1、FL 5961 J、/、J11、l. 口口曰日日Semiconductor discrete device SJ 20177 92 主吕Detail specification for PNP silicon low power switching transistor for types 3CK3634 - 3CK3637 1992-11-19发布1993呻05-01实施中国电子工业总公司批准1 范围1. 1 主题内容中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3CK3634-3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete device Deta
2、il specification for PNP silicon low- power switching transistor for types 3CK3634-3cK3637 SJ 20177 92 本规范规定了3CK3634-3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管(以下简称器件的详细要求。该种器件按GJB33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级。1.2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸中的A3-02B型及如下规定，见图10 中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施一一1 SJ 20177 92
3、中。J tD, 吃份1份24 图l外形尺寸1. 3 最大额定值P lo(1) P 1012) 型号TA=25C Tc=25C (W) (W) 十3CK3634 l 5 3CK3635 l 5 3CK3636 1 5 3CK3637 1 5 注:1) TA25C按5.71mW/C的2) Tc25C按28.6mW/C.4 主要电特性CTA=2SC)-2一Vc回VCEO (V) (V) 一140一140一140一140一175一175一175-175 线性降 。符号A 如#11 #12 1D 1D、rrun 6.10 0.407 8.64 8.01 引出性:1.发射极2.基极3.集电极A3-02B
4、nom 5.08 口1mmax 6.60 1. 01 0.508 9.39 8.50 j I O. 712 I O. 787 I O. 863 K L L1 VEBO (V) 一5一5一5一50.740 1. 14 12.5 25.0 1. 27 Ic Tj和T.(A) CC) l l 一65-+2001 l SJ 20177 92 虽$数极限值型号符号单位)测试条件最小值最大hFE1 1) VCE1=一10V3CK3634 25 Ic=O.lmA 3CK3635 55 3CK3636 25 3CK3637 55 hFEZ 1) VCE=一10V3CK3634 45 Ic =1.0mA 3CK
5、3635 90 3CK3636 45 3CK3637 90 hFE3 1) VCE=一10V3CK3634 50 Ic=10mA 3CK3635 100 3CK3636 50 3CK3637 100 hFE 1) VCE= -10V 3CK3634 50 150 Ic=50mA 3CK3635 100 300 3CK3636 50 150 3CK3637 100 300 hlFE5 VCE=一10V3CK3634 30 Ic =150mA 3CK3635 60 3CK3636 30 3CK3637 60 fT(MHz) VcE=-30V 3CK3634 150 800 Ic=30mA 3CK3
6、635 200 850 f=100MHz 3CK3636 150 800 3CK3637 200 850 十Cobo(pF) VcE=-20V 3CK3634 10 IE=O 3CK3635 10 f=lMHz 3CK336 10 3CK3637 10 V CE(.a) 1) (V) 3CK3634 一O.3 Ic=10mA 3CK3635 一O.3 IB=lmA 3CK3636 一O.3 3CK3637 一0.3V CE(.a.) 1) (V) 3CK3634 一0.6Ic=50mA 3CK3635 一O.6 IB=5mA 3CK3636 一O.6 3CK3637 一0.63一8J 2017
7、7 92 续表参数符号(单位)测试条件V BE(la。口(V)Ic=10mA IB=lmA V BE(ut) 1) (V) Ic=50mA IB=5mA 十td (ns) Ic=50mA lSl=5mA I2=5mA t雹(ns) Ic =50mA Is1=5mA Is2=5mA t, (ns) lc=50mA ISl=5mA IB2=5mA t, (ns) lc=50mA IB1=5mA IB2=5mA 注:1)脉冲法(见4.5. 1)。2 引用文件3 GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33一85GJB 128 86 求3. 1 详细要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外
8、形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计结构和外形尺寸国?型号3CK3634 3CK3635 3CK3636 3CK3637 3CK3634 3CK3635 3CK3636 3CK3637 所有型号所有型号沂有型号所街型号器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层一4一极限值最IJ、值最大一0.8一0.8一0.8一0.8-0.65 一0.9一0.65-0.9 一0.65一0.9一0.65一0.9100 100 500 150 SJ 20177. 92 引出端材料应为柯伐，引线涂层应为镀金或镀
9、锡。对涂层要求选择时，在合同或订单中应明确规定(见6)。3.3 标志件的标志应按GJB33的规定。4 保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规程表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。选测试或CGJB 33表2)GT和GCT级7.中间测试Ic皿1和hFE18.功率老化见4.3. 1 9.最后测试本规范表1的A2分组s4.3.1 功率老化条件功率老化条件如下zMc回lz初hFE1=士15%TA=25C, Vn出一100V;Ptot= l.
10、 OW 注z不允许器件上加散热器或强迫风冷.4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验的100%10nA，取较大者zB组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规施表3的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。-5一4.5.2 噪声系数测试应按
11、表1的规定。4. 5. 3 热阻(仅进行鉴定试验本试验应采用如下细节:8J 20177 92 a.在施加功率期间的集电极电流幅值，对RQJC应为160mAdc;对RQJA应为32mAdc.b.集电极一发射极电压幅值应是lOVdc。C.基准温度测试点，对RQJC应是管壳;对RQJA应是环境空气。d.基准点温度应选在25C运TR二75C之间，并在试验开始以前记录。e.安装装置，对RQJC应是管壳带散热器，对RQJA应不带散热棚。f.最大极限应是R创c=35C/W和R创A=175C/W.注:除非采购单位另有规定，选择测量也JC或RQJA应满足本试验的各项要求.表1A组检验GB 4587 检验LTPD
12、 符号方法条件A1分组5 外部目检GJB 128 2071 A2分组5 集电极基极击穿电压2. 9. 2. 1 发射极基极开路V(BR)CBO Ic=100A 3CK3634 3CK3635 3CK3636 3CK3637 发射极基极击穿电压2. 9. 2. 2 集电极基极开路V(田)EBOh=100A 集电极发射极击穿电压|本规范附录叫基极发射极开路V(BR)CEO lc=10mA 3CK3634 脉冲法见4.5. 1) 3CK3635 3CK3636 3CK3637 集电极基极截止电流2. 1 发射极基极开路Ic皿lVcn=一100V发射极基极截止电流2.2 集电极基极开路hBO VBE=
13、-3V 集电极发射极截止电流2. 14 基极发射极开路IcEO VCE= -100V 正向电流传比2.8 VCE=一10VhFE1 Ic =O.lmA 脉冲法(见4.5. 1) 3CK3634 3CK3635 3CK3636 3CK3637 -6一极限最一140一140一175一1755.0 一140一140一175一175100 50 10 25 55 25 55 单位V V V V V V 飞JV V nA nA A SJ 20177 92 续表1A组检验GB 4587 极限值单试验LTPD 符号位方法条件最小值最大值正向电流L-t 2. 8 VcE=-10V hFEZ lc=1.0mA
14、脉冲法(见4.5. 1) 3CK3634 45 3CK3635 90 3CK3636 45 3CK3637 90 正向电流传输比2.8 VcE=-10V hFE3 Ic=10mA 脉冲法(见4.5. 1) 3CK3634 50 3CK3636 50 3CK3635 100 3CK3637 100 正向电流传t 2.8 VCE=一10VhFE Ic =50mA 脉冲法(见4.5.1)3CK3634 50 150 3CK3636 50 150 3CK3635 100 300 3CK3637 100 300 正向电流传输比2. 8 VcE=-10V hFES Ic =150mA 脉冲法见4.5. 1
15、) 3CK3634 30 3CK3636 30 3CK3635 60 3CK3637 60 集电极发射极饱和压降2.3 Ic=lOmA V CE(slIt) 1 -0.3 V IB=lmA 脉冲法(见4.5.1)集电极发射极饱和压降2. 3 Ic=50mA V CE(sal z -0.6 V Is=5mA 脉冲法(见4.5. 1) 基极发射极饱和压降2.4 Ic=lOmA V BE(:Jat)l -0.8 V IB=lmA 脉冲法(见4.5. 1) 基极发射极饱和压降2.4 一7一SJ 20177 92 一续表1A组检验GB 4587 极限值t在LTPD 符号位方法条件最小值最lc=50mA
16、VBE( . 四一0.65-0.90 V lB=5mA 脉冲法(见4.5.1)A3分组5 高作zTA=150C 集电截止电流2. 1 发射极基极开路lcB02 100 A VCB=一100V低作gTA E一55C正向电流传输比2.8 VCE=一10VhFE6 3CK3634 lc=50mA 25 3CK3636 25 3CK3635 50 3CK3637 50 A4 5 率2. 11. 2 VcE=-30V fT 3CK3634 lc=30mA 150 800 Hz 3CK3636 f=100MHz 150 800 Hz 3CK3635 200 850 Hz 3CK3637 200 850 H
17、z 号短路正向电流2.7.2 VCE=-10V hf. 传输比需要时lc=lOm A 3CK3634 f=lkHz 40 160 3CK3636 40 160 3CK3635 80 320 3CK3637 80 320 小信号短入阻抗2.7.1 VcE=-10V h;. 需要时lc=10mA 3CK3634 f=lkHz 100 600 。3CK3636 100 600 。3CK3635 200 1200 。3CK3637 200 1200 。小信号开路反向电压2.7.3 VcE=-10V h, 3X 10-t 传输比(需要时lc=10mA f=lkHz 小信号开出导纳2.7.4 VCE=一1
18、0Vh 200 S (需要时)lc=10mA f=lkHz 命出电容入端交流开路)2. 11. 3 Vcs=-20V C血10 pF I区=0f=lMHz 一8一SJ 20177 92 续表1A组检验GB 4587 极限单LTPD 符号位方法条件最入电容输出开路本规范附录BVBE=一1VCibo 75 pF lc=O f=lMHz 噪声系数(需要时)2. 12. 3 VCE=一10VF 5 dB lc=0.5mA R,=lkO (见4.5.1)f=100Hz 系数(要时2. 12. 3 VCE=一10VF 3 dB lc=0.5mA R,=lkO 见4.5. 1) f=lkHz 噪声系需要时2
19、. 12. 3 VCE=-10V F 3 dB lc=0.5mA R.=lkO (见4.5.1)f=10kHz 脉冲相应开关时间gA4 lc=5臼nA脉冲延迟时间181 =182 = 5mA td 100 ns 脉冲上升时t. 100 ns 脉冲贮存时t. 500 ns 脉冲下问t, 150 ns 关闭时间toff 600 ns A5 10 安全工作区Tc=25C (连流)t=ls 个循环(见图2)试验13CK3634、3CK3635VCE=一100VIc =30mA 3CK3636、3CK3637VcE=-130V Ic =20mA 2 VcE=-50V lc=95mA 试验3VcE=-5V
20、 Ic =lA 最后试z见表4.步1和3A6和A7分组不适用-9一SJ 20177 92 10001 - -皿500 集4002300 电200流Ic(mA) 100 nunuau初始值的士25%lc=50rnA 脉冲法见4.5. 1) 5 I 集电极发射极2.3 1c= 10rnA 6VCE(蝇。1) 初的士50rnV饱和压降ls= 1rnA 脉冲法见4.5.1)注:1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收.5 交货准包装要求应按GJB33的规定。6 说明事项合同或订货单应规定要求的引出端涂层(见3.2. 1)。如使用单位需要时，典型恃性曲线可在合同或订货单中规定。SJ 20177 92
21、 附录A集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件A1 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路测试电路见图A1。R, -电压源10 v Ic A 图A1集电极一发射极击穿电E测试电路A3步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表，施加规定的偏置条件，增加电压直至达到规定的测试电流.如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的限，则晶体管为合格。B1 目的附录B人电容输出端开路或短路测试方法(补充件本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联电容。B2 测试电路试电路见图B1.一13一SJ 20177 9
22、2 DUT 电桥A l/c V盹v 电压源s 电压+ 注g对于其他电路组态，可修改电路以能证明晶体管与详细规范的最低要求一致.图B1输入电容(输出端开路或短路测试电路B3步电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的精度。将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上。将开关S断开或闭合则取决于输出端在交流短路或开路状态。然后测试输入电容。电容读数仪与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起的误差。加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和济南半导体所共同负责本规范主要起草人:王长福、朱志光、贾惠蓉、钟泰富。计划项目代号:B91005。一14一。
