏体积材料
6、中诱发化学反应产物来探测致电离辐射的探测器。radiodefect detector 利用致电离辐射在探测器的灵敏体积材料中产生的缺陷来探测核辐射的探测器。浸入式探测器dip detector 浸入待测活度的放射性溶液中的核辐射探测器，例如浸入式计数管.蚀刻径迹探测器etched track detector 重带电粒子经过构成核辐射探测器的材料时，造成材料的局部损伤，其表面经腐蚀后，使损伤的局部显示出来，由此可测量粒子引起的径迹数目的探测器。使用某种转换材料后，也可用于探测中子。核乳胶nuclear emulsion 经过正确显影后，带电粒子的各个径迹都可被显示的照相乳胶片。借助于中子弹性散
7、射产生的反冲质子(氢核)，核乳胶也可用于探测快中子。核辐射发光探测器radioluminescence detector 利用探测器中的灵敏体积材料在核辐射作用下的发光效应的探测器。活化探测器activation detector 利用在核辐照下产生的感生放射性来测定核辐射粒子注量(率的探测器。阔探测器threshold detector 利用阔反应原理制成的探测器。次级发射探测器secondary emission detector 由限定容积的真空腔体构成的核辐射探测器。其电流由次级带电粒子从腔壁上射出，并在适当的外加电压作用下被收集而形成。(中子探测器的)灵敏材料senstve mate
8、rial (of a neutron detector) 在某些中子探测器中，用于和中子发生核反应而生成直接致电离粒子(包括裂变碎片的物质.该物质可以存在于衬里或所充气体中。用灵敏材料做成的衬里称灵敏衬里.总电离total ionization 一个直接致电离粒子以任何方式所产生的离子对总数。探测效率detection efficiency 在一定的探测条件下，探测器测得的粒子数与在同一时间间隔内由辐射源发射的该种粒子数之比值。探测器效率detector efficiency 探测器测得的粒子数与在同一时间间隔内入射到探测器上的该种粒子数之比值。(探测器的)选择性selectivity (of
9、 a detector) 探测器对被测致电离辐射的灵敏度与其对伴生辐射灵敏度之比。感应度influenceability 当探测器的工作受某种伴生辐射干扰而有反应时，即称该探测器对这种辐射是有感应的，这种伴生辐射就成为一种影响量。当所有其他的影响量均保持不变时，探测器对某种伴生辐射的感应度为输出量的变化(探测器响应)与输入量的变化(伴生辐射引起的)之比。(探测器的)窗window (of a detector) 探测器中便于让被测辐射穿透过去的部分。L 2. 1. 27 2. 1. 28 2. 1. 29 2.1.30 2. 1. 31 2.1.32 2. 1. 33 2.1. 34 2. 1
10、. 35 2. 1. 36 GB!T 4960.6-1996 (探测器的)灵敏体积sensitive volume (of a detector) 探测器中对辐射灵敏并能提供信号的那部分体积.(探测器的)使用寿命uselullile (01 a detector) 在限定的辐射和环境条件下，探测器的特性能保持在规定的容差范围内的最长使用时间或最大累计计数。(中子探测器的燃耗寿命burn-up lile (01 a neutron detector) 中子探测器对给定能量分布的中子注量所能承受的估计值.超过此值后，探测器的灵敏材料将消耗到使探测器的性能指标超出规定的容差。电离电流muzation
11、 current 在被电离介质中所产生的离子和电子在电场的作用下移动并被电极收集而形成的电流。剩余电流residual current 在外辐照停止后，由于探测器的组成材料的活化、污染及其绝缘强度下降等原因而在探测器中继续存在的电流。(探测器的漏电流leakage current (01 a detector) 在无辐照下，外加偏压时，流过探测器的总电流。电子收集时间electron collection time 从致电离辐射在某指定点形成离子对起，到电子被电极收集时止所需的离子收集时间ion collection time 从致电离辐射在某指定点形成离子对起，到离子被电极收集时止所需的时间
12、间隔。壁效应wall effect 探测器的壁对测量结果的影响。它取决于壁的材料、性质及厚度。康普顿连续谱Compton continuum 在探测器中释放的康普顿电子形成的连续脉冲幅度谱.2.2 气体电离探测器2.2. 1 电离探测器ionization detector 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.2.5 2.2.6 利用探测器灵敏体积中的电离效应而获得核辐射信号的探测器。脉冲电离探测器pulse ionization detector 内充一种适当气体或气体混合物，并加有电场的核辐射探测器。所加电场能将各个电离事件在探测器灵敏体积中产生的离子和电子收集在电极上.例如脉冲电离室
13、、正比计数管和盖革弥勒计数管等。流气式探测器gas-flow detector 借助于气体在探测器中的低速流动，以保持其中充有适当的气体介质的核辐射探测器，例如流气式电离室、流气式计数管。内充气体探测器internal gas detector 测量充在探测器内的全部或部分气体的放射性活度的核辐射探测器，例如内充气体放射源的电离室。计数管CQunter tube 内充适当气体或气体混合物的脉冲电离探测器。管中所加电场足以引起气体放大，并能将电离事件在探测器灵敏体积中产生的离子和电子收集在电极上。工作在盖革-弥勒区的称盖革-弥勒计数管。工作在正比区的称正比计数管。自猝灭计数管self-quenc
14、bed counter tube 只靠所充气体，而不需采取其他措施就能猝灭的计数管，例如卤素猝灭计数管、有机猝灭计数管.3 厂一.2.2.7 2.2.8 2.2.9 GB/T 4960. 6-1996 强流计数管strong current counter tuhe 在定范围内，其输出平均电流与入射的Y射线强度的对数成正比，用于探测高强度Y射线的卤素计数管。三氟化砌正比计数管boron trifluoride proportional counter tube 内充三氟化棚气体，利用中子和砌的核反应所产生的粒子和银核引起的初始电离来探测热中子的正比计数管。衬砌正比计数管boron-lined
15、proportional CQunter tuhe 在壁上或适当形状的电极上涂有砌灵敏层，利用中子和砌的核反应所产生的粒子和铿核引起的初始电离来探测热中子的正比计数管。2.2.10氮计数管helium CQunter tuhe 2.2.11 2.2.12 2. 2. 13 2. 2. 14 2.2. 15 2.2.16 2. 2. 17 2. 2. 18 2.2.19 2.2. 20 2.2. 21 2.2.22 4 内充氮.3气体，利用中子和氮.3的核反应所产生的质子和氟核引起的初始电离来探测热中子的正比计数管。反冲质子计数管recoil proton countr tuhe 含有氢或含氢物
16、质，利用快中子和氢核碰撞产生的反冲质子引起的电离来探测快中子的计数管。反冲核计数管recoil nuclei counter tube 利用快中子和低原子序数的原子核碰撞产生的反冲核引起电离来探测快中子的计数管。薄壁计数管thin wall CQunter tube 由吸收系数低、面密度小的材料做管壳，用于探视Hff穿透能力辐射的计数管。窗计数管winclow counter tube 外壳中窗的部分是由吸收系数低、面密度小的材料做成的，用来探测低穿透能力辐射的计数管，例如仰l窗计数管、钟罩汁数管。裂变计数管fission counter tube 含有裂变物质灵敏衬里，利用中子和裂变物质的核
17、反应所产生的裂变碎片引起的初始电离来探测热中子和快中子的计数管。液体计数管liqud CQunter tube 用来测量放射性液体活度的计数管。典型结构为圆柱形管子，外面安一个同轴固定式或可移动的圆柱形杯子，被测放射性液体置于杯子和计数管之间的环状空间内。外阴极计数管external cathode counter tube 以碳或金属为阴极，包在管壳(一般为玻璃管壳)的外表面而构成的计数管。平面计数管flat CQunter tuhe 由两块金属平板阴极及在平行板问悬挂着若干条互相平行且与平板相平行的金属丝阳极构成的正比计数管。电晕汁数管corona CQun tcr tu be 由电离粒子
18、引起电流急剧变化且能维持电晕放电的汁数管。电离室ionization chamher 内充适当气体或气休混合物的容器组成的电离探测器。电离室中加有不足以引起气体放大的电场，该电场能将致电离辐射在探测器灵敏体积中所产生的离子和电子全部收集在电极上。一般分为脉冲电离室、积分电离室和电流电离室。电子收集脉冲电离室electron collection pulse ionization chamber 主要靠收集电子而获得输出信号的脉冲电离室。离子收集脉冲电离室ion collection pulse ionization chamber 主要靠全部收集离子和电子而获得输出信号的脉冲电离室。飞、厂一-
19、GB/T 4960.6-1996 ill-ilill-ll !lIlli-li-iili 屏栅电离室grid ionzation chamber 由一对平板电极和处于其间的附加屏栅电极组成的，通常用于测量粒子或裂变碎片能量的脉冲电离室。其附加屏栅电极处于中间电位，它使电离室输出脉冲与离子对产生的地点无关，并可降低重离子的影响。三氟化硕电离室boron trifluoride ionization chamber 在探测器中充有三氟化棚气体，利用中子和砌10的核反应产生的粒子和银核引起的电离来探测热中子的电离室.衬棚电离室boron -lined io剧目tionchamber 在其壁上或适当形
20、状的电极上涂有棚灵敏层，利用中子和砌-10的核反应所产生的粒子和银核引起的电离来探测热中子的电离室。裂变电离室fission ionization chamber 涂有裂变物质灵敏层，利用中子和裂变物质的核反应产生裂变碎片而引起的电离来探测热中子和快中子的电离室。反冲核电离室recoil nuclei ionzaton chamber 利用快中子与轻核碰撞形成的反冲核所产生的电离来探测快中子的电离室。反冲质子电离室recoil proton ionzation chamber 充有氢气或含氢物质的、利用快中子和氢核碰撞形成反冲质子而引起电离的反冲核电离室。自由空气电离室free air ion
21、izaton chamber 灵敏体与大气相通，以空气作为介质的，主要用于照射量绝对测量的电离室。空气等效电离室air-equivalent ioni四川nchamher 其室壁、电极的材料和所充气体与空气具有相同的有效原子序数的电离室。允许其结构可对布喇格-戈瑞空腔的条件作某些放宽，而使空腔的尺寸可略大于次级粒子的射程。布附l格-戈瑞空腔电离室Bragg-Gray cavity ionization chamber 在一种介质中，测量X、Y辐射或中子的照射量或吸收剂量的电离室。它的结构例如z灵敏体积、气体压力、壁的性质和厚度)必须满足布喇格-戈瑞空腔的条件，即其体积必须比致电离粒子的路程要小
22、，以至于不干扰初级或次级辐射在介质内的分布。液体壁电离室liquid-wall ioni四tionchamber 液体构成室壁的电离室，用于测量该液体的或卢活度。元壁电离室wall-less ionzation chamber 灵敏体积不是由电离室的壁，而是由其电场的电力线所限定的电离室，其电场由电极的形状、排列方式和电极间的电位差所确定。生物组织等效电离室tissue equivalent ionizaton chamber 室壁和电极的材料及所充气体与生物组织具有相同的有效原子序数，测量生物组织中吸收剂量的电离室。它可对布喇恪-戈瑞空腔的条件作某些放宽，而使空腔的尺寸可略大于次级粒子的射程
23、。差分电离室副fferenceionization chamber 由两个分电离室构成的电离室。电离室的总输出电流为两个分电离室电离电流的差。补偿电离室compensated ionzation chamber 可消除叠加在被测核辐射上的其他辐射影响的差分电离室。外推电离室extrapolation ionizaton chamber 为了外推出电离室对灵敏质量为零时的响应，电离室的某个特性(一般是电极间的距离可变的电离室。内充气体放射源电离室ionization chamher with internal gas source 2.2.23 2. 2. 25 2.2.27 2.2. 30 2
24、.2. 32 2.2. 36 2.2.38 2. 2. 37 2.2.33 2.2.34 2. 2. 35 2.2.28 2. 2. 29 2.2.26 2. 2. 24 2.2. 31 5 2.2. 39 2.2.40 2.2.41 2.2.42 2.2.43 2.2.44 2.2.45 2.2.46 2.2.47 2.2.48 2. 2. 49 2.2. 50 2. 2. 51 2.2.52 2.2.53 2.2.54 2.2.55 6 GB/T 4960.6-1996 全部或部分充有被测活度的放射性气体的电离室。电容器电离室capacitor ionization chamber 核辐射
25、引起电容器电极间电位差变化而使电容放电的电离室。4电离室住ionizationchamher 在4立体角范围内，可探测到由放射源发射的射线的电离室。2电离室2ionization chamber 在2立体角范围内，可探测到由放射源发射的射线的电离室。驻极体电离室;永久极化电解质电离室electret ionization chamber 由一种具有永久性表面电位的电解质替代高压电极，利用所充气体的电离使其电位降低来测量核辐射剂量的电离室。漂移室drift chamber 利用测量电子在电场中的漂移时间来确定入射粒子空间坐标的多丝结构的气体探测器，例如多丝漂移室、均匀电场漂移室和可调电场漂移室等
26、。多丝正比室multiwire proportional chamber 由一系列平行且等问距的阳极丝构成的平面，置于上下对称的两个阴极丝平面之间所构成的正比型气体探测器.室内充有气压略高于大气压的气体，阴、阳极之间加有一定电压，当入射带电粒子在室内气体中产生的初始电离电子漂移到阳极附近时产生气体放大，从而在丝上产生脉冲信号，它可提供入射粒子能量损失和两维位置信息。保护环guard ring 用来降低电离室或计数管的收集电极和其他电极间的漏电流和(或)用于限定电位梯度及灵敏体积的一种辅助电极。收集极collecting electrocle 在电离室或计数管中，用于收集由电离辐射产生的电子或离
27、子的电极。猝灭quenching 在盖革弥勒计数管中，单次电离事件后，阻止连续放电或多次放电的过程。猝灭电路quenching c盯mt在单次电离事件发生后，用降低、抑制或反转加在盖草-弥勒汁数管上的电位的方法以实现猝灭的一种电路。猝灭气体quenching gas 为确保放电的自猝灭而充入计数管中的混合气体中的组分。气体放大gas multiplication 入射电离辐射在气体中产生的离子对，在足够强的电场作用下生成更多离子对的过程。气体放大系数gas multiplication factor 在规定的条件下，经气体放大后的离子对数与初始离子对数之比。汤森雪崩Townsend avala
28、nche 一个带电粒子由于碰撞而迅速产生大量带电粒子的气体链式放大过程。正比区proportional regon 气体放大系数大于1.而且实际上与单次致电离事件在计数管的灵敏体积内最初生成的离子对总数无关的汁数管的工作电压区间。其脉冲幅度正比于最初的离子对总数。有限正比区region of limited proportionality 处于盖草弥勒区与正比区之间的计数管的工作电压区间。在该区间内，气体放大系数不仅与单次致电离事件在汁数管的灵敏体积内最初生成的离子对总数有关，而且与所加的电压有关。盖章弥勒区Geiger-Mllerregion 二一一2.2.56 2.2.57 2.2. 58
29、 2.2. 59 2.2. 60 2.2.61 2.2. 62 2.2. 63 2. 2. 64 2.2.65 2.2.66 2.2.67 2.2.68 2.3 2. 3. 1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 GB/T 4960. 6-1996 气体放大系数远大于1、脉冲幅度与单次电离事件在计数管的灵敏体积内最初生成的离子对总数基本无关的计数管的工作电压区间。盖革弥勒阔Geiger-Mllerthreshold 在规定的条件下，计数管工作于盖革弥勒区所应加的最低电压值。(计数管的临界电场critical field (of a counter tube) 引起气体放大所需的最小电场强度。(
30、计数管的)边缘效应end eHect (of a counter tube) 靠近计数管收集极边缘，由于电场的畸变而引起计数损失或所测得的能谱软化效应。(盖革-弥勒计数管的)过电压overvoltage (of a Geiger-Mller counter tube) 工作电压与盖革-弥勒阂电压间的差值。(盖革-弥勒计数管的)死时间dead time (of a Geiger-Mller counter tube) 由单次致电离事件对盖草弥勒计数管引起脉冲后的一段时间间隔，在此间隔内，它对后继的电离事件不能响应。坪plateau在探测器特性曲线上，汁数率(电流)基本上不随所加电压变化的那一部分
31、。坪斜plateau relative slope 在气体电离探测器特性曲线的坪区，电压每变化100V时计数率电流)变化的百分数。特性曲线characteristic curve 在其他所有参数都不变的情况下，气体电离探测器的计数率(电流与所加电压间的关系曲线。在电离室中称饱和曲线。在计数管中称坪曲线。(电晕计数管的)放电噪声discharge noise (of a corona counter tuhe) 当电离辐射不存在时，一个稳定的电晕放电的电流或电压的波动。(电离室中的)猝发burst (in an ionization chamber) 由于一个或多个高能粒子入射到电离室内的气体中
32、或室壁上而引起的，在短时间内突然生成大量离子对的过程。(电离室的)饱和电流saturation current (of an ionization chamber) 在给定的辐照下，当所加的电压高到基本上足以收集全部离子对，但尚未到达气体放大区时所得到的电离电流。(电离室的饱和电压saturation voltage (of an ionization chamber) 在给定的辐照下，电离室为得到饱和电流而需加的最小电压。注2引伸之，95%(90%)饱和电压之类的术语，实际上是用于得到95%(90%)饱和电流所需的电压.(补偿电离室的补偿因子compensation factor (of a
33、 compensated ionization chamber) 补偿电离室对伴生辐射的灵敏度与它在非补偿状态下对同一伴生辐射灵敏度之比值。其倒数称补偿率(compensationratio)，它是补偿电离室的一个性能指标。闪烁scintillation 由致电离粒子引起的、持续时间为微秒级或更短的发光。闪烁持续时间scintillation duration 从发射10%光子瞬间到发射90%光子瞬间的时间间隔。闪烁上升时间scintillation rise time 闪烁体受单次激发后，光子发射率从其最大值的10%上升到U90%所需的时间。闪烁下降时间scintillation fall
34、time 闪烁体受单次激发后，光子发射率从其最大值的90%下降到10%所需的时间。7 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.3.8 2.3.9 GBjT 4960.6-1996 闪烁衰减时间scintillation decay time 闪烁体受单次激发后，光子发射率下降到其初始值的l/e所需的时间。闪烁光衰减长度light attenuation length of scintillation 闪烁光子在闪烁体内经自吸收后衰减为原发光强度的l/e时光子在闪烁体中所通过的路程，表征闪烁体对自身发光的透过能力。官与闪烁体的材料、工艺有关，旦与测量时的光收集条件有关。按实际条件测得的数值称为技
35、术光衰减长度。闪烁物质scintillating material 在致电离辐射作用下，能以闪烁方式发出光辐射的物质。激活剂activatOE 为使闪烁体发射可见光且减少光的自吸收而加入闪烁体中的少量杂质或取代原子。移j皮齐rJwavelength shifter 为了提高光电倍增管或光电管的光子利用率，与闪烁物质共同使用的、用来吸收光子并发射波长更长的光子的一种荧光化合物。2.3.10 闪烁体scintillator 2. 3. 11 2.3.12 2. 3. 13 2. 3. 14 2. 3. 15 2. 3. 16 2. 3. 17 2.3.18 2. 3. 19 2.3.20 2. 3
36、. 21 2.3.22 8 由一定数量的闪烁物质以某种适当形式组成的、对致电离辐射灵敏的元件。闪烁体分有机和无机两大类，有固体、液体和气体等形态。(闪烁体的)光学反射层optical reflector (of a scintillator) 在闪烁体(光导表面上，为使闪烁体(光导中向四周发射的光有效地反射到出射方向上的包层。闪烁体的光学窗optical window (of a scintillator) 闪烁体中能让光辐射透出的部分。(闪烁体的)发射光谱emission spectrum (of a scintillator) 闪烁体发射的光子数随光子的能量或波长而变化的分布曲线。(闪烁体
37、的吸收光谱absorption spectrum (of a scintillator) 闪烁体的光吸收系数随光子的能量或波沃而变化的曲线。(闪烁体的)发射带emission band (of a scintillator) 发射光谱中与光子发射概率最大时的能量(波长)相对应的那一部分。(闪烁体的)吸收带absorption band (of a scintillator) 吸收光谱中与光子吸收概率最大时的能量(波长)相对应的那一部分。闪烁体的)光子发射曲线photon emission curve (of a scintiUator) 与闪烁体单次激发相对应的光子发射率随时间变化的曲线。(闪
38、烁体的)能量转换效率energy conversion efficiency Cof a scintillator) 闪烁体发射光子的总能量与被该闪烁体吸收的入射辐射能量之比。(闪烁体的)光输出light output (of a scintillator) 闪烁体发射光子的总数与被该闪烁体吸收的入射辐射能量之比。(闪烁体的J比t卢ratioof a scintillator 在粒子和能量相同的粒子激发下，闪烁体的能量转换效率之比。它反映了闪烁体对电离密度不同的粒子能量转换效率差异的程度。光电倍增管p阶ho时tomul阳tipl凶lie盯rt阳ub快e，口r主要由光阴极和电子倍增器组成的，能把
39、光转化成电信号的真空器件。元窗光电倍增管windowless photomultiplier tube ;windowless multiplier phototube; 在光源和光阴极靶间没有插入其他物质的光电倍增管.它的一种特殊用途是探测短波长的紫2.3.23 2.3.24 2. 3. 25 2.3.26 2. 3. 27 2.3.28 2. 3. 29 2. 3. 30 2. 3. 31 2. 3. 32 2.3. 33 2. 3. 34 2.3.35 2. 3. 36 2. 3. 37 2.3. 38 2. 3. 39 2. 3. 40 、G/T 4960.6-1996 外辐射。(光电
40、倍增管中的渡越时间transit time (in a photomultiplier tube) 从一个具有限定通量和持续时间无穷小的光脉冲到达光阴极起，到阳极输出电流脉冲达到某一指定值(例如幅度峰值或峰值的一半时的时间间隔。(光电倍增管中的渡越时间分散transit time jitter (in a photomultiplier tube) 相对于各个光脉冲的渡越时间的变化。这些光脉冲应具有限定通量和持续时间无穷小，而且每个光脉冲所产生的光电子数不能超过一个。(光电倍增管的响应脉冲宽度response pulse duration (of a photomultiplier tube)
41、 当光阴极接受一个具有限定通量和持续时间无穷小的光脉冲而产生大量光电子时，在输出电流脉冲曲线上与其半高宽相对应的持续时间。(光电倍增管的)暗电流dark current (of a photomultiplier tube) 在无光照条件下，流过光电倍增管阳极回路的电流。(光电倍增管的)增益gain (of a photomultiplier tube) 在规定的电极电压下，阳极信号电流与光阴极发射电流之比。(光电倍增管的)收集效率collection efficiency (of a photomultiplier tube) 到达第一个倍增极的有效电子数与光阴极发射的电子数之比。(光电倍增
42、管的光阴极灵敏度photocathode sensitivity (of a photomultiplier tube) 在规定的光照条件下，光电倍增管的光阴极的光电发射电流强度被入射于光阴极的光通量除所得的商.(光电倍增管的光灵敏度lig咆ght盹酣玄nm1si光电倍增管的阳极电流被入射于光阴极的光通量除所得的商(光电倍增管的光谱灵敏度spectral sensitivity (of a photomultiplier tube) 作为波长函数的光灵敏度。光电倍增管的)光灵敏度的不均匀性tube) 光阴极表面上光灵敏度的变化。light sensitivity nonuniformity (
43、of a photomultiplier (光阴极的量子转换效率conversion quantum efficiency (of a photocathode) 光阴极发射的电子数与入射光子数之比。(光阴极的)光谱响应曲线spectral response curve (of a photocathode) 量子转换效率随入射光波长变化的曲线。光藕合材料。pticalcoupled material 为使闪烁体所发的光有效地传输到光电倍增管的光阴极上，在闪烁体光学窗与光电倍增管窗(闪烁体光学窗与光导及光导与光电倍增管窗)间所加的物质。闪烁探测器scintillation detector 闪
44、烁体直接地或通过光导和光敏器件相藕合而组成的核辐射探测器。空气等效闪烁探测器四-equivalentscintillation detector 由有效原子序数等于或近似等于空气的闪烁体构成的探测器.生物组织等效闪烁探测器tissue equivalent scinti1lation detector 由有效原子序数等于或近似等于生物组织、的闪烁体构成的探测器.(闪烁探测器的)光导light guide (of scintillation detector) 置于闪烁体和光敏器件之间，使闪烁光无明显损失地传递的一种光学器件。闪烁组合件scinteblock, scintillation int
45、egrated block 将被测的致电离辐射能转化为光电信号的核辐射探测器部件。通常由闪烁体、光桐合材料、光9 2. 3. 41 2.3.42 2. 3.43 2. 3. 44 2. 3. 45 GB/T 4960.6-1996 敏器件(如光电倍增管)等连成一体，在某些情况下，还包含分压器，并装在同一外壳内。闪烁室scintillation chamber 室的内壁覆盖一薄层闪烁体的探测元件。气体正比闪烁探测器gas proportional scintillation detector 利用气体电离特性的闪烁探测器。其光输出正比于入射粒子在闪烁气体中损耗的能量。康普顿二极管Compton
46、diode 不需外加电源，利用能量在O.510 MeV的Y(X)射线与原子序数低的物质问的康普顿效应，将部分光子的能量转换为电流信号，用于直接探测l强脉冲X和Y射线的探测器。一般可分为介质型和真空型两种。全吸收峰探测效率total absorption detection efficiency 对于给定的探测装置和光子能量，探测到的全吸收峰内的光子数与同一时间间隔内放射源发射的总光子数之比值。全吸收峰探测器效率total absorption detector efficiency 对于给定能量的光子，在全吸收峰内探测到的光子数与在同时间间隔内入射到探测器上的光子数之比值。2.4 半导体探测器
47、2.4.1 半导体探测器semiconductor detector 2.4.2 2.4.3 2.4.4 2.4.5 2.4.6 2.4.7 2.4.8 2.4.9 通常利用核辐射在半导体中产生的过剩自由电荷载流子的运动来探测入射核辐射的探测器。表面势垒探测器surface barrier detector 由表面反型层产生结而形成势垒的半导体探测器。扩散结探测器diffused junction detector 用扩散施主(N)或受主(PJ杂质的方法产生结的半导体探测器。离子注入探测器implanted junction detector 用离子注入施主(N)或受主(P)杂质的方法产生结的
48、半导体探测器。补偿型半导体探测器compensated semiconcluctor detector 在P型区和N型区之间有补偿半导体材料的半导体探测器。铿漂移半导体探测器lithium drifted semiconductor detector 在外加电场作用下，钮离子在P型晶体中移动以补偿束缚杂质的电荷，从而获得补偿区的补偿半导体探测器。内放大半导体探测器amplifying semicondt时ordetector 由类似雪崩的次级过程产生电子倍增的半导体探测器。透射式半导体探测器transmission semiconductor detector 其厚度(包括入射和出射窗)薄到足以允许粒子完全穿过的半导体探测器。dE/dx半导体探测器differential dE/dx semiconductor detect
