1、中-FL 5961 SJ 20061 92 Semiconductor discrete device Detail specification. for silicon N-channel deplitioD mode field-effect transistor of type cS146 1992-11-19发布1993主05-01实施中国电子工业总公司批准1 范围中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-cha
2、nnel deplition mode field-effect transistor of type CS146 1. 1 主题内容SJ 20061 . 92 本规范规定了CS146型硅N沟道结型场效应晶体管以下简称器件的详细要求，该种器件按GJB33b, 1: 01 #晶z0.407-0.508 iD 5.31 5.84 iDl 4.53 4.95 0.92 1. 04 1. 16 I K 0.51 1. 21 L 12.5 25.0 Ll 1. 27 句叫.斗图1外形尺寸-2一SJ 20061 92 1.3 大额定值p110 Vr.S Voo TA=25C (mW) (V) (V) 10
3、0 25 25 注:1) TA25C时，按0.66mW/C的速率线性1.4 主要电特性:(TA=2SC) .,. I酶1) VGS归的IYf.111)盯极V田=10VV田=10VVos=10V VGS=O 10=1A 10=3mA 值f=lkHz 口lAV S 型 CS146 C 1 3.5 -5 3000 6000 CS146 D 3 10 一64000 CS146 E 8 20 一74000 注:1)脉冲法见4.5.1条。2) C档，在VGS=O条件下测试.2 引用文件3 GB 4586 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 3.1 详细要求效应晶体管测试方
4、法立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 说计、结构和外形尺寸8000 8000 VGS (V) 一25 1GF T.mb和T.(mA) CC) 10 一55-+175C田的C.Z) GPSZV回=10VVos=10V Vos=10V 10=3mA 10=3mA 10=3mA f=lMHz f=lMHz f=400MHz pF pF dB 2.8 0.9 7 2.8 0.9 7 2.8 0.9 7 的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出的选择或另有要求时，在合同3.
5、3 标志涂层应单中应明的标志应按GJB33的规定。规定、或。对引出料和涂层要求6章。-3一SJ 20061 92 4 质量保证4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的刷品尼。4.3 筛选仅对GT和GCT级选应按GJB3$表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限的器件不应接收. 筛选(见GJB33表2)3. 热冲击5.密封6. 高温反7. 中间测试8. 电老化9. 最后测试4.3.1 功率老化条件VGS-一20V;VDS-O ;TA -150C 4.4 检验不要求不要求一55C，IGSSI，105s和1)他11见4.
6、3.1条试或试+175C 本规范表1的A21t程lO5s=初始值的士10%lIYf.11=1一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验的士20%B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(，)要求应按本规范表在的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(，)要求应按本规范表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5.1 脉冲测试试应按GJB128中3.3. 2. 1条的规定。-4一检验或试验A1分组外
7、观和A2分组电压电流电CS146C CS146D CS146E 电压CS146C CS146D CS146E A3分组作gA4分组电流路正向跨导CS146C CS146D CS146E 入电容|方法JB 128 11 2071 G1 2.1 3 5 2.1 10 7 SJ 20061 92 表1A组检验GB 4586 条件108=-1A 1可1lS=0v固自OV回=-lOVVIlS=10V Vos=O 脉冲法见4.5.1条Vos=10V 105=1A T . h=125C V回=0VGS=一10VV因=10VlD=3mA1) f=lkHz 脉冲法(见4.5.1条)IV田=lOVlD=3mA f
8、=lMHz 极，, 符号擎:位E I 5 IV圃)0回I- 25 I v l -10 I nA 1瞄J .3.5 I111A 3 10 mA a 20 mA V倒阳. 一5I V 6 I V 一7I v 5 10:国2一10IA 5 IYI.11 3000 6000 S 4000 8000 S 4000 8000 S Ciss I ,2.8 I pF -5一短路反馈电容|A5和A6不适用A7分组低温工作gCS146C CS146D CS146E 率增益短路正向方法11 G3 10 注:1) C挡，在VGS=O条件-6一SJ 20061 92 . 续表lGB 4586 I I I极限条件IV田=
9、10VIo=3mAll I 0 f=1MHz I VIlS=10V Io=3mAl) f=400MHz T.ID捏一55CIo=3mAll V回=0f=lkHz 脉冲法见4.5.1条)I 10 符号il l单位最I Crss I GPS IYf.12 7 I o. 9 I pF dB 9000 I民12000 IS 12000 I岗验B1分组标志的耐久性B2分级热冲击密封a. b.粗最试gB3分作寿命高温反偏最后测试gB4分组开帽内设计核实度部分组用B6分组环方法 2026 1022 10S1 1071 1027 207S 2037 1032 SJ 20061 92 表2B组检验GJB 128
10、 条件|试验条件C，但应为TA=-SSC TB=+17SC t |且表4，步l、3和4TA=1S0C vos=O V由=-20V见表4，步骤2、3、4、5和6A 所有的内部引线分别进行拉力试验TA=17SC 见表4，步骤2和6LTPD lS 10 5 每批1只器件，0失效20(C=0) 7 一7一SJ 20061 92 表3C组检验GJB 128 检验方法|条件Cl分外形尺寸I 2066 I见图1C2分组冲击(玻璃应力)引出端强度密封8. b.粗外观及机械检验最后测试gC3分组冲击最后C4分组盐气2 (当需要进行时C5分组不适用C6分组态工作寿命反偏最后测试g-8一期试验1056 2036 1
11、071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 1026 见表4.见表4.A E TA=150C V田=0VGs=-20V 1、3和41、3和4见表4.步骤2.3.4.5和6LTPD 15 10 10 15 =10 SJ 20061 92 表4B组和C组的步GB 4586 试方法条件 1 电2.1 V田=0Vr.s=-10V 2 止电2.1 V田=0V由自一10V3 压电流3 V田=10VV由=0脉冲法见4.5.1条CS146C CS146D CS146E 4 短路正10 Vos=10V 向跨导Io=3mAl) f=1kHz 脉冲法(见4.5.1条CS146C CS146D
12、 CS146E 5 3 路Vos=10V Vr.s =O 脉冲见4.5.1条6 小信号共正10 Vos=10V 向跨导Io=3mAl) f=1kHz 脉冲法(见4.5.1条注I1) C挡，在V田=0条试.5 准包装6说应按GJB33的规定.试符号1G盹IGSS3 I圃IYf.11 bJ瞄AIYf.11 合同或订货如使用单位应规定要求的引出要时，典型恃性料和涂层见3.2. 1条。可在合同或订货单中规定。极限值单位最-10 nA 一20nA 1 3.5 mA 3 10 mA 8 20 mA 3000 6000 S 4000 8000 S 4000 8000 S 初的士15%初的士25%-9一CS146与厂用型号3DJ9对照:CS-146C CS146D CS146E 说明:3DJ9F 3DJ9G、H3DJ91 SJ 20061 92 本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:王长福、吴志龙、刘美英、张宗国。计划项目代号:BOI023。一10一
