JB T 5631-1991 半导体器件外延炉 能耗标准.pdf
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JB T 5631-1991 半导体器件外延炉 能耗标准.pdf
1、中华人民共和国机械行业标准J8/T 5631-91 半导体器件外延炉能耗分等1 主题内容与适用范围本标准规定了半导体器件外延炉以下简称外延炉能花分等。本标准适用于电子工业企业外延炉。2 外延炉能艳按可比单花分为一等、二等、三等三个等级。达不到三等指标的属于等外。s 外延炉能耗分等见表1。表1可比单耗指标kW. h/10scmz 等等一一等一一一100 100-140 140-170 4 可比单施按统计期内每千平方厘米合格外延片计算的平均单施，称为可比单耗。按式(1 )计算zbK = 2:(WDi+C巧i)1i坠KZK3.(1) 式中:bK一一可比单耗，kW .h/ 103cm2, WD一一统计
2、期内某炉次耗电量，kW.h, C一一耗氢气量折合耗电量系数，5.SkW.h/标msslVH，-一统计期内该炉次耗氢气量，标m3;Kl俨一-该炉次产品外延生长速率系数见表2), K2一一统计期内外延片平均厚度修正系数FK3一一炉型系数见表3); F-统计期内合格外延片的总面积，103cm2。表2外延生长0.2 1) .3 0 .4 0.5 0.6 0.7|0.8| 0.9 1 速率系数0.2 ，、圈，d -r、d，、J，、d，、d，、d，、1.2 m/min 0.3 0 ,4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 .1 1.2 一一一Kll 0.88 0.90 0.92 0.94 0.96
3、! 0.98 机械电子工业部1991-09-13批准1992-07-01实施171 J8fT 5631-91 表3卧式炉型系数立式、筒式额定功率kW 150 150 K, 1.0 LO 0.8 4.1 外延炉能耗包括直接用于工艺生产过程的耗电量和耗氢气量。折合耗电量不包括氮气耗量和通风等耗电量。5 外延片平均厚度修正系数考虑外延片平均厚度对实际单耗的影响的修正系数，称为外延片平均厚度修正系数。按式(2 )计算zK2 = 1 + 0.02(10-的(2 ) 式中I一-统计期内合格外延片的平均厚度，m。5.1 值按式(3 )计算z6=-22主主. . ., . (3) Fi 式中IFj-一某种合格外延片的面积，103CI时，01-某种合格外延片的厚度，m。172 附录A半导体器件外延妒能转等级计算表参考件半导体器件外延炉能耗分等JB/T 5631-91 标准名称l标准号|可件约旦L芒变一四?飞|安装位置啤里器量川讥炉芝主|主芝啤Jjj主|台丰延外白4ggl主级值bK 比计值等期签bK= (WD1+CH:.Hi)Kll)KIKS .n. F 目项问町、.J8/T 5831-91 附加说明z本标准由机械电子工业部生产司提出。本标准由机械电子工业部机械标准化研究所归口。本标准由国营北京七七四厂负责起草。本标准起草人越伟、郭瑞春。174
